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Prof. Dr. Aparecido Nicolett
PUC-SP
Aula 04
MOSFET Tipo Intensificação
8ª Edição: pág. 190 a 196
11ª Edição: pág. 335 a 341
Slide 1 MOSFET Tipo Intensificação
• MOS – Metal Óxido Semicondutor.
• Equação de Shockley não é válida para este dispositivo.
MOSFET canal N
• Canal para condução só existirá após aplicação de tensão na porta.
A região de fonte e dreno devem estar alinhadas com a porta.
Slide 2 Operação Básica e Curvas Características
• Para VGS = 0 V, não existe o cana N formado por uma grande quantidade de portadoreslivres, ao contrário de um JFET canal N, onde para esta situação ID = IDSS.
• Depleção dos portadoresmajoritários (lacunas) eaproximação dos portadoresminoritários (elétrons).
• O valor de VGS necessário paraformar a camada de inversão échamado de Tensão de Limiar(VT).
Slide 3 Operação Básica - Saturação
• VDS alto e VGS constante,inicia-se o processo deconstrição (saturação). A partirdeste ponto, IDS = cte..
GSDSDG VVV −=
• Para VGS fixo, à medida queaumenta VDS, diminui VDG, o quereduz a quantidade de portadoreslivres (elétrons) nesta região.
Slide 4 Operação Básica - Saturação
Para VGS = 8 V, asaturação ocorre paraVDS = 6 V.
VDS = f(VGS)
VTVV GSDSsat −=
Portanto, VT = 2 V.
• Para VDS > VDSsat, MOS em saturação.
• Para VDS < VDSsat, MOS em triodo.
Slide 5 Operação Básica - Saturação
• Para VGS > VT e VDS > VDSsat, tem-se:
2GSD )VTV(kI −=
2)ligado(GS
D
)VTV(
)ligado(Ik
−=
ID (ligado)
VGS (ligado)} Ponto particular das curvas.
Slide 6 Operação Básica - Saturação
ID(ligado) = 10 mA
VGS(ligado) = 8 V
K = 0,278x10-3 A/V2
ID = 0,278x10-3(VGS – VT)2 (i)
ID(ligado) = 7 mA
VGS(ligado) = 7 V
K = 0,28x10-3 A/V2 ID = 0,28x10-3(VGS – VT)2 (ii)