材料物理科学専攻 細野 秀雄

１． 今年度の主な成果概要

1) 鉄系高温超電導物質の発見とその高温化、およびエピ膜の作成

LaFeAsO1-xFx が Tc=26K の超伝導転移を示すことを 2 月に JACS に報告した。この発見は、鉄は

超電導と も相性が悪いというこれまでの常識を覆した。ついで高圧下でTcが43Kまで上昇する

こと見出した（Nature）。この Tc は MgB2 のそれを凌ぎ、銅系酸化物を除くと 高の Tc となった。

また、デバイス応用でキーとなるエピタキシャル薄膜の作成に初めて成功した。

2) P チャネル酸化物 TFT の実現

ディスプレイのバックプレーンへの展開を目指して、酸化物半導体を活性層に用いた TFT の研

究が世界的に活況を呈しているが、これらは全て N 型半導体を用いたものである。当研究グルー

プを含め、すでに 10 種類以上の p 型酸化物半導体が報告されているものの、TFT として動作す

るものがこれまで皆無であり、この分野の大きな課題となっていた。今回、SnO 薄膜を活性層に用

いることで、電界効果移動度 1.4cm2(Vs)-１という実用的に十分の性能をもつ p－チャネル TFT を

実現した（Appl.Phys.Lett）。この成功は透明酸化物エレクトニクスの分野でマイルストーンと見做

される成果であり、E-MRS 大会で発表した大学院生はベストポスター賞を受賞した。

２． 論文掲載（レフェリー付）

1) C. J. Zhang, H. Oyanagi, Z. H. Sun, Y. Kamihara, and H. Hosono: Low-temperature lattice

structure anomaly in the LaFeAsO0.93F0.07 superconductor by x-ray absorption spectroscopy:

Evidence for a strong electron-phonon interaction; Phys. Rev. B, 78, 214513, (2008).

2) Kosuke Matsuzaki, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, and Hideo

Hosono: Epitaxial growth of high mobility Cu2O thin films and application to p-channel thin film

transistor; Appl. Phys. Lett., 93, 202107-1-3, (2008).

3) Hidenori Hiramatsu, Ikue Koizumi, Ki-Beom Kim, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro

Hirano, Noriaki Matsunami, and Hideo Hosono: Characterization of copper selenide thin film

hole-injection layers deposited at room temperature for use with p-type organic semiconductors; J.

Appl. Phys., 104, 113723, (2008).

4) Hironari OKADA, Yuki TAKAHASHI, Kazumi IGAWA, Kazunobu ARII, Hiroki TAKAHASHI,

Takumi WATANABE, Hiroshi YANAGI, Yoichi KAMIHARA, Toshio KAMIYA, Masahiro

HIRANO, Hideo HOSONO, Satoshi NAKANO, Takumi KIKEGAWA: Pressure effects on

superconducting and structural properties for nickel-based superconductors LaNiXO (X = P and

As); J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C, 77, 119-120, (2008).

5) Peter V. Sushko, Alexander L. Shluger, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Mechanism of phase

transitions and electronic density of states in LaFeAsO1−xFx and SmFeAsO1−xFx from ab initio

density functional calculations; PHYSICAL REVIEW B, 78, 172508, (2008)

6) Koichi Ichimura, Junya Ishioka, Toru Kurosawa, Katsuhiko Inagaki, Migaku Oda, Satoshi Tanda,

Hiroki Takahashi, Hironari Okada, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono:

Superconducting Gap and Pseudogap Structure in LaFeAsO1-xFx Probed by STM/STS; J. Phys.

Soc. Jpn. Suppl. C, 77, 151-152, (2008).

7) Yutaka Shinoda, Sung-Wng Kim, Fumihiro Wakai, and Hideo Hosono: Plasticity of

Fe-Oxypnictides Superconductor; J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C, 77, 125-126, (2008).

8) S. Kitao, Y. Kobayashi, S. Higashitaniguchi, M. Kurokuzu, M. Saito, Y. Kamihara, M. Hirano, T.

Mitsui, H. Hosono, and M. Seto: Spin Ordering in LaFeAsO and Its Suppression in F-Doped

Superconductors LaFeAsO1-xFx Probed by Mössbauer Spectroscopy; J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C,

77, 121-122, (2008).

9) Walid Malaeb, Teppei Yoshida, Takashi Kataoka, Atsushi Fujimori, Masato Kubota, Kanta Ono,

Hidetomo Usui, Kazuhiko Kuroki, Ryotaro Arita, Hideo Aoki, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano,

and Hideo Hosono: Photoemission Study of the Electronic Structure of LaFeAsO1-xFx and

LaFePO1-xFx; J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C, 77, 69-71, (2008).

10) T. Sato, K. Nakayama, Y. Sekiba, T. Arakane, K. Terashima, S. Souma, T. Takahashi, Y. Kamihara,

M. Hirano, and H. Hosono: Doping Dependence of Pseudogap in LaFeAsO1-xFx; J. Phys. Soc. Jpn.

Suppl. C, 77, 65-68, (2008).

11) Yukiaki Ishida, Takahiro Shimojima, Kyoko Ishizaka, Takayuki Kiss, Mario Okawa, Tadashi

Togashi, Shuntaro Watanabe, Xiaoyang Wang, Chuangtian Chen, Yoichi Kamihara, Masahiro

Hirano, Hideo Hosono, and Shik Shin: Unusual Pseudogap Features Observed in Iron Oxypnictide

Superconductors; J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C, 77, 61-64, (2008).

12) Takatoshi Nomura, Sung Wng Kim, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Peter V. Sushko, Kenichi

Kato, Masaki Takata, Alexander L. Shluger, and Hideo Hosono: Tetragonal– Orthorhombic Phase

Transition and F-Doping Effects on the Crystal Structure in the Iron-Based High-Tc

Superconductor LaFeAsO; J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C, 77, 32-35, (2008).

13) Sung Wng Kim, Yoichi Kamihara, Seok-Gyu Yoon, Hyuk-Su Han, Takatoshi Nomura Satoru

Matsuishi, Koichi Nakao, Keiichi Tanabe, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono,Preparation of

Fe-Oxipnictides Superconductors: Solid-StateSintering, High Pressure Synthesis and Flux Method,

J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C, 77, 23-26, (2008).

14) Hideo Hosono: Layered Iron Pnictide Superconductors: Discovery and Current Status; J. Phys.

Soc. Jpn. Suppl. C, 77, 1-8, (2008).

15) Hiroki TAKAHASHI, Hironari OKADA, Kazumi IGAWA, Kazunobu ARII, Yoichi

KAMIHARA, Satoru MATSUISHI, Masahiro HIRANO, Hideo HOSONO, Kazuyuki

MATSUBAYASHI and Yoshiya UWATOKO: High-pressure Studies on Superconducting

iron-based LaFeAsO1-xFx , LaFePO and SrFe2As2; J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C, 77, 78-83, (2008).

16) Peter V. Sushko, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Properties of

LaFeAsO/MgO(001) interfaces from ab initio calculations; J. Phys. Soc. Jpn., 77 (Suppl. C),

113-116, (2008).

17) T.Nomura, S-WKim, Y. Kamihara, M. Hirano, P. V. Sushko,K.Kato, M. Takata, A L Shluger, and

H Hosono: Crystallographic phase transition and high-Tc superconductivity in LaFeAsO:F;

Supercond. Sci. Technol., 21, 125028, (2008).

18) Satoshi Higashitaniguchi, Makoto Seto, Shinji Kitao, Yasuhiro Kobayashi, Makina Saito, Ryo

Masuda, Takaya Mitsui, Yoshitaka Yoda, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono:

Iron-specific phonon density of states in the superconductors LaFeAsO1-xFx and La1-xCaxFePO;

Phys. Rev. B, 78, 174507, (2008).

19) Yoichi Kamihara, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano, Yasuhiro Kobayashi, Shinji Kitao,

Satoshi Higashitaniguchi, Yoshitaka Yoda, Makoto Seto, and Hideo Hosono: Coexistence of

superconductivity and antiferromagnetic ordering in the layered superconductor SmFePO; Phys.

Rev. B, 78, 184512, (2008).

20) Y. Kohama, Y. Kamihara, S. Riggs, F. F. Balakirev, T. Atake , M. Jaime, M. Hirano and H.

Hosono: Hall coefficient and Hc2 in underdoped LaFeAsO0.95F0.05,; Euro. Phys. Lett., 84,

37005, (2008).

21) Satoru MATSUISHI, Yasunori INOUE, Takatoshi NOMURA, Masahiro HIRANO, and Hideo

HOSONO: Cobalt-Substitution-Induced Superconductivity in a New Compound with

ZrCuSiAs-Type Structure, SrFeAsF; J. Phys. Soc. Jpn., 77, 113709, (2008).

22) Hironari OKADA, Kazumi IGAWA, Hiroki TAKAHASHI, Yoichi KAMIHARA, Masahiro

HIRANO, Hideo HOSONO, Kazuyuki MATSUBAYASHI, and Yoshiya UWATOKO:

Superconductivity under High Pressure in LaFeAsO; J. Phys. Soc. Jpn., 77, 113712, (2008).

23) Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hiromichi Ohta, Masahiro Hirano and Hideo Hosono: Defect

passivation and homogenization of amorphous oxide thin-film transistor by wet O2 annealing;

Appl. Phys. Lett., 93, 192107, (2008).

24) Toshio Kamiya and Masashi Kawasaki: ZnO-Based Semiconductors as Building Blocks for

Active Devices; MRS Bulletin, 33, 1061-1066, (2008).

25) Satoru Matsuishi, Yasunori Inoue, Takatoshi Nomura, Hiroshi Yanagi, Masahiro Hirano, and

Hideo Hosono: Superconductivity Induced by Co-Doping in Quaternary Fluoroarsenide CaFeAsF;

J. Am. Chem. Soc., 130, 14428-14429, (2008).

26) Yoichi Kamihara, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, and

Hideo Hosono: Electronic and magnetic properties of layered LnFePO (Ln=La and Ce); Journal of

Physics and Chemistry of Solids, 69, 2916-2918, (2008).

27) Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono:

Heteroepitaxial growth and optoelectronic properties of layered iron oxyarsenide, LaFeAsO; Appl.

Phys. Lett., 93, 162504, (2008).

28) Katsuro Hayashi, Naoto Ueda,Satoru Matsuishi, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, and Hideo

Hosono: Solid State Syntheses of 12SrO·7Al2O3 and Formation of High Density Oxygen Radical

Anions, O-and O2-; Chemstry of Materials, 20, 5987-5996, (2008).

29) Shinji KITAO, Yasuhiro KOBAYASHI, Satoshi HIGASHITANIGUCHI, Makina SAITO, Yoichi

KAMIHARA, Masahiro HIRANO, Takaya MITSUI, Hideo HOSONO, and Makoto SETO:Ｓｐｉｎ

Ｏｒｄｅｒｉｎｇ ｉｎ ＬａＦｅＡｓＯ ａｎｄ Ｉｔｓ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ ｉｎ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒ

LaFeAsO0.89F0.11 Probed by Mossbauer Spectroscopy; J. Phys. Soc. Jpn., 77, 103706, (2008).

30) Soshi TAKESHITA, Ryosuke KADONO, Masatoshi HIRAISHI, Masanori MIYAZAKI,Akihiro

KODA, Yoichi KAMIHARA, and Hideo HOSONO, Coexistence of Supercondcutivity and

Magnetismin LaFeAs(O0:94F0:06) Probed by Muon Spin Relaxation, Journal of the Physical

Society of Japan Vol. 77, No. 10, 103703-1-4（2008）

31) Koichi Kajihara、 Masahiro Hirano, Linards Skuja and Hideo Hosono: Intrinsic defect formation

in amorphous SiO2 by electronic excitation:Bond dissociation versus Frenkel mechanisms; Phys.

Rev. B, 78, 094201,(2008)

32) Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono:

Superconductivity in Epitaxial Thin Films of Co-Doped SrFe2As2 with Bilayered FeAs Structures

and their Magnetic Anisotropy; Appl. Phys. Express, 1, 101702, (2008).

33) Yoshimitsu Kohama, Yoichi Kamihara, Hitoshi Kawaji, Tooru Atake, Masahiro HIRANO, and

Hideo HOSONO: Possible Unconventional Superconductivity in Layered Compound LaFePO:

Study of Heat Capacity; J. Phys. Soc. Jpn., 77, 094715, (2008).

34) Walid Malaeb,Teppei Yoshida,Takashi Kataoak, Atsushi Fujimori, Masato Kubota, Kanta Ono,

Hidetomo Usui, Kazuhiko Kuroki,Ryotaro Arita, Hideo Aoki ,Yoichi Kamihara ,Masahiro Hirano,

and Hideo Hosono: Electronic Structure and Electron Correlation in LaFeAsO1-xFx and

LaFePO1-xFx; J. Phys. Soc. Jpn., 77, 093714, (2008).

35) Yusuke Nakai,Kenji Ishida, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano,and Hideo Hosono: Spin

Dynamics in Iron-Based Layered Superconductor (La0.87Ca0.13)FePO Revealed by 31P and

139La NMR Studies; Phys. Rev. Lett., 101, 077006, (2008).

36) S.W.Kim, M.Miyakawa, M.Hirano, Y.Kohama, H.Kawaji, T.Atake, H.Ikegami, K.Kono, and

H.Hosono: Superconducting Transition in Electron-doped 12CaO·7Al2O3; Mater. Trans., 49,

1748-1752, (2008).

37) Hiroshi Yanagi, Maiko Kikuchi, Ki-Beom Kim, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro

Hirano, Hideo Hosono: Low and small resistance hole-injection barrier for NPB realized by

wide-gap p-type degenerate semiconductor, LaCuOSe:Mg; Organic Electronics, 9, 890-894,

(2008).

38) Takumi Watanabe, Hiroshi Yanagi, Yoichi Kamihara, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo

Hosono: Nickel-based layered superconductor, LaNiOAs; J. Sol. State Chem., 181, 2117– 2120,

(2008).

39) Y. Nishio, K. Nomura, M. Miyakawa, K. Hayashi, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono:

Fabrication and transport properties of 12CaO·7Al2O3 (C12A7) electride nanowire; phys. stat.

solidi (a), 205, 2047-2051, (2008).

40) Youichi Ogo, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono:

Amorphous Sn-Ga-Zn-O channel thin-film transistors; phys. stat. solidi (a), 205, 1920-1924,

(2008).

41) K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, K. Shimizu, M. Hirano, H. Hosono: Relationship between

non-localized tail states and carrier transport in amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O;

phys. stat. solidi (a), 205, 1910-1914, (2008).

42) N. Itagaki, T. Iwasaki, H. Kumomi, T. Den, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono: Zn-In-O based

thin-film transistors: Compositional dependence; phys. stat. solidi (a), 205, 1915-1919, (2008).

43) Yoshimitsu Kohama ,Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano ,Hitoshi Kawaji, Tooru Atake, and

Hideo Hosono: Ferromagnetic spin fluctuation in LaFeAs O1-xFx；Phys. Rev. B, 78、020512（R）

（2008）

44) Yoichi Ogo, Hidenori Hiramatsu, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro

Hirano, and Hideo Hosono: p-channel thin-film transistor using p-type oxide semiconductor, SnO;

Appl. Phys. Lett., 93, 032113, (2008).

45) T. Kamiya, K. Tajima, K. Nomura, Hiroshi Yanagi, and H. Hosono: Interface electronic structures

of zin oxide and metals: First-principle study; physica status solidi (a), 205, 1929-1933, (2008).

46) Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Noriaki Matsunami,

Ken-ichi Shimizu, and Hideo Hosono: Electrical and optical properties of copper-based

chalcogenide thin films deposited by pulsed laser deposition at room temperature: Toward

p-channel thin film transistor fabricable at room temperature; physica status solidi (a), 205,

2007-2012, （2008）

47) Takafumi Sato, Seigo Souma, Kosuke Nakayama, Kensei Terashima, Katsuaki Sugawara, Takashi

Takahashi, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, and Hideo

Hosono,Superconducting Gap and Pseudogap in Iron-Based Layered Superconductor

La(O1-xFx)FeAs, J. Phys. Soc. Jpn. 77 (2008) 063708 .

48) Yusuke Nakai, Kenji Ishida, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono,

Evolution from Itinerant Antiferromagnet to Unconventional Superconductor with Fluorine

Doping in LaFeAs(O1-xFx) Revealed by 75As and 139La Nuclear

Magnetic Resonance. J. Phys. Soc. Jpn., 77 (2008) 073701.

49) Hiroshi Yanagi, Ryuto Kawamura, Toshio Kamiya, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Tetsuya

Nakamura, Hitoshi Osawa, and Hideo Hosono: Itinerant ferromagnetism in the layered crystals

LaCoOX (X = P,As); Physical Review B, 77, by 224431, (2008).

50) Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Yuji Saitoh, Eiji Ikenaga,

Keisuke Kobayashi, and Hideo Hosono: Electromagnetic properties and electronic structure of the

iron-based layered superconductor LaFePO; Phys. Rev. B, 77, 214515, (2008).

51) Takashi Mine, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, and Hideo

Hosono: Nickel-based phosphide superconductor with infinite-layer structure, BaNi2P2; Solid

State Communications, 147, 111-113, (2008).

52) Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Eiji Ikenaga, Ke Yang, Keisuke Kobayashi,

Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Subgap states in transparent amorphous oxide

semiconductor, In–Ga–Zn–O, observed by bulk sensitive x-ray photoelectron spectroscopy; Appl.

Phys. Lett. 92, 202117 (2008), (2008).

53) Yasuhiro Shimura, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo

Hosono: Specific contact resistances between amorphous oxide semiconductor In–Ga–Zn–O and

metallic electrodes; Thin Solid Films, 516, 5899-5902, (2008).

54) Takayoshi Katase, Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro

Hirano, Hideo Hosono: Fabrication of ScAlMgO4 epitaxial thin films using ScGaO3(ZnO)m buffer

layers and its application to lattice-matched buffer layer for ZnO epitaxial growth; Thin Solid

Films, 516, 5842-5846, (2008).

