CH_04_Polarización de CD de BJTs

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  • 8/18/2019 CH_04_Polarización de CD de BJTs

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    2014-0

    Circuitos Analógicos

    Prof. Ricardo López

    (Basado en material del Prof. Abraham Kizner) 

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    Polarización en CD de los BJT

    (Capítulo 4  –  Boylestad)

    Circuitos Analógicos

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    Polarización en CD 

    Objetivos:

    Habilidad de identificar los distintos tipos de

    polarización en CD que se pueden usar para

    configurar un transistor como un amplificador de

    señales de CD.

    Capacidad de determinar el punto Q de operación

    de un transistor bipolar polarizado en CD.

    Identificar las diferentes regiones de operación del

    transistor y configurar la red de polarización demanera que el transistor trabaje siempre en la

    región activa, para el rango de la señal de CA a

    usar.

    3

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    Polarización en CD 

    Polarización:  Consiste en la aplicación de voltajes

    DC de manera que se fijen valores deseados de

    voltajes y corrientes en un circuito y/o dispositivo.

    En el caso de amplificadores con BJT, esto

    normalmente significa fijar I C  y V CE .

    4

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    Punto de Operación (Q) 

    Los voltajes DC

    usados (usando

    principalmente

    resistencias, perotambién

    condensadores e

    inductores) fija un

    punto estable de

    operación llamado elpunto Q   (quiescent

     point ) o punto de

    operación .

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    Las Tres Regiones de Operación 

    Región activa (o lineal) de operación

    •  Unión Base-Emisor (BE) polarizada en directa.

    •  Unión Base –Colector (BC) polarizada en reversa.

    Operación en la región de corte

    • La unión BE es polarizada en reversa

    Operación en la región de saturación•  La unión BE es polarizada en directa

    •  La unión BC es polarizada en directa

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    Polarización Fija 

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    Análisis del Lazo Base-Emisor  Utilizando la Ley de Voltaje

    de Kirchhoff:

    Resolviendo para la corriente

    de base:

    +V CC   – I BR B  – V BE  = 0

    B

    BE CC 

    BR 

    V V I 

     

    9

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    Análisis del Lazo Colector-Emisor  

    Corriente de Colector:

     Aplicando la Ley de Voltaje de

    Kirchhoff:

    BC    I I   

    C C CC CE  R I V V   

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    Saturación 

    Saturación es cuando un sistema ha alcanzado su(s)

    valor(es) máximo(s).

    Cuando el BJT está operando en saturación, la corriente

    que pasa por el transistor es la máxima posible (sólolimitada por los componentes en la malla de colector  –

    emisor CE).

    C R CC 

    Csat I   

     V CE 

    V    0

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    Nivel de Saturación 

    VCEcorte: ICsat:

    Los puntos terminales de la línea de carga se determinanasí:

    mA0 I 

     V V 

    CC CE 

     E  R

    C  R

    CC V 

    C  I 

     V CE 

      V0

    12

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    Análisis de la Línea de Carga 

    ICsat

    I C  = V CC  / R CV CE  = 0 V

    VCEcorteV CE  = V CC

    I C  = 0 mA

    El punto Q de operación está determinado por el valor del resistor

    R B, que a su vez define el valor de I BQ, la cual controla los valores de

    V CEQ é I CQ (las coordenadas del punto Q) .

    Los puntos terminales de la

    línea de carga son:

    13

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    Efecto de V CC  en la posición del punto Q 

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    Efecto de R C  en el punto Q 

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    Efecto de I B  en el punto Q 

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    Polarización de Emisor Estabilizado En este caso, se

    agrega un resistor

    (R E ) al circuito delemisor que estabiliza

    el circuito de

    polarización.

    Se le conoce tambiéncomo resistor

    degenerativo de

    emisor.

