Bipolar Transistors Digital Transistors01 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ世界トップクラスの生産量を誇るロームのトランジスタは時代のニーズ

Bipolar TransistorsDigital Transistorsバイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ

Discrete Semiconductors

2010

製品カタログ

01 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ

世界トップクラスの生産量を誇るロームのトランジスタは時代のニーズ

に敏速に対応することで培われています。市場のニーズに応え、省エネ・

省スペース・高信頼性を開発コンセプトとして特徴ある商品群をライン

アップしています。

世界トップクラスの生産量を誇るロームのトランジスタは時代のニーズ

に敏速に対応することで培われています。市場のニーズに応え、省エネ・

省スペース・高信頼性を開発コンセプトとして特徴ある商品群をライン

アップしています。

ロームが世界で最初に開発したデジタルトランジスタはデジタル回路

設計の分野で活用される抵抗内蔵型トランジスタです。市場のニーズに

応えた超小型実装パッケージへの展開による省スペース化と、豊富な

抵抗バリエーションにより、多彩な商品をラインアップしています。

ロームが世界で最初に開発したデジタルトランジスタはデジタル回路

設計の分野で活用される抵抗内蔵型トランジスタです。市場のニーズに

応えた超小型実装パッケージへの展開による省スペース化と、豊富な

抵抗バリエーションにより、多彩な商品をラインアップしています。

02バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ

5

6

7

9

バイポーラトランジスタ 11

Contents

クローズアップ

ラインアップ

3

10

複合バイポーラトランジスタ 15

外形寸法図 19 形名の構成 20

デジタルトランジスタ 17

複合デジタルトランジスタ 18

ソレノイド・モータドライブ用トランジスタ

Low VCE(sat)トランジスタ

MPT3 高速スイッチングトランジスタ

4VMT6 パッケージ

超小型VMN3パッケージ

ミューティングトランジスタ

MPT6 複合バイポーラトランジスタ


製品ラインアップ

超小型 VMN3パッケージ実装面積60％、高さ35％低減

超小型・低背

優れたフィレット視認性・はんだ固着強度

・超小型・低背

特長

・小型携帯機器の汎用スイッチ他

用途

従来品VMT3パッケージ(1.2×1.2,t=0.5mm)に

比べ、実装面積60%、高さ35%低減した超小型・

低背パッケージ(0.6×1.0, t=0.37mm)です。

概要

従来品VMT3パッケージと比べて、実装面積60%、高さ35%低減した超小型・低背シリーズです。

(単位 : mm)

1.2 0.8

1.2

t=0.50

NEW VMN3

1005サイズチップ抵抗器と同等体積

1.0x0.6x0.37 1.0x0.5x0.51.0 0.8

0.6

t=0.37

ROHM

6.05N

他　社

4.23N

フィレット構造（ROHM）フィレットレス構造（他社）

フィレット構造視認可能フィレット構造視認難あり

特長1 特長2

プレッシャーテスト（競合他社と同一パッケージで比較）

極性品名

PNP

NPN

VCEO(V)

－50

50

VCE(sat)Max.IC(mA)

－100

100

hFE

@IC / IB

120～390

120～390

－25mA / －2.5mA

25mA / 2.5mA

@VCE / IC－6V / －2mA

6V / 2mA

－0.3

0.3

(V)

極性品名

NPN

VCC(V)

50

IO(mA)

50 10

R2（KΩ）R1（KΩ）

10

GI

PNP －50 －50 10 10 30～30～

2SA2199

2SC6114

DTC114EB

DTA114EB

DTA144EB

DTC144EB

PNP

NPN

－50

50

－50

50

47

47

47

47

68～68～

1.5 倍

実装面積60% Down

厚　さ35％ Down

VMT3従来品


下面電極に比べフィレット構造の視認性が良い優れた固着強度

バイポーラトランジスタ

デジタルトランジスタ




VMT6 小型複合パッケージ実装面積43％低減

超小型・複合化

hFEのペア性を保証

・超小型・複合パッケージ

特長

・小型携帯機器の汎用スイッチ・カレントミラー回路他

用途

従来品EMT6パッケージ(1.6×1.6,t=0.5mm)と

比較して、実装面積43%低減。

また、従来品VMT3パッケージ(1.2×1.2,t=0.5mm)

を複合化して、実装面積50％低減した超小型複合

パッケージです。

2素子のhFEペア性を保証(hFE1/hFE2 0.9～1.1)

（VT6T11,VT6T12, VT6×11, VT6×12)

バイポーラトランジスタ

品名

VT6T1

VT6T2

VT6X1

VT6X2

VT6T11

VT6T12

VT6X11

VT6X12

VCEO(V)

－20

－50

20

50

－20

－50

20

50

－200

－100

200

100

－200

－20 / 20 －200 / 200

－50 / 50 －100 / 100

－100

200

100

IC(mA) hFE hFE Ratio 等価回路図

Suitable for current mirror circuit

Pc(W)

120～560

0.9 1.1

0.15

−

−VT6Z1

VT6Z2

カレントミラー回路

概要従来品EMT6パッケージと比較して、実装面積43%低減。また、従来品VMT3を複合して、実装面積50%低減した超小型複合パッケージです。

(単位 : mm)



EMT6従来品

VMT3×2従来品

1.2 0.92

1.2

t=0.50

1.2 0.92

1.2

t=0.50

NEW VMT6

1.2 0.8

1.2

1.2 0.8

1.2

t=0.50

Vcc

内部回路品名内蔵トランジスタ VCEO

(V)IC(A) hFE

120～390

120～390

120～270

120～390

120～390

120～270

120～390

120～390

120～270

60

32

−32 −1

−2

−2

−3

−32

−32

−60

32

32

60

1

2

3

1

3

2SB1188

120～39032 22SD1766

120～270−3−602SA2071

DTDG14GP×2

2SC5824

120～390−1−322SB1132

2SD1664

2SB1132×2

2SB1188×2

2SA2071×2

2SD1664×2

2SD1766×2

2SC5824×2

300～60±10 1

MP6Z3

MP6T1

MP6T2

MP6T3

MP6X1

MP6X2

MP6X3

MP6Z1

MP6Z2

MP6H1



MPT6 複合バイポーラトランジスタ実装面積・員数を1/2に削減

小型・低背化パッケージ

応用回路例外観図


・省スペース特長

・バッファ回路・コレクタ共振回路・モータドライブ回路

用途

従来のMPT3パッケージを複合化、実装面積、員数を1/2に削減。

例えば、従来2SB1132を2個使用していた場合、「MPT6」

1パッケージに集約できるため実装面積、実装コストの削減に貢献

します。

実装面積50％ Down

MPT3 (MPT3×2) MPT6

高さ約 35％ Down

（単位： mm）

コレクタ共振回路モータドライブ回路

M

バッファ回路

大チップ搭載により大電流化が可能になります。

表面裏面

概要

従来のMPT3パッケージを複合化、実装面積50%、高さ約35%低減した小型、低背シリーズです。

表面

裏面

品名パッケージ内部回路 VCEO(VCC)(V)