55) Kazuhisa Kurashige, Shunsuke Ueda, Masashi Miyakawa, Yoshitake Toda, Satoru Matsuishi,

Sungwng Kim, Masahiro Hirano, Hideo Hosono: Growth of 12CaO·7Al2O3 single crystal with

tetragonal symmetry by Czochralski method; Thin Solid Films, 516, 5772-5776, (2008).

56) Takashi Mine, Hiroshi Yanagi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono:

Control of carrier concentration and surface flattening of CuGaO2 epitaxial films for a p-channel

transparent transistor; Thin Solid Films, 516, 5790-5794, (2008).

57) Kentaro Kayanuma, Ryuto Kawamura, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Yanagi, Masahiro Hirano,

Toshio Kamiya, Hideo Hosono: Heteroepitaxial growth of layered semiconductors, LaZnOPn

(Pn=P and As); Thin Solid Films, 516, 5800-5804, (2008).

58) Satoru Matsuishi, Sung Wng Kim, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono:

Localized and Delocalized Electrons in Room-Temperature Stable Electride

[Ca24Al28O64]4+(O2-)2-x(e-)2x: Analysis of Optical Reflectance Spectra; J. Phys. Chem., C112,

4753-4760, (2008)

59) Kachirayil J. Saji, Madambi K. Jayaraj, Kenji Nomura, Toshio Kamiya and Hideo Hosono:

Optical and Carrier Transport Properties of Cosputtered Zn–In–Sn–O Films and Their

Applications to TFTs; J. Electrochem. Soc., 155, H390-H395, (2008).

60) Shoji Ishibashi, Kiuyoyuki Terakura and Hideo Hosono, A Possible Ground State and Its

Electronic Structure of a Mother Material (LaOFeAs) of New Superconductors;Journal of the

Physical Society of Japan,77,053709-1-4(2008).

61) Hiroki Takahashi, Kazumi Igawa, Kazunobu Arii, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Hideo

Hosono: Superconductivity at 43 K in an iron-based layered compound LaO1-xFxFeAs; Nature,

453, 376-379, (2008).

62) Hideo Hosono, Sung Wang Kim, Masashi Miyakawa, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya: Thin film

and bulk fabrication of room-temperature-stable electride C12A7:e- utilizing reduced amorphous

12CaO·7Al2O3 (C12A7); J. Non-Cryst. Sol., 354, 2772-2776, (2008).

63) Hideo Hosono, Kenji Nomura, Youichi Ogo, Tomoya Uruga and Toshio Kamiya: Factors

controlling electron transport properties in transparent amorphous oxide semiconductors; J.

Non-Cryst. Sol., 354, 2796-2800, (2008).

64) Madambi K. Jayaraj, Kachirayil J. Saji, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono:

Optical and electrical properties of amorphous zinc tin oxide thin films examined for thin film

transistor application; J. Vac. Sci. Technol. B, 26, 495, (2008).

65) Mutsumi Kimura, Takashi Nakanishi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono: Trap

densities in amorphous-InGaZnO4 thin-film transistors; Appl. Phys. Lett., 92, 133512, (2008).

66) Hsing-Hung Hsieh, Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono, and Chung-Chih Wu:

Modeling of amorphous InGaZnO4 thin film transistors and their subgap density of states; Appl.

Phys. Lett., 92, 133503, (2008).

67) Seok Gyu Yoon, Sung Wng Kim, Masahiro Hirano, Dae Ho Yoon, and Hideo Hosono: Pore-Free

12CaO·7Al2O3 Single-Crystal Growth by Melt State Control using the Floating Zone Method;

Cryst,Growth & Design, 8, 1271, (2008).

68) Yoshimitsu Kohama, Sung Wng Kim, Takeo Tojo, Hitoshi Kawaji, Tooru Atake, Satoru Matsuishi,

and Hideo Hosono: Evidence for Bardeen-Cooper-Schrieffer-type superconducting behavior in the

electride (CaO)12(Al2O3)7:e− from heat capacity measurements; Phys. Rev. B, 77, 092505, (2008).

69) Yoichi Kamihara, Takumi Watanabe, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Iron-Based Layered

Superconductor La[O1-xFx]FeAs (x = 0.05-0.12) with Tc ) 26 K; J. Am. Chem. Soc., 130,

3296-3297, (2008).

70) Hideya Kumomi,Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono,: Amorphous oxide channel

TFTs, ; Thin Solid Films, 516, 1516, (2008).

71) Peter V. Sushko, Alexander L. Shluger, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Insulator-conductor

transition in 12CaO7Al2O3 films: On the stability of the crystal lattice under Ar+ bombardment;

Thin Solid Films, 516, 1350, (2008).

72) Kazusige UEDA, Tsuyoshi MAEDA, Kensuke MAKAYASHIKI, Katsuhiko GOTO, Yutaka

NAKACHI, HiroshiTAKASHIMA, Kenji NOMURA, Koichi KAJIARA, and Hideo HOSONO:

Photoluminescence from Epitaxial Films of Perovskite-type Alkaline-earth Stannates; Applied

Physics Express, 1, 015003(2008)

73) Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Kazushige Ueda, Masahiro Hirano, and

Hideo Hosono: Crystal Structures, Optoelectronic Properties, and Electronic Structures of Layered

Oxychalcogenides MCuOCh (M = Bi, La; Ch = S, Se, Te): Effects of Electronic Configurations of

M3+ Ions; Chem. Mater., 20, 326, (2008).

74) Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Electronic structure of

oxygen deficient amorphous oxide semiconductr a-InGaZnO4-x: Optical analysis and

first-principle calculations; physica status solidi (c), 5, 3098-3100, (2008).

75) Koichi Kajihara, Taisuke Miura, Hayato Kamioka, Akira Aiba, Motomo Uramoto, Yukihiro

Morimoto, Masahiro Hirano, Linards Skuja, Hideo Hosono: Diffusion and reactions of interstitial

oxygen species in amorphous SiO2:A review; journal of Non-Crystalline Solids , 354, 224-232,

(2008).

３． 専門書等発行

1) 細野秀雄: 第８章 有機 EL 技術開発の 前線; 有機 EL の高輝度・高精細化を実現するため

の TFT 作成技術(技術情報協会), 235-250, (2008).

2) Hideo Hosono, David Ginley, Yuzo Shigesato and Toshio Kamiya:Transparent Conductive Oxide

Thin Films 2007; Thin Solid Films, 516, 5749-5927, (2008).

3) 細野秀雄: ナノ構造を利用しセメントを半導体、金属、そして超伝導体に変える; レアメタルの代

替材料とリサイクル (原田、中村監修), 156-171, (2008).

4) E.Fortunate, H.Hosono, C.Granqvist,J.Wager (edited), Advances in Transparent Electronics: From

materials to devices, Thin Solid Films,516,1313-1644,(2008)

5) H.Hosono, Y.matsuomoto, T.Akatsu, N.Matsushita: Proc.STAC-1 and JTMC; Materials Science &

Eng.B , 148, 1-277, (2008)

.

４． 国際・国内会議

基調講演 1) H.Hosono: Electro-active Functionality in Layered Oxy-compounds withZrSiCuAs-type

Structure (Plenary Lecture); 2nd International Symposium on Transparent Conductive Oxides

(IsTCO, Creta, Greece, Oct. 23, 2008), (2008).

2) H.Hosono: New Iron(Nickel)-based Superconductors with Layered Structure: Discovery and

Recent Advances (PLenart Talk); Beijine Internatioal Workshop on Fe(Ni)-based High

Temperature Superconductors (Oct. 17, 2008, Beijine, China), (2008).

3) H. Hosono: Transition metal oxypnicides as a platform of high Tc superconductors; The 25th

International Conference on Low Temperature Physics (Pleanry Talk) (Amsterdam, August 8,

2008), 77, 073701, (2008).

4) H. Hosono: RT stable Electride C12A7:e-: synthesis and device application; (Pleanary Talk) 5th

International Vacuum Electronics Conference, Queen Mary College (UK, August 5, 2008), 77,

073701, (2008).

5) Hideo Hosono: Transparent Oxide Semiconductors for Applications in Next Generation Displays;

7th International Conference on Coating on Glass and Plastics (Pleanary Talk, Eidohoven, The

Netherland, June 16), (2008).

6) Hideo Hosono: Iron Oxypnictaide superconductors: from the discovery to now; International

Symposium on Fe-oxypnicide Superconductors (Plenary Talk, Jun 28, Tokyo), (2008).

7) 細野秀雄: 鉄プニクタイド系高温超電導体：発見までの経緯と現状; （基調講演） 日本物理学

会秋季年会領域８シンポジウム (9 月 20 日, 盛岡), (2008).

8) 細野秀雄: 目から鱗が落ちる発見から困難を救う材料を創る：一研究者の理想; 日経テクノルネ

サンスジャパンオリエンテーション 基調講演 (6 月 14 日, 東京）, (2008).