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    Malla Base-Emisor  

    Utilizando la Ley de Voltaje

    de Kirchhoff:

    01    E  B BE  B BCC    R )I (  β V  R I V 

    0R I V R I V  E E BE E E CC   

     E  B

     BE CC  B

     )R(  β  R

    V V  I 

    1

    Dado que I E  = ( + 1)I B:

    Resolviendo para I B:

    18

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    Principio de Reflexión de Impedancias 

    La ecuación del slide anterior,

    se puede representar como el

    circuito de la derecha:

    01    E  B BE  B BCC    R )I (  β V  R I V 

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    Principio de Reflexión de Impedancias 

    La resistencia vista desde labase es ( +1)  veces la

    resistencia total de emisor.

    En nuestro caso, R E , vista desde

    la base, es igual a (  +1)R E .

    IMPORTANTE: los voltajes se

    conservan iguales. 20

    (   +1)I B

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    Malla Colector-Emisor  

    Utilizando la Ley de Voltaje

    de Kirchhoff (LVK):

    0V R I V R I  CC C C CE E E   

    Dado que: I E   I C :

     )R (R  – I V V  E C C CC CE   

    También:

     E  BE  B RCC  B

    C C CC  E CE C 

     E  E  E 

    C C 

    V V  R – I V V 

     R I V V V V 

     R I V 

     I  I 

       

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    Mejora de Estabilidad con la

    Polarización Usada 

    La Estabilidad se refiere en este caso a la condición en la

    que las corrientes y voltajes se mantienen relativamente

    constantes en un rango amplio de temperaturas y valoresde beta del transistor (  ).

    Al incluir el resistor de emisor, R E  , se

    mejora la estabilidad del transistorgracias a la retroalimentación

    negativa introducida. 

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    Polarización Usando el Divisor de Voltaje 

    Las corrientes yvoltajes son casi

    independientes de

    cualquier valor de .

    Este es un c ircu i to de polar ización muy estable.

    23

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    Análisis Exacto 

    Notar que se puede separarlas mallas de BE y de CE

    En la malla BE, se calcula el

    equivalente de Thévenin:

    24

     = 2 =2

     + 2,  = 2 

    Usar reflexión de impedanciaso mallas para resolver el ckto

    de BE con V TH  y R TH :

     = −

      + + 1  

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    Análisis Exacto (cont.) 

    Una vez conocido I B, se halla

    I C =   I B

    Y luego, resolviendo la malla CE para hallar V CE , se obtiene elmismo resultado que el caso anterior de emisor polarizado:

    25

     )R (R  – I V V  E C C CC CE   

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    Análisis Aproximado 

    Cuando I B 

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    Polarización por Divisor de Voltaje

    (cont.) 

    E C 

    CC Cmax Csat 

    R R 

    V I I 

    Corte: Saturación:

    mA0 I 

    V V 

    CC CE 

    V0 V CE 

    E R 

    C R 

    CC V 

    C I 

    Análisis de la Línea de Carga:

    27

    Saturación:

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    Polarización de DC con Voltaje de

    Retroalimentación 

    Otra manera de mejorar la

    estabilidad de un circuito de

    polarización es agregar uncircuito de retroalimentación

    de colector a base.

    En este circuito de

    polarización, el punto-Q es

    sólo ligeramente dependiente

    del valor de beta del transistor

    ().

    28

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    Malla Base-Emisor  

     )R  β(R R 

    V V I 

    E C B

    BE CC B

    Usando la Ley de Voltaje deKirchhoff:

    0  E  E  BE  F  BC C CC    R –I  –V  R –I  R I  –V 

    Donde I B 

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     Aplicando la Ley de Voltaje de

    Kirchhoff:

    I E  R E  + V CE  + I’ C R C   – V CC  = 0

    Dado que I  C   I C  and I C  =   I B:

    I C (R C  + R E  ) + V CE   – V CC  =0

    Resolviendo para V CE :

    V CE  = V CC   – I C (R C  + R E  )

    Malla Colector-Emisor  

    30

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    Análisis de la Polarización Base-Emisor  

    E C 

    CC Cmax Csat 

    R R 

    V I I 

    Corte Saturación

    mA0I 

    V V 

    CC CE 

    V 0V CE 

    E R 

    C R 

    CC V 

    C I 

    Análisis de la Línea de Carga

    31

    Saturación

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    Polarización de Colector común