IC(IO)(A)

hFE

(GI)

300～

300～

500～

300～

1k～10k

60±10

60±10

60±10

60±10

60±10

1

1

2

1

0.5

DTDG23YP

DTDG14GP

2SD2143

QSH29

MP6H1

MPT3Pc=0.5W

CPT3(D-PAK)Pc=1W

TSMT6Pc=0.5W

MPT6Pc=2W




ソレノイド・モータドライブ用トランジスタモータドライブ回路の実装面積最大40％削減

高破壊耐量・省スペース

応用回路例

・省スペース・高破壊耐量・誤動作防止

特長

・モータドライブ回路・リレードライブ回路（車載機器、プリンタ他）

用途

内部クランプダイオードにより、モータ

ドライブ時などに発生するコイルからの逆起電

力を吸収。高い破壊耐量を誇ります。

また、入力抵抗と誤動作防止抵抗も内蔵。モー

タドライブ回路の実装面積を最大

約40%削減できます。

モータドライブ回路

・省スペース、および部品点数の削減に貢献

・クランプDi内蔵により、高破壊耐量

・入力抵抗内蔵により、ICからの直接駆動が可能

・ノイズによる誤動作防止にプルダウン抵抗を内蔵　　　

IC①

②

③

④

コイルからの逆起電圧に対して内蔵クランプDiで素子を保護

①入力抵抗(電流制限用)②プルダウン抵抗(誤動作防止用)③クランプDi

④トランジスタ

2.2k

10k

10k

3.5k 300

10k

10k

特性比較

概要

モータドライブ回路に必要なクランプダイオード、入力抵抗、誤動作防止抵抗を1チップ化。個別の部品を実装した場合に比べて、面積を約40%削減できます。

入力抵抗

入力抵抗 : R1

モータドライブ回路が１パッケージに。

1パッケージ化

実装面積

40％ Down

PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN


パッケージ

構成用途

TUMT3 TUMT6 TSMT3 TSMT6

―US6T6

US6T4

―――

US6T7

US6T5

――

―US6X5

US6X3

―――

US6X6

US6X4

――

2SB1709

2SB1690

2SB1705

2SB1707

―2SB1710

2SB1695

2SB1706

2SB1708

―

2SD2674

2SD2653

2SD2670

2SD2672

―2SD2675

2SD2657

2SD2671

2SD2673

―

―QST6

QST4

―QST2

―QST7

QST5

―QST3

―QSX5

QSX3

―QSX1

―QSX6

QSX4

―QSX2

2SB1732

2SB1730

―――

2SB1733

2SB1731

―――

2SD2702

2SD2700

―――

2SD2703

2SD2701

―――

1.5

2

3

4

6

1

1.5

2

3

5

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

12

12

12

12

12

30

30

30

30

30

Pc=0.4W Pc=0.4W Pc=0.5W Pc=0.5W

シングルタイプ（面実装タイプ）パッケージ

構成用途

Low

VCE（sat）

Low

VCE（sat）

VCEO

（V）

0.5

1.5

2

0.4

1

1.5

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

IC（A）

12

12

12

30

30

30

2SA2018

―

―

―

―

―

2SC5585

―

―

―

―

―

Pc=0.15W

EMT3

2SA2030

―

―

―

―

―

2SC5663

―

―

2SD2696

―

―

Pc=0.15W

VMT3

―

2SB1689

―

―

2SB1694

―

―

2SD2652

―

―

2SD2656

―

Pc=0.2W

UMT3

2SA2119K

―

2SB1690K

―

―

2SB1695K

―

―

2SD2653K

―

―

2SD2657K

Pc=0.2W

SMT3

PNP NPN

MPT3

―2SB1697

2SB1713

―――

2SB1698

2SB1714

――

―2SD2661

2SD2678

―――

2SD2662

2SD2679

――

Pc=0.5W

VCEO

（V）IC（A）



Low VCE(sat)トランジスタVCE(sat)を約80％低減省エネに貢献

Low VCE(sat)


・Low VCE(sat)

特長

・汎用スイッチ・DC/DCコンバータ　など

用途

従来品に比べ、VCE(sat)を約80％と大幅に低減し

ているので、機器の省エネ化に貢献します。

また、VMT3からMPT3まで豊富なライン

アップを用意しており、コレクタ電流は最大6A

品までを用意。小型携帯機器をはじめ、様々な

アプリケーションに対応します。0.001

0.01

0.1

1

VC

E(s

at)(V

)

VCE(sat)-IC

IC(A)

0.001 0.01 0.1 1 10

2SA15772SB1732IC/ IB = 20

PulsedTa = 25°C

0.001

0.01

0.1

1

VC

E(s

at)(V

)

VCE(sat)-IC

0.001 0.01 0.1 1 10

IC(A)