9) 細野秀雄: 透明導電性酸化物:基礎と 先端; 日本写真学会 光機能性材料先端セミナー 基

調講演 (6 月 6 日, 中野）, (2008).

10) H.Hosono: Superconductors with Square Iron Lattice; Applied Superconductivity Conference

(Pleanary Talk) (2008, Chicago, April 20), (2008).

11) 細野秀雄: 無機材料の革新的光・電子機能発現への期待 (基調講演）; 日本化学会 (3 月 27

日), (2008)

招待講演

1) 平松 秀典, 神谷 利夫, 平野 正浩, 細野 秀雄: 鉄系超伝導体エピタキシャル薄膜の作製と

光電子物性; (社)日本磁気学会 第 31 回 化合物新磁性材料研究会（12 月 19 日，青山学院大

学青山キャンパス）, (2008). 2) Ryo Hayashi, Ayumu Sato, Masato Ofuji, Katsumi Abe, Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Hideya

Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Improved

Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs; SID2008, 42.1, (2008).

3) Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono: The Origins of High Mobility and Low Operation

Voltage of Amorphous Oxide Channel TFTs; The 21st Annual Meeting of The IEEE Lasers &

Electro-Optics Society (LEOS) (Newport Beach, USA, Nov. 9-13, 2008), MG 1, (2008).

4) 柳博，神原陽一，平松秀典，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: 層状混合アニオン結晶

LaTMXO における新機能探索：透明ホール注入電極から高温超伝導まで; セラミックス協会 第

21 回秋季シンポジウム（北九州, 2008 年 9 月 19 日), (2008).

5) 細野秀雄: 3 大建築素材から生まれた電子機能材料; 学振 133 委員会第 200 回記念公開シン

ポジウム (東京、12 月 12 日), (2008).

6) Masahiro Hirano, Hideo Hosono: Discovery and progress on the new high Tc superconducitors;

53th Annual Conf. Magnetism and Magnetic Materils (10th, Nov., 2008, Austin, USA), (2008).

7) Masahiro Hirano, Hideo Hosono: High Tc superconducitivity in LnTPnO; Int. Conf. Solild

Compounds of Transition Elements (30th, July, 2008, Dresden, Germany), (2008).

8) 蔵重和央，上田俊輔，宮川仁，戸田喜丈，松石聡，金聖雄，林克郎，平野正浩，細野秀雄: CZ

法による 12CaO・7Al2O3 単結晶の育成と評価; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演

会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 29p-A-3, (2008).

9) Y. Kamihara, H. Hiramatsu, M. Hirano, Y. Kobayashi, S. Kitao, S. Higashitaniguchi, Y. Yoda, M.

Seto, H. Hosono: Y. Kamihara, H. Hiramatsu, M. Hirano, Y. Kobayashi, S. Kitao, S.

Higashitaniguchi, Y. Yoda, M. Seto, H. Hosono, Coexistence of magnetic order and

superconductivity in a layered superconductor SmFePnO (Pn = P, As); IUMRS-ICA (Nagoya,

2008. Dec. 10), (2008).

10) 神原 陽一: 作って、測った、鉄の超伝導化合物 F-doped LaOFePn (Pn = P, As); 慶應義塾大

学 理工学部 物理情報工学特別講義(慶應義塾大学 矢上キャンパス, 2008 年 6 月 4 日),

(2008).

11) 神原 陽一: La(O, F)FePn (Pn = P,As)の電気的磁気的性質; 第 28 回化合物新磁性材料専門

研究会 (学習院大学, 2008 年 3 月 17 日), (2008).

12) Hideo Hosono: C12A7 electride: first s-band superconductor; Mater. Res. Soc. Fall meeting

(Boston, Dec, 1), (2008).

13) Hideo Hosono: TAOS and TAOS-TFTs: tail state and p-channel TFTs; Mater. Res. Soc. Fall

meeting (Boston, Dec, 2), (2008).

14) 神谷利夫: ナノ構造酸化物がもつ特異な電子構造と そのデバイス応用; －スピンが拓く物性科

学の 前線－ 6 特定領域の合同研究会 (東京大学本郷キャンパス武田ホール,

2008/11/29-12/1), (2008).

15) Hideo Hosono: Innovative Electro-Active Materials Derived from Three Major

Construction Ingradients; Global Samsung Tech. Conference 2008 (Seowan, Korea), (2008).

16) 細野秀雄: 新機能性酸化物材料の創成と応用展開; H20 年度 加藤記念賞受賞講演 (銀座,

11 月 7 日), (2008).

17) 細野秀雄: 材料ユビキタス元素協同戦略; 川崎 サイエンス＆テクノロジーフォーラム２００８

(KSP, 11 月 12 日), (2008).

18) 細野秀雄: ユビキタス元素を用いた高機能材料の実現; 第 11 回新化学・関西セミナー (大阪、

11 月 11 日), (2008).

19) Masahiro Hirano and Hideo Hosono: Iron-based Superconductors: an overview; ISC 2008

(Tsukuba, Oct. 27, 2008), (2008).

20) Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Heteroepitaxial film

growth and optoelectrical properties of FeAs-based layered superconductors; International

Workshop 'Physics and Chemistry of FeAs-based Superconductors' –1st German-Russian

workshop on Quantum Ground States–, Dresden, Germany, Oct. 27–29, 2008., (2008).

21) H.Hosono: Adventure in Material Exploration since the 1st Otto-Schott Research Award;

Memorial Symposium on 10th Anniversary International Otto-Schott Award (Mainz, Germany,

Nov. 4, 2008), (2008).

22) H.Hosono: Transparent Oxide Semiconductors: Material Design and Recent Advances (Plenary

Talk); International Workshop on Photovoltaics (PV 2006, Tucson, Arizona, Oct. 28, 2008),

(2008).

23) H.Hosono: Comparison of C12A7 electrides with F+-centers in Alkaline Earth Oxides; First

Korea-Japan PDP Workshop (Seoul, Korea, Oct. 19, 2008), (2008).

24) H.Hosono: New Iron(Nickel)-based Superconductors with Layered Structure: Discovery and

Recent Advances (PLenart Talk); Beijine Internatioal Workshop on Fe(Ni)-based High

Temperature Superconductors (Oct. 17, 2008, Beijine, China), (2008).

25) Hideo Hosono: Recently Discovered Continents of New Materials; STS Forum 2008 (Kyoto,

Oct.5), (2008).

26) 細野秀雄: 驚きのある材料探索：セメントから金属・鉄から高温超伝導; 東大物理教室コロキュウ

ム (１０月１０日), (2008).

27) 細野秀雄: 透明酸化物半導体と有機デバイス; 第５４回有機デバイス研究会 (名古屋, １０月３

日), (2008).

28) Hideo Hosono: Transparent Amorphous Oxide Semiconductors and Their TFT Applications;

(Plenary Talk) 2nd International Conference on Nanomatetials and Engineering (Dalian, China,

Sep. 25), (2008).

29) 細野秀雄: 透明導電体の研究から FeAs 系新超伝導体の発見に至る経緯と展望; ナノ物質量

子相の科学第 2 回研究会 (9 月 26 日, 国際高等研, 京都), (2008).

30) 神原陽一、細野秀雄: 鉄ニクタイド超伝導体の作製法(バルクと薄膜）; 応用物理学会 特別企

画 (9 月 5 日、中部大学), (2008).

31) 神谷利夫，細野秀雄: 酸化物の電子伝導とデバイス応用; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関

係連合講演会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 29p-ZF-4, (2008).

32) 細野秀雄，神谷利夫: 透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)：電子状態、キャリア輸送とフレキ

シブルトランジスタ（25 分）; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30,

日本大学, 東京), 28p-W-2, (2008).

33) H. Hosono and K. Kamiya: What is unique for transparent amorphous oxide

semiconductors(TAOS) ?; The 4th Intyernational TFT Conference (Seuol, Jan. 24-25), (2008).

34) Toshio Kamiya, Kenji Nomura, and Hideo Hosono: Electronic Structure, Doping, Defects, and

Carrier Transport in Amorphous Oxide Semiconductors: Recent Progress; Third International

Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA08,

Edmonton, Alberta, Canada, 20-25, July 2008), 15, 6-9, (2008).

35) 細野秀雄: 鉄系高温超電導体の発見; 第 28 回 武井セミナー (7 月 18 日, 草津), (2008).

36) Hideo Hosono: Insulator-Metal-Superconductor Transition in 12CaO7Al2O3; 2nd Iｎternational

Conference on Structure-Property Relationship in Solid State Materials (Nante, France, July 3),

(2008).

37) 細野秀雄: 遷移金属オキシニクタイド超電導の発見; JST シンポ「高温超伝導研究の新境地ー

新物質を徹底的に解明する」 特別講演 (6 月 8 日, 東京）, (2008).

38) 細野秀雄: ナノテクでセメント原料を有望な新素材に; 第 59 回日本溶接協会総会 特別講演

(6 月 11 日, 湯島）, (2008).

39) 細野秀雄: 超ワイドギャップ１２CaO7Al2O3 電子ドーピング; 茅コンファレンスー 終章ー (6 月 9

日, 秋葉原）, (2008).