    (seguidor emisor) 

    LVK en malla BE:

    32

    0 EE  E  E  BE  B B

      V  R –I  –V  R –I 

     E  B

     BE  EE  B

     R β  R

    V V  I 

    )1(  

    LVK en malla CE:

    0  E  E  EE CE    R –I V V 

     E  E  EE CE    R –I V V   

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    Polarización de Base común 

    LVK en malla BE:

    33

    0 EE  E  E  BE 

      V  R I V 

     E 

     BE  EE  E 

     R

    V V  I 

     

    LVK en malla CE:

    0 CC C C CE  E  E  EE    V  R I V  R I V 

    )(  E C  E CC  EE CE    R R –I V V V   

    LVK en malla CB:

    0 CC C C  EE    V  R I V 

    C C CC CB   R –I V V   

  • 8/18/2019 CH_04_Polarización de CD de BJTs

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    Otros esquemas de polarización 

    En general, la receta es:

    Hallar la corriente de base I B

    Conocida I B, hallar la corriente de colector I C Conocida I C , calcular el voltaje de interés en la malla

    de salida

    34

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    Otros esquemas de polarización

    (Ejemplo) 

     Acá se usa una

    fuente DC simétrica(positiva y negativa)

    (revisar más

    ejemplos en el libro

    de texto)

    35

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    Otros esquemas de polarización (cont.) 

    Para facilitar la

    aplicación de LVK

    en la malla BE, se

    halla el equivalentede Thévenin E TH ,

    R TH :

    E TH  = -11,53V

    R TH  = 1,73kW

    36

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    Otros esquemas de polarización (cont.) 

    Se reemplaza el

    equivalente de

    Thévenin y se halla

    I B: 

    37

    0)1(   TH  B E  B BE TH  EE    R I  R I V  E V     

     = −  −

     + + 1 = 35,39 

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    Diseño de redes de polarización 

    En la práctica, al diseñar, se conoce la I C,Q y/o V CE,Q 

    requeridos y se debe hallar los valores de resistores

    necesarios 

    38

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    Ejemplo 1: Diseño de redes de

    polarización Se quiere:

    I C,Q = 2mA

    V CE,Q = 10V

    Hallar R 1 y R C .

    Pasos:1. Hallar VE2. Hallar VB3. Comparar con

    fórmula simplificada

    de IB. Calcular R1. 4. Hallar RC usando

    LVK en malla CE

    39

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    Ejemplo 2: Diseño de redes de

    polarización 

    Se quiere:

    I C,Q = I sat /2

    I C,sat  = 8mAV C,Q = 18V

    Hallar RC, RE y RB.

    Pasos:1. Hallar RC2. Hallar RE a partir de fórmula para IC,sat3. Calcular IB a partir de I C =  I B.

    4. Calcular RB a partir de la fórmula para I B. 5. Usar los valores comerciales más

    cercanos para RC, R

    E y R

    B.

    40

  • 8/18/2019 CH_04_Polarización de CD de BJTs

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    Ejemplo 3: Diseño de redes de

    polarización Hay que hallar RC, RE y RB 

    dados el punto Q y Vcc.

    Pasos:1. Hallar VE y luego RE2. Hallar RC a partir de VRC3. Calcular IB a partir de

    I C =  I B.

    4. Calcular RB a partir de

    V RB. 5. Usar los valores

    comerciales más

    cercanos para RC, RE y

    RB.

    41

    Circuito abierto

    en DC

    Circuito abierto

    en DC

    Circuito abierto

    en DC

    Criterio de diseño

    Criterio de diseño:

    VE = VCC/10

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    Ejemplo 4: Diseño de redes de

    polarización Hay que hallar RC, RE, R1 y

    R2 dados el punto Q y VCC.

    Pasos:1. Hallar VE, RE y RC como

    en el ejemplo anterior

    2. Hallar VB3. Usar el criterio de

    simplificación R2

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    Espejos de Corriente (current mirrors) 

    • Son circuitos en los cuales la corriente en la salida es

    controlada por la corriente en otro punto del circuito.