IC/ IB = 20PulsedTa = 25°C

2SB1197K2SB1690

QST2

概要

VMT3からMPT3までの面実装パッケージをラインアップ。低消費電力が求められるポータブル機器やデジタル機器に最適です。

80%80%低減低減80%低減80%80%低減低減80%低減



PNP×2

プリアンプ

ドライバ

プリアンプ

ドライバ

NPN×2

PNP

＋

NPN

プリアンプ

－

QST8

QST9

－

－

QSX7

QSX8

－

－

QSZ1

QSZ2

QSZ3

QSZ4

2SA2018×2

2SB1709×2

2SB1710×2

2SC5585×2

2SD2696×2

2SD2674×2

2SD2675×2

2SA20182SC2412K

2SA20182SC5585

2SB16902SD2653

2SB16952SD2657

2SB17052SD2670

2SB17062SD2671

－500

－1.5（A）

－1（A）

500

400

1.5（A）

1（A）

－500150

－500500

－2（A）2（A）

－1.5（A）1.5（A）

－3（A）3（A）

－2（A）2（A）

DC-DC

コンバータ

－12

－12

－30

12

30

12

30

－1250

－1212

－1212

－3030

－1212

－3030

－1230

－1220

－3020

1230

1220

3020

－500200

500200

－1.5（A）700

－1（A）700

1.5（A）700

1（A）700

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680120～560

270～680270～680

270～680270～680

270～680270～680

270～680270～680

270～680270～680

270～680—

270～680—

270～680—

270～680—

270～680—

270～680—

UMT18N

－

－

UMX18N

－

－

－

－

－

－

－

－

－

UML4N

UML6N

—

—

—

—

IMT18

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

—

—

FML9

—

FML10

—

EMT18

－

－

EMX18

EMX28

－

－

EMZ7

EMZ8

－

－

－

－

EML4

EML6

－

－

－

－

—

—

QSL9

QSL11

QSL10

QSL12

－

US6T8

US6T9

－

－

US6X7

US6X8

－

－

－

－

－

－

—

—

US5L9

US5L11

US5L10

US5L12

DC-DC

コンバータ

PNP＋Di

NPN＋Di

パッケージ

構成構成

トランジスタ相当品

品　　　名用途

UMT5 / UMT6EMT5 / EMT6 SMT5 / SMT6 TSMT5 / TSMT6TUMT5 / TUMT6

VCEO（V） IC（mA） hFE

等価回路図（TOP View）

2SA2018RB521S-30

2SC5585RB521S-30

2SB1689RB461F

2SB1710RB461F

2SD2652RB461F

2SD2675RB461F

EMT5／EMT6／UMT5／UMT6／TUMT5／TUMT6／TSMT5／TSMT6パッケージは等価回路図の右上が1pin、 SMT5／SMT6パッケージは等価回路図の右下が1pin

複合タイプ（面実装タイプ）

80%低減80%低減

高速化2倍!



MPT3 高速スイッチングトランジスタオフスピードを約35%UP省エネに貢献

高速スイッチング


・高速スイッチング特長

・バッファ回路・モータドライブ回路・電源　　など

用途

オフスピードを約35％UPにより、スイッチン

グロスを低減、発熱量を抑制します。

概要セル構造の最適化により、スイッチングスピードをUP。スイッチングロスを低減、発熱量を抑えることができます。

1.2Ω

0.6Ω

DTC343T

DTC643TDTC943T

DTC943TUB

2SD2704K

極性品名

PNP

NPN

VCEO

(V)

−30

−50

−80

30

50

80

IC(A)

−2

−3

−5

−2

−3

−0.7

−1.5

−2.5

2

3

5

2

3

0.7

1.5

2.5

hFE

200～500

180～450

120～390

200～500

180～450

120～390

2SAR512P2SAR552P2SAR542P2SAR553P2SAR533P2SAR514P2SAR554P2SAR544P2SCR512P2SCR552P2SCR542P2SCR553P2SCR533P2SCR514P2SCR554P2SCR544P

800ns1200ns800ns

1200ns

従来よりオフスピードが高速に！

オフスピード約35％UP!

＜50V/3A品従来比＞

高速化2倍!




ミューティングトランジスタ高hFE・高VEBO

優れたミューティング特性

・高hFE・高VEBO

特長

・ホームオーディオ・カーオーディオ他・オーディオ機器のミューティング回路

用途

高hFEかつ高VEBO(VEBO=12Vおよび25V)の素子に新しく40V品を

ラインアップ、優れたミューティング特性を誇ります。小型面実装の

UMT3パッケージから端子挿入タイプのSPTパッケージまで幅広い

ラインアップを用意しているので、様々なオーディオ機器に対応できます。

概要

高hFEかつ高VEBOにより、オーディオ機器のミューティング回路に最適です。

シングルタイプ

Ron(Ω)

2SD2654

EMT3

2SD2351

UMT32SD2704K2SD2226K2SD2114K

SMT32SD2705S2SD2227S2SD2144S

SPT0.7

0.9

0.8

hFE

820 ～ 2700

820 ～ 2700

560 ～ 2700

300

150

500

IC(mA)パッケージ

25

12

12

VEBO(V)

20

50

20

VCEO(V)

複合タイプ

2SD2704K2SD26542SD2114K

EMX26

EMT6

IMX25

IMX9

SMT6 内部回路図内蔵トランジスタ IC(mA)

300150500

パッケージ

251212

VEBO(V)

205020

VCEO(V)

0.70.90.8

Ron(Ω)hFE

820 ～ 2700820 ～ 2700560 ～ 2700

抵抗内蔵タイプ

DTC623TDTC923T

DTC614T

Ron(Ω)Ic(mA)UMT3F

：パッケージ指定記号

40 20 400

12 20 600

12 20 600

パッケージ内部回路図

R1

VEBO(V) VCEO(V)

2.2

DTC643T 12 20 6004.7

DTC943T

UMT3

UUB

－

－

－

－

－

－

SMT3

K

SPT

S

0.4

0.6

0.9

0.550.640 20 400

10

R1(kΩ)

－

－

－

：開発中

：開発中

抵抗内蔵タイプ(複合品)

DTC614T

パッケージRon(Ω)

0.6

0.55

0.9

12 20

品名内部回路図内蔵トランジスタ

R1

R1

VEBO(V) VCEO(V)

US6H23

UMH33UMH32

IMH21IMH23

DTC643T

DTC923T

DTC943T

SMT6

－

TUMT6

－

－－

4.7

2.2

10

R1(kΩ)

600

12 20 600

40 20 4000.6－－ 40 20 400

0.55－

UMT6

－－

－ 12 20 600

IC(mA)

0.1

1

10

100

0.1 1 10 100

RO

N(Ω

)

1.21.2Ω

0.6Ω

Ron50%ダウン

1.2Ω

0.6Ω

DTC343TDTC343T

DTC643TDTC643TDTC943TDTC943T

DTC343T

DTC643TDTC943T

Vin(V)