40) 細野秀雄: セメント材料を金属に変身させる －true ナノの実践－; 高分子学会第２６回高分子

同友会総合講演会 (東京, ４月２３日), (2008).

41) 細野秀雄: 酸化物の特徴を活かした機能開拓とデバイス応用; 応用物理学会 第 128 回結晶工

学分科会研究会 (東京, ４月２３日), (2008).

42) 細野秀雄: 高温超電導体の新鉱脈：鉄系超電導物質の発見と現状; 民主党議員科学技術勉

強会 (東京, ４月１７日), (2008).

43) 細野秀雄: 鉄系高温超電導体:研究の経緯と意義; 学振１６６委員会 研究会 (東京, ４月１８

日), (2008).

44) Hideo Hosono: Built-in Nnaostructure and Electroactivre Functionality in Oxide; 4th International

Nanotechnology Conference on Communications and Cooperation (Tokyo, April 14. 2008),

(2008).

45) 細野秀雄: 希少元素でなく、ありふれた元素でものづくり; 公開シンポ「化学分野アカデミック・ロ

ードマップ」 日本化学会年会 第２分科会 (３月２９日、東京), (2008).

46) 細野秀雄: 材料ユビキタす元素戦略:ありふれた元素で新しい機能発現を目指す; 東京テクノフ

ォーラム２１ 第 109 回研究交流会 (東京、3 月 27 日), (2008).

47) 細野秀雄: セラミックスのイメージを一新するナノの威力; これからのリーディング産業はこれだ:

ファインセラミックス講演会 (名古屋、2 月 29 日), (2008).

48) 細野秀雄: 材料ユビキタス戦略; 第 117 回表面技術協会講演大会 (津田沼、3 月 14 日),

(2008).

49) 細野秀雄: 材料ユビキタス元素戦略とセラミックスの新しい可能性(Ubiquitous element strategy

for Innovative Ceramics); 日本セラミックス協会 2008 年年会 (新潟, 長岡技術科学大学, 2008

年 3 月 20 日-21 日) 特別講演, (2008).

50) 細野秀雄: セメントを超電導体に変える; 日本技術士会化学部会講演会 (東京, 1 月 24 日),

(2008).

51) 細野秀雄: C12A7 エレクトライド; 第一回アルミ陽極酸化膜を用いた次世代メモリー開発 全体

会議(NIMS 1 月 17 日), (2008).

52) 細野秀雄: 機能性透明酸化物; 第 22 回 JFCA テクノフェスタ (1 月 28 日、東京), (2008).

53) 神谷利夫、細野秀雄: 酸化物系透明電子材料の設計指針と 最近の進展; 日本学術振興会

「半導体界面制御」第 154 委員会(2008/1/25, アジュール竹芝,東京), (2008).

口頭発表（学会発表）

1) Ikue Koizumi, Ki-Beom Kim，Hiroshi Yanagi，Hidenori Hiramatsu，Toshio Kamiya，Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Cu2-xSe / NPB and Cu2-xSe / CuPc interfaces and lowering of hole injection barriers; STAC-STSI (May 30- June 1, 2008, Chiba, Japan), (2008).

2) Yutaka Adachi, Sung-Wng Kim, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono: Bistable resistance

switching in single crystal C12A7:O2-; STAC-STSI (May 30- June 1, 2008, Chiba, Japan), 42.1,

(2008). 3) Hsing-Hung Hsieh, Toshio Kamiya, Kenji Nomura, and Hideo Hosono, Chung-Chih Wu:

Modeling of Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors and Subgap Density of

States; SID2008, P-29, (2008). 4) Toshio Kamiya, Yoichi Kamihara, Hiroshi Yanagi, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono:

Electromagnetic properties and electronic structures of new superconductor family, LaTMOPn

(TM=transition metal, Pn=pnicogen); STAC-STSI (May 30- June 1, 2008, Chiba, Japan), (2008). 5) Katsuro Hayashi, Naoto Ueda, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, and Hideo

Hosono: Formation of Oxygen Radical Anions and Catalytic 7Al2O3;⋅Effects on Carbon

Combustion in 12SrO STAC-STSI (May 30- June 1, 2008, Chiba, Japan), (2008). 6) Katsuro Hayashi, Daiki Muramatsu, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, and

Hideo Hosono: Humidity-Sensitive Electrical Conductivity in xSixO32Cl2+x (0−Chlorine-Doped

Mayenite Derivatives Ca12Al14 <= x <= 3.4); STAC-STSI (May 30- June 1, 2008, Chiba, Japan),

(2008). 7) Yoshitake Toda, Yousuke Kubota, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hiroyuki

Hirayama and Hideo Hosono: Surface modification and STM study of inorganic electride

C12A7e-; STAC-STSI (May 30- June 1, 2008, Chiba, Japan), (2008). 8) K. Abe, Ｍ. Ofuji, H. Shimizu, K. Takahashi, N. Kaji, A. Sato, Y. Tateishi, H. Yabuta, R. Hayashi,

M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Fundamental analysis

on the on-operation of an amorphous In-Ga-Zn-O based gated four-probe TFT; ITC 2008, (2008). 9) Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Eiji Ikenaga, Ke yang, Keisuke Kobayashi,

Masahiro Hirano, Hideo Hosono: Carrier transport and subgap states in highly-doped

a-In-Ga-Zn-O films; 2nd International Symposium on Transparent Conductive Oxides

(IsTCO2008) (22 - 26 October, 2008, Hersonissos, Crete, Greece), (2008). 10) Ayumu Sato, Ryo Hayashi, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano,

and Hideo Hosono: Amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor with bottom-gate coplanar

structure; 2nd International Symposium on Transparent Conductive Oxides (IsTCO2008) (22 - 26

October, 2008, Hersonissos, Crete, Greece), (2008). 11) Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Percolation conduction

theory for crystalline and amorphous InGaZnO4; 2nd International Symposium on Transparent

Conductive Oxides (IsTCO2008) (22 - 26 October, 2008, Hersonissos, Crete, Greece), (2008). 12) Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Toshifumi Kuroda, Ki-Beom Kim, Yoshitake Toda, Masashi

Miyakawa, Masahiro Hirano, Hideo Hosono: Electron injection to various organic semiconductors

from low work function electrode, C12A7:e-; The IUMRS Int. Conf. in Asia (IUMRS-ICA2008)

(Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, Dec. 9-13, 2008), (2008). 13) Toshio Kamiya, Yutaka Adachi, Sung-Wng Kim, and Hideo Hosono: Controlled formation of thin

oxidized layers on inorganic electride C12A7:e- and its electrical characteristics; The IUMRS Int.

Conf. in Asia (IUMRS-ICA2008) (Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, Dec. 9-13, 2008),

(2008). 14) Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Eiji Ikenaga, Ke Yang, Keisuke Kobayashi,

Masahiro Hiranoa,e & Hideo Hosono: Existense of subgap states near valence band maximum and

relationship with carrier transport propertie; The IEEE Nanotechnology Materials and Devices

Conference 2008 (NMDC2008) (Kyoto Univ., Kyoto, Japan, Oct. 20-22, 2008), (2008). 15) Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono: Theory of Electron

Transport in Disordered Oxides: Percolation Model; The IEEE Nanotechnology Materials and

Devices Conference 2008 (NMDC2008) (Kyoto Univ., Kyoto, Japan, Oct. 20-22, 2008), (2008). 16) Yoichi Ogo, Hidenori Hiramatsu, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro

Hirano, Hideo Hosono: Tin monooxide as a 5s based p-type oxide semiconductor: Epitaxial film

growth and thin film transistor; E-MRS Fall Meeting (Symposium B, September 15th, 2008,

Warsaw University of Technology, Poland), B02, (2008). 17) Takayoshi Katase, Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro

Hirano and Hideo Hosono: Low-Temperature, Large-Domain Growth of ZnO and GaN Epitaxial

Films on Lattice-Matched Buffer Layers; 2008 Euro Mater. Res. Soc. Fall Meeting (September

17-21, 2008, Warsawa, Poland), (2008). 18) Takayoshi Katase, Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro

Hirano and Hideo Hosono: Low-Temperature, Large-Domain Growth of ZnO and GaN Epitaxial

Films on Lattice-Matched Buffer Layers; STAC-STSI (May 30- June 1, 2008, Chiba, Japan),

(2008). 19) H. Yanagi, I. Koizumi, K. Kim, H. Hiramatsu, M. Miyakawa, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono:

High-efficient Electrodes, CuxSe and C12A7:e-, for Inverted OLEDs; IUMRS-ICA 2008 (Nagoya,

Japan, Dec 11, 2008), (2008). 20) Takatoshi Nomura, SungWng Kim, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Peter V Sushko, Kenichi

Kato, Masaki Takata, Alexander L Shluger and Hideo Hosono: Phase Transition and Electron

Density Distribution in High-Tc Superconductor LaFeAsO1-xFx; Mater. Res. Soc. (Dec. 1-5, 2008,

Hynes Convention Center, Boston, USA), (2008). 21) Hiroshi Yanagi, Ikue Koizumi, Ki-Beom Kim, Hidenori Hiramatsu, Masashi Miyakawa, Toshio

Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono: Low-voltage operation of inverted OLED using

low-injection barrier electrodes, CuxSe and C12A7:e-; 2008 MRS Fall Meeting (Boston, USA,

Dec 3, 2008), (2008). 22) Hiroshi Yanagi, Toshifumi Kuroda, Ki-Beom Kim, Yoshitake Toda, Masashi Miyakawa, Toshio

Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono: Electronic structures of a low work function oxide

C12A7:e- / organic semiconductors interfaces studied by photoelectron spectroscopy; 2008 MRS

Fall Meeting (Boston, USA, Dec 4, 2008), (2008). 23) Kosuke Matsuzaki, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, and Hideo

Hosono: High mobility Cu2O epitaxial films and the application to p-channel thin film transistor;

European Mater. Res. Soc. Symp. Fall Meeting (E-MRS2008, Warsaw, Poland, Sep 15-19, 2008),

(2008). 24) Takatoshi Nomura, SungWng Kim, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Peter V Sushko, Kenichi

Kato, Masaki Takata, Alexander L Shluger and Hideo Hosono: Tetragonal-orthorhombic phase

transition and the superconductivity in LaFeAsO; International Symposium on Fe-Oxipnictide

Superconductors (Jun. 28-29, 2008, Venue Kokuyo Hall, Sinagawa, Tokyo, Japan), (2008). 25) Y. Kamihara, T. Watanabe, T. Nomura, S. W. Kim, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono:

Iron-based high Tc Superconductor: F-doped LaOFeAs; 25th International Conference on Low

Temperature Physics (2008 Aug. 7,8), (2008). 26) 神谷利夫: 酸化物半導体の欠陥、キャリア輸送とキャリア注入; "酸化物エピタキシーの表面界

面制御と機能開発" 研究会 (2008/1/28-29, すずかけ台, 横浜), (2008). 27) 神谷 利夫: 酸化物半導体のバンドラインナップとデバイス応用; 平成 20 年度 東北大学金属

材料研究所ワークショップ 「 酸化物ナノ構造の基礎と応用－化学と物理の融合 」

(2008/11/17,18, 東北大学金属材料研究所 2 号館 1 階講堂), (2008). 28) 小郷洋一，平松秀典，野村研二，柳博，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: 5s 軌道基 p 型酸化物

半導体 SnO のエピタキシャル成長と p 型薄膜トランジスタ; 第 69 回応用物理学会学術講演会

(2008 年 9 月 2 日, 中部大学, 名古屋), 2p-J-4, (2008). 29) 片瀬貴義、野村研二、太田裕道、柳博、神谷利夫、平野正浩、細野秀雄: R-SPE 法による

ScAlMgO4単結晶薄膜の作製とZnO格子整合バッファ層への応用; 応用物理学会 (日本大学,

2008 年 3 月 23 日), (2008). 30) 神原 陽一, 平松 秀典, 平野 正浩, 小林 康浩, 北尾 真司, 東谷口 聡, 依田 芳卓, 瀬戸

誠, 細野 秀雄: 層状超伝導体 SmFePO の磁性; 日本物理学会 秋季大会 (2008 年 9 月 20 日),

(2008). 31) 梶原浩一，平野正浩，Linards Skuja，細野秀雄: 60Coγ 線によって高密度電子励起したアモルフ

ァス SiO2 での真性欠陥過程; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30,

日本大学, 東京), 28a-ZN-4, (2008). 32) 片瀬貴義，野村研二，太田裕道，柳博，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: R-SPE 法による

ScAlMgO4 単結晶薄膜の作製と ZnO 格子整合バッファ層への応用; 2008 年春季 第 55 回応用

物理学関係連合講演会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 30p-V-4, (2008). 33) 河村賢一，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: テラヘルツ波によるアモルファス酸化物半導体に

おける光励起キャリアダイナミクスの直接観察; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演

会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 30a-V-11, (2008). 34) 薮田久人，高田一広，島田幹夫，加地信幸，林享，雲見日出也，広沢一郎，野村研二，神谷利

夫，平野正浩，細野秀雄: アニールにより伝導制御されたアモルファス In-Ga-Zn-O 膜の電気伝

導と構造; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京),

30a-V-10, (2008). 35) 神谷利夫，野村研二，細野秀雄: 乱雑構造をもつ酸化物半導体 InGaZnO4 のキャリア輸送機

構; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京),

30a-V-9, (2008). 36) 清水耕作，野村研二，平野正浩，神谷利夫，細野秀雄: CPM 法によるアモルファス酸化物半導

体 In-Ga-Zn-Oの裾状態評価; 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30,

日本大学, 東京), 30a-V-8, (2008). 37) 神谷利夫，謝信弘，野村研二，細野秀雄，Chung-Chih Wu: TFT シミュレーションによるアモルフ

ァス酸化物 TFT のギャップ内準位解析: a-InGaZnO4 TFT; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関

係連合講演会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 30a-V-7, (2008). 38) 中西孝，木村睦，野村研二，神谷利夫，細野秀雄: アモルファス In-Ga-Zn-O 薄膜トランジスタ

の電気特性解析とトラップ密度の抽出; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会

（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 30a-V-6, (2008). 39) 野村研二，神谷利夫，柳博，池永英司，楊科，小林啓介，平野正浩，細野秀雄: 硬 X 線光電子

分光による透明アモルファス酸化物半導体 a-In-Ga-Zn-O のギャップ内電子構造の解析; 2008 年

春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 30a-V-5, (2008). 40) 梶原浩一，三浦泰祐，上岡隼人，平野正浩，Linards Skuja，細野秀雄: アモルファス SiO2 中の

格子間酸素分子の発光における同位体効果; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演

会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 30a-H-11, (2008). 41) 金起範，小泉郁恵，柳博柳博，平松秀典，宮川仁，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: C12A7:e-

陰極と Cu2-xSe 陽極バッファ層を用いた逆構造トップエミッション型有機 EL 素子; 2008 年春季

第 55 回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 28a-D-9, (2008). 42) 小泉郁恵，金起範，柳博，平松秀典，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: 高仕事関数 p 型縮退半

導体 Cu2-xSe と CuPc 界面の光電子分光法による電子構造解析; 2008 年春季 第 55 回応用物

理学関係連合講演会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 28a-D-8, (2008). 43) 柳博，峰 崇志，神谷利夫，神原陽一，平野正浩，細野秀雄: ThCr2Si2 型 Ni 系超伝導体

BaNi2P2 の電気・磁気特性; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30,

日本大学, 東京), 27a-NC-10, (2008). 44) 戸田喜丈，松石聡，神谷利夫，平野正浩，平山博之，細野秀雄: 低仕事関数と化学的安定性

を両立するエレクトライド C12A7:e-の表面改質; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演

会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 29a-Y-7, (2008). 45) 松崎功佑，野村研二，柳博，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: 高移動度 p 型酸化物半導体

Cu2O 薄膜の作製と電界効果; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30,

日本大学, 東京), 29p-L-8, (2008). 46) 栗田大佑，太田裕道，旭良司，増岡優美，野村研二，細野秀雄，河本邦仁: 電界誘起 SrTiO3

二次元電子ガスの Seebeck 係数 ; 2008 年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会

（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 29p-L-5, (2008). 47) 宮川 仁，神谷 利夫，平野 正浩，細野 秀雄: 12SrO·7Al2O3 薄膜作製と電子ドーピング; 2008

年春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会（2008/3/27-30, 日本大学, 東京), 28a-W-5,

(2008). 48) 柳博，黒田寿文，金起範，宮川仁，戸田喜丈，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: 表面改質した

低仕事関数酸化物 C12A7:e-と有機半導体界面における低電子注入障壁の形成; 2008 年秋季

第 69 回応用物理学会学術講演会（中部大学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 3p-P10-6,

(2008). 49) 清水耕作，野村研二，平野正浩，神谷利夫，細野秀雄: CPM 法によるアモルファス酸化物半導

体 In-Ga-Zn-O 薄膜の裾状態評価(2); 2008 年秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会（中部大

学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 4p-N-8, (2008). 50) 梶原浩一，平野正浩，Linards Skuja，細野秀雄: フッ素濃度の異なるアモルファス SiO2 での

60Co γ線照射による真性欠陥過程; 2008 年秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会（中部大学,

名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 4p-ZD-9, (2008).