    • Se basa en que los dos transistores usados son

    idénticos

    43

     =

     

     =  −

     

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    Fuente de Corriente Constante 

    Son circuitos que proveen de una corriente constante a una

    carga, independientemente del valor de la carga

    44

     = −

     + 2 

     = +

     

     =  − 0,7 

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    Fuente de Corriente Constante con

    Zener  Similar al anterior circuito, pero esta vez la corriente sólo

    depende de RE y del voltaje zener, que es muy constante

    45

    ≈  = −

     

    Notar que el voltaje de

    alimentación, V EE , no influyesobre la corriente de salida

  • 8/18/2019 CH_04_Polarización de CD de BJTs

    46/58

    Transistores PNP 

    El análisis para los circuitos de polarización que

    usan transistores PNP es el mismo que para los

    circuitos con transistores NPN.

    La única diferencia es que las corrientes fluyen

    en la dirección opuesta y los voltajes son de la

    polaridad opuesta.

    46

  • 8/18/2019 CH_04_Polarización de CD de BJTs

    47/58

    Redes de Conmutación con Transistores 

    Transistores a los que se les aplica solo un voltaje CD

     pueden ser usados como conmutadores electrónicos.

    47

  • 8/18/2019 CH_04_Polarización de CD de BJTs

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    Cálculos en Circuitos de Conmutación 

    CC Csat 

    V I   

    dc 

    Csat 

    B β

    I I   

    Csat

    CEsatONsat

    I

    VR R   

    CEO

    CCoff cutoff 

    I

    VR R   

    Corriente de Saturación:

    Para asegurar

    saturación:

    Resistencia Colector-

    Emisor en saturación

    y en corte:

    48

  • 8/18/2019 CH_04_Polarización de CD de BJTs

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    Tiempo de Conmutación 

    Existen los transistores de

    conmutación (switching

    transistors) que pueden

    cambiar sus niveles de

    corriente muy rápidamente

    (escala de tiempo típica: decenas de

    nanosegundos)

    d r on t t t   

    f soff  t t t   

    49

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    Variación del punto Q con la temperatura 

    50

    25°C 100°C

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    52/58

    Controlador de relé (Relay driver ) 

    52

    Recordar el efecto del pico inductivo… ¡este es un caso

    donde ello ocurre!

    SIEMPRE usar un diodo de carrera libre (flyback diode o

    snubber diode)

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    Controlador de relé (Relay driver ) 

    53

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    54/58

    Control de luz 

    54

    Cuando el foco incandescente está frío, su resistencia es

    menor que cuando está caliente

    Usar una resistencia que limite la corriente al encender el

    foco por primera vez

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    Compuertas Lógicas 

    55

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    56/58

    Indicador de Voltaje 

    56

    El potenciómetro se ajusta para que a 9V el zener y el BJT

    conduzcan

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    Conclusiones 

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    • El punto Q o punto de operación define la región en la

    que el BJT trabajará en DC

    • Para operación lineal (como amplificador), el punto Q no

    debe estar cerca de los límites de la región activa

    • El análisis en DC del BJT normalmente empieza porhallar I B

    • Cuando se analiza un circuito en DC, los condensadores

    son circuitos abiertos

    • La corriente de saturación está determinada por elcircuito alrededor del BJT

    • La recta de carga del BJT se halla analizando la malla de

    salida (malla CE)

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    Conclusiones (cont.) 

    • La polarización con emisor estabilizado es poco sensible

    a cambios en

    • La polarización con divisor de voltaje es la más común

    debido a que es muy estable ante variaciones de  

    • La polarización con voltaje de retroalimentación puedeproveer estabilidad frente a cambios en  si las

    resistencias de C y E reflejadas a la base son mayores

    que el resistor de retroalimentación RF

    • En configuración base común, es útil hallar IE primero• En conmutación, el BJT oscila entre corte y saturación

    •  varía con la T°, VBE disminuye con la T° y ICBO se

    duplica por cada 10°C de aumento de T°