10

100

1000

10000

1 10 100 1000Collector Current : IC (mA)

Re

vers

e D

C C

urr

en

t Ga

in :

RhF

E

1

DTC943TUB

VCE=3.0V

＜Ron比較＞

DTC943TUB

2SD2704K2SD2704K



バイポーラトランジスタ面実装タイプ


—

2SA1774

—

2SA2018

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SC4617

—

2SC5585

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SD2654

—

2SC4618

—

2SC4725

2SC4726

—

—

—

2SA1774EB

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SC4617EB

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SA2029

—

2SA2030

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SC5658

—

2SC5663

—

—

—

—

2SD2696

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SD2707

—

2SC5659

—

2SC5661

2SC5662

—

—

2SA2199

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SC6144

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

25（VEBO）

32（VCES）

　

VMN3(0608)

VMT3(1208)

EMT3F(1608)

EMT3(1608)

VCEO

（V）IC（A） hFE∗2∗1

Pc＝0.15W∗1

Pc＝0.15W∗1

Pc＝0.15W∗1

Pc＝0.15W

50

50

120

12

15

15

12

12

300

30

30

32

32

50

80

60

20

50

300

25

6

20

11

32

注）1.∗1は推奨ランド実装時。2.∗2のhFEについては仕様書等を確認ください。3.∗3の内部回路については仕様書等を確認ください。4.PNPタイプの「－」符号は省略しています。

パッケージ

項目用途

一般増幅

高速SW

ドライバ

Low

VCE（sat）

高耐圧

高周波

高hFE

・ミューティング

ダーリントン∗3

120～390

120～390

180～560

270～680

120～560

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

120～390

120～390

120～390

120～390

820～2700

820～2700

820～2700

56～120

5K～

5k～

120～270180～390

120～270120～390

82～180(fT＝300MHz)

82～180(fT＝1500MHz)

56～180(fT＝3200MHz)

180～560(fT＝800MHz)

0.1

0.15

0.05

0.5

0.5

1

1.5

2

0.4

1

1.5

0.5

0.8

0.5

0.5

0.5

0.3

0.5

0.15

0.1

0.05

0.05

0.05

0.05

0.3

0.3



PNP NPN PNP NPN PNP NPN

面実装タイプ

—

2SA1037AK

2SA1514K

2SA2119K

—

2SB1590K

—

2SB1690K

—

—

2SB1695K

2SA1036K

2SB1197K

—

2SB1198K

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SB852K

—

2SC2412K

2SC3906K

—

2SD1757K

2SD2444K

—

2SD2653K

—

—

2SD2657K

2SC2411K

2SD1781K

2SD1484K

2SD1782K

—

2SD2704K

2SD2114K

2SD2226K

2SC4061K

2SC2413K

2SC4713K

2SC3837K

2SC3838K

2SD2142K

2SD1383K

120～390

120～390

180～560

270～680

120～560

270～680

270～680

270～680

270～680

270～680

120～390

120～390

120～390

120～390

820～2700

820～2700

820～2700

56～120

82～180

180～560

82～180

56～180

5k～

5k～

25（VEBO）

32（VCES）

—

2SA1576A

2SA1579

—

—

—

2SB1689

—

—

2SB1694

—

2SA1577

—

—

—

2SA2088

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SC4081

2SC4102

—

—

—

2SD2652

—

—

2SD2656

—

2SC4097

—

2SD1949

—

2SC5876

—

—

2SD2351

—

2SC4098

2SC4774

2SC4082

2SC4083

—

—

—

2SA1576UB

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SC4081UB

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

(fT＝300MHz)

(fT＝800MHz)

(fT＝1500MHz)

(fT＝3200MHz)

注）1.∗1は推奨ランド実装時。2.∗2のhFEについては仕様書等を確認ください。3.∗3の内部回路については仕様書等を確認ください。4.PNPタイプの「－」符号は省略しています。

一般増幅

高速SW

ドライバ

Low

VCE（sat）

高耐圧

高周波

高hFE



0.1

0.15

0.05

0.5

0.5

1

1.5

2

0.4

1

0.5

50

50

120

12

15

15

12

12

30

30

30

0.5

0.8

0.5

0.5

0.5

0.3

0.5

0.15

32

32

50

80

60

20

50

0.1

0.05

0.05

0.05

0.05

0.3

0.3

300

25

6

20

11

30

パッケージ

　　項目用途

UMT3F(2012)

UMT3(2012)

SMT3(2916)

VCEO

（V）IC（A） hFE

∗2∗1

Pc＝0.2W∗1

Pc＝0.2W∗1

Pc＝0.2W

120～270/180～390

120～270/120～390



面実装タイプ


パッケージ

項目用途

VCEO

（V） hFE∗2

IC（A）

高速SW

ドライバ

Low

VCE（sat）

TUMT3(2017)

TUMT6(2017)

TSMT3(2916)

TSMT6(2916)

—US6T6US6T4

———

US6T7US6T5

———————

—US6X5US6X3

———

US6X6US6X4

———————

2SB17092SB16902SB17052SB1707

—2SB17102SB16952SB17062SB1708

—2SAR543R2SAR544R2SA20902SA20922SA2094

2SD26742SD26532SD26702SD2672

—2SD26752SD26572SD26712SD2673

—2SCR543R2SCR544R2SC58682SC58652SC5866

—QST6QST4

—QST2

—QST7QST5

—QST3

—————

—QSX5QSX3

—QSX1

—QSX6QSX4

—QSX2

—————

2SB17322SB1730

———

2SB17332SB1731

————————

2SD27022SD2700

———

2SD27032SD2701

————————

1.5234611.52353.52.50.512

270～680270～680270～680270～680270～680270～680270～680270～680270～680270～680180～450120～390