51) 野村尚利，金 聖雄，神原陽一，平野正浩，Sushko Peter V.，加藤健一，高田昌樹，Shluger

Alexander L.，細野秀雄: 新規層状超伝導化合物 LaFeAsO の正方晶‐斜方晶構造相転移;

2008 年秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会（中部大学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5

日), 4p-G-1, (2008). 52) 戸田喜丈，神谷利夫，平野正浩，平山博之，細野秀雄: 原子分解能 STM によるエレクトライド

C12A7:e-の表面構造と担持金ナノクラスターの観察; 2008 年秋季 第 69 回応用物理学会学術

講演会（中部大学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 2p-P5-2, (2008). 53) 金辰也，阪口博之，林克郎，平野正浩，細野秀雄: C12A7:H-および C12A7:e-のヒドロキシルラ

ジカル消去能; 2008 年秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会（中部大学, 名古屋, 2008 年 9

月 2 日～9 月 5 日), 2p-P5-1, (2008). 54) 野村研二，神谷利夫，太田裕道，平野正浩，細野秀雄 : 湿潤酸素アニール処理による

a-In-Ga-Zn-O TFT の欠陥低減と安定化; 2008 年秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会（中部

大学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 5p-J-5, (2008). 55) 加地信幸，高橋健治，安部勝美，林享，雲見日出也，野村研二，神谷利夫，平野正浩，細野秀

雄: バックチャネルエッチ型アモルファス In-Ga-Zn-O TFT の特性; 2008 年秋季 第 69 回応用物

理学会学術講演会（中部大学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 5p-J-3, (2008). 56) 杉浦健二，太田裕道，石田行章，黄栄，幾原雄一，野村研二，細野秀雄，河本邦仁: 層状コバ

ルト酸化物 Ca0.33CoO2 における Ca 配列に誘起された金属-絶縁体転移; 2008 年秋季 第 69

回応用物理学会学術講演会（中部大学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 4p-J-10, (2008). 57) 須崎友文，熊田翔，片瀬貴義，松崎功佑，宮川仁，細野秀雄 : 静電不安定性を持つ

MgO(111) 薄膜の作製と評価; 2008 年秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会（中部大学, 名

古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 4p-J-7, (2008). 58) 吉川 陽，栗田大祐，太田裕道，旭良司，増岡優美，野村研二，細野秀雄，河本邦仁: 電界誘

起 SrTiO3 二次元電子ガスの Seebeck 係数(2); 2008 年秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会

（中部大学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 2p-J-14, (2008). 59) 小郷洋一，平松秀典，野村研二，柳博，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: 5s 軌道基 p 型酸化物

半導体 SnO のエピタキシャル成長と p 型薄膜トランジスタ; 2008 年秋季 第 69 回応用物理学会

学術講演会（中部大学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 2p-J-4, (2008). 60) 松崎功佑，野村研二，柳博，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄: p 型酸化物半導体Cu2Oエピタキ

シャル薄膜のキャリア輸送特性に与える熱処理の影響; 2008 年秋季 第 69 回応用物理学会学

術講演会（中部大学, 名古屋, 2008 年 9 月 2 日～9 月 5 日), 2p-J-3, (2008). 61) 松石聡、山本悠史、神谷利夫、平野正浩、細野秀雄: Tb ドープ Y,Cl 置換 C12A7 誘導体におけ

る残光性制御; 日本セラミックス協会 2008 年年会 (新潟, 長岡技術科学大学, 2008 年 3 月 20

日-21 日), (2008). 62) 西尾幸真、野村研二、宮川仁、柳 博、林克郎、神谷利夫、平野正浩、細野秀雄: 電子ドープ

12CaO‧7Al2O3(C12A7:e-)ナノワイヤの電気伝導特性制御; 日本セラミックス協会 2008 年年会

(新潟, 長岡技術科学大学, 2008 年 3 月 20 日-21 日), (2008). 63) 仲地優、清水雄平、植田和茂、平松秀典、平野正浩、細野秀雄: flux 法による層状構造

LaCuOCh(ch=S,Se)の単結晶合成; 日本セラミックス協会 2008 年年会 (新潟, 長岡技術科学大

学, 2008 年 3 月 20 日-21 日), (2008). 64) 安川雅啓、河野敏夫、植田和茂、柳 博、細野秀雄: La をドープした Ba1-ｘSrxSnO3 セラミックス

の熱電特性; 日本セラミックス協会 2008 年年会 (新潟, 長岡技術科学大学, 2008 年 3 月 20 日

-21 日), (2008).

65) 野村尚利、林克郎、神谷利夫、平野正浩、細野秀雄、久保田佳基、高田昌樹: O2－および OH

－イオンを包接した 12CaO‧７Al2O3 結晶の異なるケージ構造変化と包接陰イオン分布; 日本セ

ラミックス協会 2008 年年会 (新潟, 長岡技術科学大学, 2008 年 3 月 20 日-21 日), (2008). 66) 梶原浩一、平野正浩、Linards Skuja、細野秀雄: シリカガラス中の SiCl および SiG 基の格子間

O2 及び H2O との反応性; 日本セラミックス協会 2008 年年会 (新潟, 長岡技術科学大学, 2008

年 3 月 20 日-21 日), (2008). 67) 小出俊介,松石聡,神谷利夫,平野正浩,細野秀雄: SrO·2B2O3 結晶と同ガラス中 Eu イオンの安定

原子価の違いはなぜ生じるか; 第 46 回セラミックス基礎討論会(名古屋、1 月 10-11 日), (2008). 68) 梶原浩一、松石聡、林克郎,平野正浩、細野秀雄: 18O 同位体置換と顕微ラマン分光法による包

接化合物 12CaO·7Al2O3 の赤外格子振動と酸素拡散の評価; 第 46 回セラミックス基礎討論会

(名古屋、1 月 10-11 日), (2008). 69) 松石 聡,金 聖雄,神谷利夫,平野正浩,細野秀雄: 電子包接 C12A7 結晶の金属－絶縁体転移

－反射スペクトル測定による電子状態の解析－; 第 46 回セラミックス基礎討論会(名古屋、1 月

10-11 日), (2008). 70) 細野秀雄、Haritha Buchammagari, 戸田善丈、平野正浩,竹内大介、小坂田耕太郎: C12A7 エ

レクトライドの合成有機試薬としての応用:水中でのピナコール反応,; 第 46 回セラミックス基礎討

論会(名古屋、1 月 10-11 日), (2008). 71) 山本悠史,松石 聡,神谷利夫,細野秀雄: 希土類ドープ C12A7 誘導体の残光性を支配する要

因; 第 46 回セラミックス基礎討論会(名古屋、1 月 10-11 日), (2008).

５． 特許出願・ライセンス

出願

1) 特許内容：ホール注入電極

発明者 ：細野、神谷、柳、平野、平松、金起範

出願人 ：ＪＳＴ

公開番号：特願 2008-048755

出願日：2008/2/28

2) 特許内容：高温超伝導化合物

発明者 ：細野、神原、神谷、平野、柳

出願人 ：ＪＳＴ

公開番号：特願 2008-035977

出願日 ：2008/2/18

3) 特許内容：フッ素を含む超伝導体化合物

発明者 ：細野、柳、神谷、松石、野村、金聖雄、尹錫奎、平松、平野、神原

出願人 ：ＪＳＴ

公開番号：特願 2008-184843

出願日 ：2008/7/16

4) 特許内容：無限層超伝導化合物

発明者 ：細野、柳、神谷、松石、野村、金聖雄、尹錫奎、平松、平野、神原

出願人 ：ＪＳＴ

公開番号：特願 2008-082386

出願日 ：2008/3/27

5) 特許内容：表面処理した電気伝導性 12CaO-7Al2O3 化合物

発明者 ：松石、細野、戸田、金、平野

出願人 ：ＪＳＴ

公開番号：特願 2008-208753

出願日 ：2008/8/13

6) 特許内容：酸化物半導体を活性層としたｐチャンネル薄膜トランジスタ

発明者 ：細野、神谷、平野、小郷、野村研二、平松

出願人 ：ＪＳＴ

公開番号：特願 2008-191496

出願日 ：2008/7/24

7) 特許内容：抵抗変化型不揮発性メモリー及びその製法

発明者 ：細野、神谷、平野、金聖雄、足立

出願人 ：ＪＳＴ

公開番号：特願 2008-287236

出願日 ：2008/11/8

ライセンス

1) 紫外ファイバー（昭和電線電纜、旭硝子）

６． 受賞

1) 細野秀雄: 新機能酸化物材料の創成と応用展開; 平成 20 年度加藤記念賞, (2008/11) 2) 細野秀雄: 透明酸化物の電子活性機能の探索と創製; 応用物理学会 フェロー表彰,

(2008/9). 3) 細野秀雄： 第３の超伝導の発見； ﾅｲｽｽﾃｯﾌﾟな研究者 2008（夢を与えた研究者）；文

部科学省科学技術政策研究所（2008/12） 4) 細野秀雄：A Possible Gound State and Its Electronic Structure of a Mother

Material(LaOFeAs) of New Superconductors；JPSJ 注目論文 Award、日本物理学会

（2008/6） 5) 細 野 秀 雄 ： Superconducting Gap and Pseudogap in Iron-Based Layered

Superconductor La(O1-xFx)FeAs；JPSJ 注目論文 Award、日本物理学会 （2008/7） 6) 細 野 秀 雄 ： Evolution from Itinerant Antiferromagnet to Unconventional

Superconductor with Fluorine Doping in LaFeAs(O1-xFx) Revealed by 75As and 139La Nuclear Magnetic Resonance；JPSJ 注目論文 Award、日本物理学会（2008/8）

7) 細野秀雄：Spin Ordering in LaFeAsO and Its Suppression in Superconductor LaFeAsO0.89F0.11 Probed by Mössbauer Spectroscopy；JPSJ 注目論文 Award、日