121212121230303030305080606060

120～270/120～390120～270/120～390120～270/120～390

Pc=0.4W Pc=0.4W Pc=0.5W Pc=0.5W∗1 ∗1 ∗1 ∗1

PNP NPN PNP NPN

パッケージ

項目用途

VCEO

（V） hFE∗2

IC（A）

MPT3(4525) CPT3

Pc=0.5W Pc=1W

——————

2SB1316

———

2SD2318—

2SD21432SD1980

—2SB1427

—————

2SD2537—

2SD2153—

2SD1834——

高hFE

820～1800390～820820～1800560～1800

2k～ 1k～10k1k～10k


12122020203030303030323250505050606080808080

16060

———

2SB14122SA1834

——————

2SB1182———

2SB1184—

2SA1952—

2SB1181——

2SB12752SA2072

———

2SD21182SC5001

——————

2SD1758———

2SD1760—

2SC5103—

2SD1733——

2SD19182SC5825

2SB1697 2SB1713 2SB1424

— —

2SB1698 2SB1714 2SAR512P2SAR552P2SAR542P

2SB1132 2SB1188 2SAR513P2SAR553P2SAR533P

— 2SB1561

— 2SAR514P2SB1260

2SAR554P2SAR544P

— 2SA2071

2SD2661 2SD2678 2SD2150

— —

2SD2662 2SD2679 2SCR512P2SCR552P2SCR542P

2SD1664 2SD1766

2SCR513P2SCR553P2SCR533P

— 2SD2391

— 2SCR514P2SD1898

2SCR554P2SCR544P

— 2SC5824 高速SW

ドライバ

LowVCE（sat）

1.2223122

2335

10 1.52235121233250.711.52.51.53

270～680270～680

120～390

270～680270～680200～500200～500200～500120～390120～390180～450180～450180～450120～390120～270120～270120～390120～390120～390120～390

120～270/120～390

120～390/180～560

180～560/120～390

82～180/120～270

注) 1.∗1は推奨ランド実装時。　 2.∗2のhFEについては仕様書等を確認ください。　 3.∗3の内部回路については仕様書等を確認ください。　 4.PNPタイプの「－」符号は省略しています。

∗1 ∗1

25202560

60±10100

60（VCES）

：開発中



端子挿入タイプ

PNP NPN PNP NPN

パッケージ

項目用途

VCEO

（V） hFE∗3

IC（A）

SPT ATV

Pc=0.3W Pc=1W

120

15

12

20

32

32

32

50

50

50

80

80

120

160

60

60

20

50

300

25

60±10

90±10

100

2SB1237

2SB1240

2SB1443

2SB1243

2SB1238

2SB1241

2SB1236

2SB1236A

2SA2093

2SA2073

2SD1858

2SD1862

2SD1864

2SD1859

2SD1863

2SD1857

2SD1857A

2SC5880

2SC5826

2SC4015

2SD1866

2SC5060

2SD1867

2SA1038S

2SA1585S

2SA854S

2SA1515S

2SC2389S

2SD1468S

2SD2687S

2SC4115S

2SC1741S

2SC1741AS

2SD1768S

2SD2705S

2SD2144S

2SD2227S

2SC3415S

2SC2058S

高速SW

一般増幅

ドライバ

LowVCE（sat）

高耐圧

高周波

高hFE


0.05

1

5

2

0.5

1

2

0.5

3

3

0.7

1

1.5

2

3

0.3

0.5

0.15

0.1

0.05

2

1

2


∗1

∗5 ∗5

∗5

∗5

∗2

注）1.∗1は推奨ランド実装時。　 2.∗2はコレクタ銅箔面積1cm2以上、厚み1.7mmのプリント基板実装時。　 3.∗3のhFEについては仕様書等を確認ください。　 4.∗4の内部回路については仕様書等を確認ください。　 5.∗5の品番についてはPc=0.4Wです。　 6.PNPタイプの「－」符号は省略しています。

120～270/120～390

180～560

120～390

350～680

120～390

120～390

120～390

120～390

120～390

120～270

120～390

120～390

120～390

120～390

100～200

820～2700

820～2700

820～2700

56～120

82～180

1k～10k

1k～2.5k

1k～10k

120～270/120～390

(fT＝300MHz)

25（VEBO）

1.5 / 2



複合バイポーラトランジスタ面実装タイプ

パッケージ

構　成構成


等価回路図（TOP View）品　　　名用　途項目

UMT5 / UMT6(2012) (2012)

VMT6(1209)

EMT5 / EMT6(1612) (1612)

SMT5 / SMT6(2916) (2916)

TUMT5 / TUMT6(2017) (2017)

TSMT5 / TSMT6(2916) (2916)

VCEO（V） IC （mA） hFE

PNP×2

プリアンプ

ドライバ



高周波

プリアンプ

プリアンプ

ドライバ

NPN×2

PNP

＋

NPN

増　幅

プリアンプ

インバータドライバ

DC-DC

コンバータ

2SA1037AK×22SA1036K×22SA2018×22SB1132×22SB1188×22SA2071×2

2SA2199×2

2SA1037AK×2

2SA1037AK×22SA1514K×22SB1709×22SB1710×2

2SA2199×22SC2412K×22SD2654×22SC5585×22SD2114K×22SD2704K×22SD2696×22SD1484K×22SD1664×22SD1766×22SC5824×2

2SC6114×2

2SC6114×2

2SC2412K×2

2SC2412K×22SC3906K×22SC4713K×22SC3837K×22SC3838K×22SD2674×22SD2675×2

2SA1037AK2SC2412K

2SA1036K2SC2411K

2SA20182SC5585

2SA20182SC2412K

－

－

2SA1037AK2SC2412K

2SA1037AK2SC2412K

2SB16902SD2653

2SB11322SD16642SB11882SD17662SA20712SC5824

2SB16952SD26572SB17052SD26702SB17062SD2671

2SA1037AK2SC2412K

－1（A）1（A）－2（A）

2（A）

－2（A）2（A）

－3（A）3（A）－2（A）

2（A）

－1.5（A）1.5（A）

－3（A）3（A）

－50－50－12－32－32－60－20－50

－50

－50－120－12－30－20－50

5050122020305032326020502050

50

50120

620111230

－5050

－5050

5050

－125020205050

6060

323232323232

1212

1212303012123030

－5050

－150 －500 －500 －1（A）－2（A）－3（A）－200 －100

－150

－150 －50 －1.5（A）－1（A）－200 －200

1501505005003004005001（A）2（A）3（A）200100200100

150

150 50 50 50 50

1.5（A）1（A）

500500500500

200200100100

150150

500150

－150 150

－150 150150150

120～120～390270～680120～390120～390120～270120～560120～560

120～560

120～560180～270～680270～680120～560120～560120～820～2700270～680560～2700820～2700270～680120～390120～390120～390120～390120～560120～560120～560120～560

120～560

120～560180～180～56056～18056～120270～680270～680

120～560

270～680

270～680120～560

120～390

120～390

120～270

120～560

270～680

270～680

270～680

270～680

120～560

120～560

180～390

120～

120～

EMT1

EMT18

EMT2

EMT3

EMX1EMX26EMX18

EMX28

EMX2

EMX3

EMX4EMX5

－－－－－－

VT6T1VT6T2

－－－－

VT6T11 VT6T12－－－－－－－－－－

VT6X1 VT6X2 VT6X11 VT6X12

－

－－－－－－－

－－－

－－－

VT6Z1

VT6Z2

－

－

－－

EMY1

EMZ1

EMZ7

－

－－－

EMZ2

EMZ8

－－

－

－

－－

UMY1N

UMZ1

－－

－－－

UMZ2N

－－

－

－

－－

FMY1A

FMY4A

IMZ1A

－IMZ4

－－－

IMZ2A

－－

－

－

－－

－－－

－－－

－－

－

－

－－

－－－

－－－

－－

QSZ1

QSZ2

QSZ3

QSZ4

－－－

MP6Z1

MP6Z2

MP6Z3

－－

－

－

－－

UMT1N

UMT18N

UMT2N

UMX1N

UMX18N

UMX2N

UMX3N

UMX21NUMX4NUMX5N

IMT1AIMT17IMT18

IMT2A

IMT3AIMT4

IMX1

IMX9IMX25

IMX17

IMX2

IMX3IMX8

IMX4IMX5

US6T8US6T9

US6X7US6X8

QST8QST9

QSX7QSX8

MPT6(4532)

MP6T1MP6T2MP6T3

MP6X1MP6X2MP6X3

VMT6／EMT5／EMT6／UMT5／UMT6／TUMT5／TUMT6／TSMT5／TSMT6／MPT6パッケージは等価回路図の右上が1pin、SMT5／SMT6パッケージは等価回路図の右下が1pin



面実装タイプ

パワー

マネジメント

DC-DC

コンバータ

PNP＋DTR

NPN＋DTR

NPN＋

N-ch MOS

PNP＋

N-ch MOS

PNP-DTR＋

N-ch MOS

PNP＋Di

PNP-DTR＋Di

NPN-DTR＋Di

NPN＋Di

NPN＋Di 電圧監視

パッケージ

構　成構成


品　　　名用　途項目

UMT5 / UMT6(2012) (2012)

EMT5 / EMT6(1612) (1612)

SMT5 / SMT6(2916) (2916)

TSMT5 / TSMT6(2916) (2916)

TUMT5 / TUMT6(2017) (2017)

VCEO（V） IC（mA） hFE

等価回路図（TOP View）

—

—

—

—

QSL9

QSL11

QSL10

QSL12

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

FML9

—

FML10

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

UMF5N

UML1N

UML4N

UML6N

—

—

—

—

—

UML2N

UMF6N

UMF28N

—

UMF8N

UMF9N

UMF32N

—

1230

1220

3020

5030

5080

1250

1230

－1250

－5080

－1230

－1220

－3020

－1230

－5050

－5030

－5030

－1230

－1.5（A）700

－1（A）700

1.5（A）700

1（A）700

－500100

－150100

－500200

500200

100100

150100

－500100

－150100

－100100

500100

500100

－100100

－500100

270～68068～

120～—

270～680—

270～680—

270～680—

270～680—

270～680—

270～680—

80～—

120～—

270～680—

180～39068～

68～—

270～68068～

270～680—

100～600—

140～—

EMF5

—

—

—

—

—

—

—

EML20

—

EMF6

—

EML17

EMF8

EMF9

EMF32

EMF33

—

—

—

US5L9

—

US5L10

US5L12

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2SA1774DAN202K

2SA2018RB521S-30

2SC5585RB521S-30

2SB1689RB461F

2SB1710RB461F

2SD2652RB461F

2SD2675RB461F

DTC123JRB521S-30

——UML23 50Vz6.8

150Iz5

120～270—EML22 —

2SC2412KVDZ6.8B

2SC4617DAN202K

DTA144ERB520G-30

2SC5585DTC144E

2SC55852SK3019

2SA2018DTC144E

2SA20182SK3019

2SA1774DTC124X

DTA143T2SK3019

DTB513Z2SK3019

EMT5／EMT6／UMT5／UMT6／TUMT5／TUMT6／TSMT5／TSMT6／MPT6パッケージは等価回路図の右上が1pin、SMT5／SMT6パッケージは等価回路図の右下が1pin



デジタルトランジスタ面実装タイプ

注）1. ∗1の内部回路については仕様書等を確認ください。　2. 品名においてVMN3、VMT3、EMT3F、EMT3、UMT3Fの末尾にAは付記されません。 3. PNPタイプの「一」符号は省略しています。

仕様タイプ

項目パッケージ

R1（kΩ）

R2（kΩ）

GI（hFE）

R1＝

R2分圧形

R1≠

R2リーク吸収形

100mA

200mA

100mA

500mA

500mA

200mA

1A

100mA

500mA

ミューティング用

100mA

500mA

1A

品　　名PNP NPN

VMT3(1208)

EMT3(1608)

UMT3(2012)

SMT3(2916)

MPT3(4525)