本物理学会（2008/9） 8) 小郷洋一：P-channel TFT based on Sno；E-MRS ベストポスター賞、EuropeanMaterial

Research Society（2008/9） 細野・神谷研博士課程３年

７． 国際的共同研究

ラトビア大学 アモルファスシリカの光学物性

UCL(UK) C12A7 中の酸素イオンの輸送

Los Aramos National Lab. （US） 鉄系超電導の強磁場特性

Dresden Superconductivity Center(Germany) 鉄系超電導物質の中性子回折

８． 新聞報道等掲載

1) 超電導の新型物質発見-鉄を含む化合物 平成 20 年 2 月 19 日（火） 朝日新聞<朝刊>

2) 鉄化合物で超電導-高温記録へ「新鉱脈」か-平成 20 年 2 月 19 日（火）毎日新聞<朝刊>

3) 新タイプの超電導物質不向きの鉄含む-平成 20 年 2 月 19 日（火）日経新聞<朝刊>

4) 高温超伝導体に新種-鉄を含む化合物-平成 20 年 2 月 19 日（火）日経産業新聞

5) 高温超伝導の新物質発見-磁性系、鉄が主成分-平成 20 年 2 月 19 日（火）日刊工業新聞

6) 鉄系の高温超電導物質-東工大チームが発見-平成 20 年 2 月 24 日（日）読売新聞<朝刊>

7) 対照的な研究支援特別研究チームが発足する JST 理事長のコメント平成 20 年 2 月 25 日（月）

日刊工業新聞

8) 超電導 第３の物質発見-高温での転移に期待-平成 20 年 2 月 26 日（火）東京新聞<朝刊>

9) 新高温超電導物質 ＪＳＴが共同研究-日本発の実用化支援-平成 20 年 2 月 26 日（火）日経産業

新聞

10) 新たな超電導物質発見 新種探索、高まる気運平成 20 年 2 月 29 日（金）日経産業新聞

11) 超電導フィーバー再び？-「室温」へ広がる選択肢-平成 20 年 3 月 17 日（月）朝日新聞<朝刊>

12) 資源難 身近な元素活用を平成 20 年 3 月 30 日（日）読売新聞<朝刊>

13) 「科学∞（無限大）」コーナーで「先端科学でメダルを狙え」というテーマの特集があり、細野教授の

第三の超電導物質発見に関するニュースが紹介されます。 放映日時：4 月 6 日（日曜日）午前

0 時～午前 0 時 44 分 番組名：ＮＨＫ教育テレビ「サイエンスＺＥＲＯ」

14) 「環境問題を支えるレアアース 新事情」というテーマの特集が組まれ、細野教授の研究成果

が紹介されます。放映日時：4 月 8 日（火曜日）午後 11 時～午後 11 時 58 分番組名：テレビ東京

「ニュース・ワー

15) Editorials: "Superconductors redux"2008 年 4 月 24 日（英国時間）公開 Nature, vol.452, 914 (24

April 2008)

16) News: "Arsenic hears up iron superconductors" Nature, vol.452, 922 (24 April 2008)

17) This week news:"New Superconductors Propel Chinese Physicists to Forefront"平成 20 年 4 月 24

日（木） Science, vol.320, 432-433 (25 April 2008)

18) News Forcus:"The Hot Question: How New Are The New Superconductors?" 平成 20 年 4 月 27

日（日）Science, vol.320, 870-871 (16 May 2008)

19) "New family of quaternary iron-based compounds superconducts at tens of kelvin" Physics Today ,

11-12 (May 2008)

20) 鉄系加圧で超電導日経産業新聞

21) ４万気圧で抵抗ゼロ-高温化に可能性-

平成 20 年 4 月 28 日（月）平成 20 年 5 月 12 日（月） 平成 20 年 6 月 6 日（金）日刊工業新聞

22) 鉄系高温超電導物質に新たな性質 読売新聞 <朝刊>

23) 超電導になる温度 ４万気圧で 11 度上昇 朝日新聞 <朝刊>

24) 銅酸化物以外で 高温度の超電導物質 産経新聞

25) 新超電導体の母物質 LaOFeAs

26) 結晶構造と磁気秩序 -理論的に予測-科学新聞

27) 東工大発の高温超電導 新素材、中国が猛追実用化へ研究競争 -日本側、優位確保へ支援

平成 20 年 6 月 2 日（月） 平成 20 年 6 月 23 日（月） 平成 20 年 7 月 2 日（水）

平成 20 年 8 月 29 日（金） 平成 20 年 9 月 1 日（月）日経新聞<朝刊>

28) ”門外漢”が常識破る さらに広がる探求心新たな高温超電導物質を発見 産経新聞

29) 高温超伝導 新材料、大電流に対応イットリウム系並み 米強磁場研が確認 肉桂産業新聞

<朝刊>

30) 第１面 文科省 鉄系新超伝導材料の応用研究を加速第４面 応用物理学会 秋季講演会

31) 鉄系高温超伝導体、窒化半導体で特別企画 -細野、中村教授ら第一人者が講演

平成 20 年 9 月 3 日（水）平成 20 年 9 月 4 日（木）化学工業日報 (第１面，第４面)

32) 鉄系超電導物質 臨界温度を高く平成 20 年 9 月 4 日（木）日本経済新聞

33) 鉄系新超伝導物質のエピタキシャル薄膜の作製に成功－デバイス応用へのブレイクスルー－科

学技術振興機構(JST)と東京工業大学の共同発表

34) 単結晶薄膜を作製-新型の高温超伝導物質 性能向上に貢献-平成 20 年 9 月 11 日（木）2008

年 9 月 13 日（土）日経産業新聞

35) 鉄系新超電導物質でエピタキシャル薄膜 デバイスへの応用展開 加速 化学工業日報

36) 21 世紀の気鋭 高臨界温度物質に挑む日経産業新聞

37) 日本の科学技術ー元素戦略ー平成 20 年 10 月 7 日（火）平成 20 年 10 月 20 日（月）平成 20 年

12 月 19 日（金）平成 20 年 12 月 19 日（金）テレビ放送大学

38) 超電導の 『新大陸』 探る鉄系物質で再フィーバー 応用の広さに期待東京新聞

39) Superconductivity: New Materials revitalize the field Chemical & Engineering News

40) 2008 年の 10 大科学成果ー新高温超伝導物質朝日新聞 日経新聞

41) Breakthrough of the year New high-temperature Superconductors Science№３２２

42) ＜文科省＞10 件１２人の科学者が「今年のナイスな科学者」平成 20 年１２月２６日（金）毎日新聞

43) ７ 月 号 「 遍 歴 反 強 磁 性 体 か ら 非 従 来 型 超 伝 導 へ ： NMR で 見 た 鉄 系 高 温 超 伝 導 体

LaFeAs(O1-xFx)」 J. Phys. Soc. Japan 77 (2008) 073701 doi:10.1143/JPSJ.77.073701

"Evolution from Itinerant Antiferromagnet to Unconventional Superconductor with Fluorine

Doping in LaFeAs(O1-xFx) Revealed by 75As and 139La Nuclear Magnetic Resonance "

Journal of Physcal Society of Japan 注目論文

44) ６月号「鉄を含む新型高温超伝導体の超伝導ギャップと擬ギャップの直接観測に成功」 J. Phys.

Soc. Japan 77 (2008) 063708 /doi:10.1143/JPSJ.77.063708 "Superconducting Gap and

Pseudogap in Iron- Based Layered Superconductor La(O1-xFx)FeAs " Journal of Physcal Society

of Japan 注目論文

45) ５月号「新超伝導体の母物質 LaOFeAs の結晶構造と磁気的秩序を理論的に予測」 J. Phys. Soc.

Japan 77 (2008) 053709 / doi:10.1143/JPSJ.77.053709

"A Possible Ground State and Its Electronic Structure of a Mother Material (LaOFeAs) of New

Superconductors" Journal of Physcal Society of Japan 注目論文

９． その他 特記事項

2 月に発表した鉄オキシニクタイド超電導物質は、国際的に大きな関心を呼び、6 月以降毎月１

回以上のペースで国際会議が開催され、すでに国際論文誌に特集号が発行され、この 3 月まで

にさらに他に 2 つの論文誌から特集号が発行される予定である。米国の科学誌「サイエンス」は、

年末にその年の科学のクレークスルーのトップ１０を発表しているが、2008 年は鉄系超電導体の

発見が選ばれた。物理科学分野では唯一のランクインであった。また、日本の JST ははじめ米国、

欧州、中国などで政府支援の研究プロジェクトが開始されるなど、国際的潮流を生み出した。

また、当グループが 1995 年にコンセプトを発表し、2004 年に TFT 応用を発表した透明アモルフ

ァス酸化物半導体（TAOS）TFT が、実用に向けて大きく踏み出した。2008 年の SID 大会（世界

大のディスプレイ関連の大会。参加者~1 万人）で韓国のサムソン電子、サムソン SDI によって、12

インチ有機 EL ディスプレイ、および LCD ディスプレイが発表され、大きな関心を集めた。「TAOS

の発明とその TFT 応用の先駆的研究」によって

2009 年の SID Special Recognition Award が細野に授与されることが決まった。