Pd＝150mW Pd＝200mW Pd＝500mW

DTA123EA

DTA143EA

DTA114EA

DTA124EA

DTA144EA

DTA115EA

DTB743EDTB543EDTB113EDTB123EDTB143EDTB114E

DTA113ZA

DTA123YA

DTA123JA

DTA143XA

DTA143ZA

DTA114WA

DTA114YA

DTA124XA

DTA144VA

DTA144WA

DTB713ZDTB723YDTB743XDTB743ZDTB513ZDTB523YDTB543XDTB543ZDTB113ZDTB123Y

DTA113TKA

DTA143TA

DTA114TA

DTA124TA

DTA144TA

DTA115TA

DTA125TA

DTB123TK

DTB143TK

DTB114TK

DTA114GA

DTA124GA

DTA144GA

DTA115GA

DTB114GK

DTC123EA

DTC143EA

DTC114EA

DTC124EA

DTC144EA

DTC115EA

DTD743EDTD543EDTD113EDTD123EDTD143EDTD114E

DTC113ZA

DTC123YA

DTC123JA

DTC143XA

DTC143ZA

DTC114WA

DTC114YA

DTC124XA

DTC144VA

DTC144WA

DTD713ZDTD723YDTD743XDTD743ZDTD513ZDTD523YDTD543XDTD543ZDTD113ZDTD123Y

DTDG23YP＊1

DTC123TKA

DTC143TA

DTC114TA

DTC124TA

DTC144TA

DTC115TA

DTC125TA

DTD123TDTD143TK

DTC614TDTC623TDTC643T

DTC114GA

DTC124GA

DTC144GA

DTC115GA

DTD114GK

DTDG14GP＊1

2.2

4.7

10　 22　 47　

100 　 4.7

4.7

1 2.2

4.7

10　 1

2.2

2.2

4.7

4.7

10　 10　 22　 47　 47　 1 2.2

4.7

4.7

1 2.2

4.7

4.7

1 2.2

2.2

1 2.2

4.7

10　 22　 47　

100　 200　

2.2

4.7

10　 10

2.2

4.7

　　　　　　

2.2

4.7

10　 22　 47　

100　 4.7

4.7

1 2.2

4.7

10　 10　 10　 47　 10　 47　 4.7

47　 47　 10　 22　 10　 10　 10　 47　 10　 10　 10　 47　 10　 10　 10　　　　　　　　　　　　　　　 10　 22　 47　

100　 10　 10　

DTAのみ

DTCのみE

DTCのみ

DTDのみDTBのみ

DTCのみU

UMT3F(2012)

K

P

Io（Ic）（mA）

50

50

50

50

50

50

30

12

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

30

30

30

30

12

12

12

12

50

50

60±10

50

50

50

50

50

50

50

50

40

40

40

20

20

20

50

50

50

50

—

60±10

Vcc（VCEO）（V）

100

100

50

30

30

20

200

500

500

500

500

500

100

100

100

100

100

100

70

50

100

30

200

200

200

200

500

500

500

500

500

500

1(A)100

100

100

100

100

100

100

100

500

500

500

600

600

600

100

100

100

100

500

1(A)

20～20～30～56～68～82～120～120～33～39～47～56～33～33～80～30～80～24～68～68～33～56～140～140～140～150～140～140～140～150～56～56～300～

100～600

100～600

100～600

100～600

100～600

100～600

100～600

100～600

100～600

100～600

100～600

820～2700

820～2700

820～2700

30～68～68～68～56～300～

M

EMT3F(1608)

EB

UB

VMN3(0608)

B

R1のみ入力抵抗形

R2のみ

ブリーダ抵抗形

：パッケージ指定記号

R1

R2

R1

R2



複合デジタルトランジスタ面実装タイプ

パッケージ

構成

等価回路図 (TOP View) 品　　名用途項目

EMT5 / 6(1612)

UMT5 / 6(2012)

SMT5 / 6(2916)

TUMT5 / 6(2017)

EMT5／EMT6／UMT5／UMT6／TUMT5／TUMT6／TSMT5／TSMT6／MPT6パッケージは等価回路図の右上が1pin、SMT5／SMT6パッケージは等価回路図の右下が1pin

TSMT6(2916)

UMA1N

UMA2N

UMA9N

UMA5N

UMA3N

UMA4N

UMB2N

UMB11N

UMB10N

UMB6N

UMB3N

UMG1N

UMG2N

UMG9N

UMG3N

UMG4N

UMG6N

UMH1N

UMH2N

UMH11N

UMH9N

UMH5N

UMH6N

UMH3N

UMH4N

—

—

—

UMD2N

UMD3N

UMD4N

UMD12N

UMD5N

UMD9N

UMD22N

—

UMD6N

—

—

—

—

UMH8N

UMH14N

—

—

EMA2

—

EMA5

EMA3

EMA4

EMB2

EMB11

EMB10

EMB6

EMB3

EMG1

EMG2

EMG9

EMG3

EMG4

EMG6

EMH1

EMH2

EMH11

EMH9

—

EMH6

EMH3

EMH4

EMH15

—

—

EMD2

EMD3

EMD4

EMD12

EMD5

EMD9

EMD22

EMD38

EMD6

EMD29

EMD30

—

—

—

—

—

FMA1A

FMA2A

FMA9A

FMA5A

FMA3A

FMA4A

IMB2A

IMB11A

IMB10A

—

IMB3A

FMG1A

FMG2A

FMG9A

FMG3A

FMG4A

FMG6A

IMH1A

IMH2A

IMH11A

IMH9A

IMH 5A

IMH6A

IMH3A

IMH4A

IMH15A

IMH21

IMH23

IMD2A

IMD3A

—

—

—

IMD9A

—

—

IMD6A

—

—

IMD10A

IMD16A

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

IMH8A

IMH14A

—

— ———

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

US6H23

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

QSH29

—

DTA124E×2

DTA144E×2

DTA114E×2

DTA123J×2

DTA143T×2

DTA114T×2

DTA144E×2

DTA114E×2

DTA123J×2

DTA144E×2

DTA143T×2

DTC124E×2

DTC144E×2

DTC114E×2

DTC143T×2

DTC114T×2

DTC144T×2

DTC124E×2

DTC144E×2

DTC114E×2

DTC114Y×2

DTC124E×2

DTC144E×2

DTC143T×2

DTC114T×2

DTC144T×2

DTC614T×2

DTC643T×2

DTC114T×2

DTC144T×2

DTDG14GP×2

DTDG14GP×2（500mA）

DTA124EDTC124E

DTA114EDTC114E

DTA114YDTC144E

DTA144EDTC144E

DTA143XDTC144E

DTA114YDTC114Y

DTA143ZDTC143Z

DTA113ZDTC114Y

DTA143TDTC143T

DTB513ZDTC114E

DTB713ZDTC114E

—DTC114T

—DTC115T

PNP×2

分圧型

リーク吸収型

入力抵抗型

分圧型

リーク吸収型

分圧型

入力抵抗型

分圧型

入力抵抗型

分圧型

リーク吸収型

分圧型

入力抵抗型

ドライバ

分圧型

リーク吸収型

入力抵抗型

パワーマネージメント

NPN×2

PNP＋NPN

構成トランジスタ相当品

MPT6(4532)

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

MP6H1



外形寸法図

注）1.パッケージ名の下の（　）は、JEITA No.また〈　〉はJEDEC No.です。　2.寸法の詳細は、仕様書等でご確認ください。

1.2 0.5

0.130.16

0.8 0.10.4 0.4

6 5 4

1 2 3

1.2

0.92

0.14

0.14



形名の構成

hFEランク

記号 hFE範囲

A 16～ 32

B 25～ 50

C 60～ 120

D 100～ 200

E 160～ 320

M 39～ 82

N 56～ 120

P 82～ 180

Q 120～ 270

R 180～ 390

S 270～ 560

E 390～ 820

U 560～ 1200

V 820～ 1800

W 1200～ 2700

パッケージ記号包装仕様方　　向基本発注単位（pcs）

VMN3 T2L エンボステープエンボステープ

エンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープ

送り穴側に電極1本 8,000

VMT3 T2L 送り穴側に電極1本エンボステープVMT6 T2R 送り穴側に1pin電極

8,000

8,000

EMT3F TL 送り穴側に電極1本 3,000

EMT3 TL 送り穴側に電極1本 3,000

EMT5 T2R 送り穴側に電極3本 8,000

EMT6 T2R 送り穴側に1pin電極 8,000

UMT3F TL 送り穴側に電極1本 3,000

UMT3 T106 送り穴側に電極1本 3,000

UMT5 TR 送り穴側に電極3本 3,000

UMT6TR 送り穴側に1pin電極 3,000

TN 無方向 3,000

WEMT6 T2R 送り穴側に1pin電極 8,000

TUMT3 TL 送り穴側に電極1本 3,000

TUMT5 TR 送り穴側に1pin電極 3,000

TUMT6 TR 送り穴側に1pin電極 3,000

SST3 T116 送り穴側に電極1本 3,000

SMT3 T146 送り穴側に電極1本 3,000

SMT5 T148 送り穴側に電極3本 3,000

SMT6T108 送り穴側と反対方向に1pin電極 3,000

T110 無方向 3,000

TSST8 TL 送り穴側に電極1本 3,000

TSMT3 TL 送り穴側に電極1本 3,000

TSMT5 TR 送り穴側に1pin電極 3,000



SOP8 TB 送り穴側に1pin電極 2,500

MPT3 T100 送り穴側に電極3本 1,000

MPT6 TR 送り穴側に1pin電極 1,000

CPT3 TL 送り穴側にフィン 2,500

TCPT3 TL 送り穴側に電極1本 2,500

LPT TL 送り穴側にフィン 1,000

SPT TP ラジアルテープラジアルテープ

つづら折りボックス 5,000

ATV TV2 つづら折りボックス 2,500

TO-220FN －バルクバルク

箱詰め 500

TO-220FM －箱詰め 50

バルクTO-3PF －チューブ詰め 360

0

例） 2 CS 2 4 1 2 K T 1 4 6 R

品名（基本形名）包装記号

例）

2.2

1.0

4.7

6.8DNPN

B

A

C

PNP

6

2

4

1

D

デジタルトランジスタDT 素子仕様

AT

極性

1

R1抵抗値の基本

5

7

Low VCE sat 12V

6 20V

Low VCE sat 30V

1 5

1 1

1 20

1 10

1 2RRX 1 2

R

1RT

G R2

J R1 2

2 1RW R1 2

5 1RV R1 2

R

R

R

1RY

Z R1

E 1R

2

2

2VMN3, VMT3, EMT3F, EMT3,UMT3Fを除く

2 4

R1抵抗値の乗数

E K

抵抗比率R1／R２

3

4

310

104

5 105

A

付記

パッケージ

T 1 64

包装記号

3 15V

1

2.2 10

注）1.④⑤をあわせてR1抵抗値を示します。

4.7 10

24

43

例

Ω 4.7kΩ

Ω 22kΩ

3

4

SMT3

MPT3P

K

UMT3

UMT3FUB

U

EMT3

EMT3FEB

E

VMN3B

VMT3M

（　　　　　　　　　　　）

バイポーラトランジスタの品名（基本形名）について

包装仕様

デジタルランジスタの品名（基本形名）について



MEMO



MEMO

Catalog No.52P6215J 10.2009 ROHM ©

本資料の記載内容は 2009年 10月 1日現在のものです。本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ずご請求のうえ、ご確認ください。本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。本資料に掲載されております製品は、「耐放射線設計」はなされておりません。ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、種々の要因で故障することもあり得ます。ローム製品が故障した際、その影響により人身事故、火災損害等が起こらないようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害を及ぼすおそれのある機器・装置・システム（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。上記特定用途に使用された場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。上記特定用途への使用を検討される際は、事前にローム営業窓口までご相談願います。本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品または技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。

R0079A

〈海外〉

詳しくは、下記までお電話にてお問い合わせください。ROHM Sales Offices

横　浜 (045)476-2290

東　京 (03)6280-0820

品　川 (03)5783-7305

西東京 (042)648-7821

仙　台 (022)295-3011

いわき (0246)25-4301

高　崎 (027)310-7111

松　本 (0263)34-8601

京　都 (075)365-1077

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神　戸 (078)327-8510

名古屋 (052)581-8521

広　島 (082)423-8153

松　山 (089)931-1205

福　岡 (092)483-3496

韓　国 +82-2-8182-700

大　連 +86-411-8230-8549

北　京 +86-10-8525-2483

上　海 +86-21-6279-2727

深 +86-755-8307-3008

香　港 +852-2-740-6262

台　湾 +886-2-2500-6956

シンガポール +65-6332-2322

フィリピン　+63-2-807-6872

タイ　　+66-2-254-4890

マレーシア +60-3-7958-8355

ドイツ　　 +49-2154-9210

フランス　 +33-1-5697-3060

イギリス　 +44-1-908-272400

サンディエゴ +1-858-625-3630

アトランタ +1-770-754-5972

ダラス +1-972-473-3748

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Bipolar Transistors Digital Transistors01 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ 世界トップクラスの生産量を誇るロームのトランジスタは時代のニーズ

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