資料中の「ラピスセミコンダクタ」等名称のラピス ......0FFH ”を書き込んでください。未書き込み状態または“0FFH”以外のデータを書き込んだ場合の動作は保証されません。

お客様各位

資料中の「ラピスセミコンダクタ」等名称の

ラピステクノロジー株式会社への変更

2020 年 10 月 1 日をもって、ラピスセミコンダクタ株式会社の LSI 事業部門は、

ラピステクノロジー株式会社に分割承継されました。従いまして、本資料中にあります

｢ラピスセミコンダクタ株式会社｣、｢ラピスセミ｣、「ラピス」といった表記に関しましては、

全て「ラピステクノロジー株式会社」に読み替えて適用するものとさせていただきます。

なお、会社名、会社商標、ロゴ等以外の製品に関する内容については、変更はありま

せん。以上、ご理解の程よろしくお願いいたします。

２０２０年１０月１日

ラピステクノロジー株式会社

Dear customer LAPIS Semiconductor Co., Ltd. ("LAPIS Semiconductor"), on the 1st day of October, 2020, implemented the incorporation-type company split (shinsetsu-bunkatsu) in which LAPIS established a new company, LAPIS Technology Co., Ltd. (“LAPIS Technology”) and LAPIS Technology succeeded LAPIS Semiconductor’s LSI business. Therefore, all references to "LAPIS Semiconductor Co., Ltd.", "LAPIS Semiconductor" and/or "LAPIS" in this document shall be replaced with "LAPIS Technology Co., Ltd." Furthermore, there are no changes to the documents relating to our products other than the company name, the company trademark, logo, etc. Thank you for your understanding.

LAPIS Technology Co., Ltd. October 1, 2020

LAPIS Semiconductor Errata

16bit ML620100 シリーズ

発行日: 2019 年 9 月 27 日

19LD-1005-ML620Q100_Errata_05J


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ご注意

1) 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。

2) ラピスセミコンダクタは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが，半導体製品は種々の要因で故障・誤作動する可能性

があります。

万が一，本製品が故障・誤作動した場合であっても，その影響により人身事故，火災損害等が起こらないようご使用機器でのディ

レーティング，冗長設計，延焼防止，バックアップ，フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上

の注意書が守られていない場合，いかなる責任もラピスセミコンダクタは負うものではありません。

3) 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては，本製品の標準的な動作や使い方を説明する

ものです。したがいまして，量産設計をされる場合には，外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。

4) 本資料に記載されております技術情報は，本製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり，それをもって，当該

技術情報に関するラピスセミコンダクタまたは第三者の知的財産権その他の権利を許諾するものではありません。したがいまして，

上記技術情報の使用に起因して第三者の権利にかかわる紛争が発生した場合，ラピスセミコンダクタはその責任を負うものでは

ありません。

5) 本製品は，一般的な電子機器（AV機器，OA機器，通信機器，家電製品，アミューズメント機器など）および本資料に明示した用

途への使用を意図しています。

6) 本資料に掲載されております製品は，耐放射線設計はなされておりません。

7) 本製品を下記のような特に高い信頼性が要求される機器等に使用される際には，ラピスセミコンダクタへ必ずご連絡の上，承諾

を得てください。

・輸送機器（車載，船舶，鉄道など），幹線用通信機器，交通信号機器，防災・防犯装置，安全確保のための装置，医療機器，

サーバー，太陽電池，送電システム

8) 本製品を極めて高い信頼性を要求される下記のような機器等には，使用しないでください。

・航空宇宙機器，原子力制御機器，海底中継機器

9) 本資料の記載に従わないために生じたいかなる事故，損害もラピスセミコンダクタはその責任を負うものではありません。

10) 本資料に記載されております情報は，正確を期すため慎重に作成したものですが，万が一，当該情報の誤り・誤植に起因する

損害がお客様に生じた場合においても，ラピスセミコンダクタはその責任を負うものではありません。

11) 本製品のご使用に際しては，RoHS 指令など適用される環境関連法令を遵守の上ご使用ください。お客様がかかる法令を遵

守しないことにより生じた損害に関して，ラピスセミコンダクタは一切の責任を負いません。本製品の RoHS 適合性などの詳細に

つきましては，セールス･オフィスまでお問合せください。

12) 本製品および本資料に記載の技術を輸出又は国外へ提供する際には，「外国為替及び外国貿易法」，「米国輸出管理規則」

など適用される輸出関連法令を遵守し，それらの定めにしたがって必要な手続を行ってください。

13) 本資料の一部または全部をラピスセミコンダクタの許可なく，転載・複写することを堅くお断りします。

Copyright 2016-2019 LAPIS Semiconductor Co., Ltd.

〒222-8575 神奈川県横浜市港北区新横浜 2-4-8 http://www.lapis-semi.com

http://www.lapis-semi.com/


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1. はじめに

16bit ML620100 の制限事項，およびドキュメント訂正についてお知らせいたします。

1.1 エラッタ一覧

項目制限事項，ドキュメント訂正対象商品記載日

2.1 テストデータ領域の記載訂正 ML620Q151B/2B/3B/4B/5B/6B/7B/8B/9B

2019.09.19

3.1 I2C バス・インタフェース（スレーブ）使用

時の注意事項の追加 ML620Q131/2/3/4/5/6 ML620Q131B/2B/3B/4B/5B/6B

2018.03.05

3.2 フラッシュ・メモリ消去，書き込みの制限事

項

「3.2 フラッシュ・メモリ消去，書き込みの

制限事項」の対象商品を参照 2017.02.27

3.3 フラッシュ・メモリ書き換えコードのデバッ

グ時の注意事項説明の訂正

「3.3 フラッシュ・メモリ書き換えコードのデ

バッグ時の注意事項説明の訂正」の対象

商品を参照 2017.02.27

3.4 タイマの制限事項「3.4 タイマの制限事項」の対象商品を参

照 2016.05.25

2. 本通知で追加となるドキュメント訂正

2.1 テストデータ領域の記載訂正

対象ドキュメント：以下に記載の版数以前のユーザーズマニュアルドキュメント名文書番号項目ページ

ML620Q151B/2B/3B/4B/5B/6B/7B/8B/ 9B ユーザーズマニュアル(正式第 4 版)

FJUL620Q150B-04 第 2 章 CPU とメモリ空間 2-2 2-3 2-4

2.1.1 訂正内容

・2-2 の【注意】を以下のように訂正（訂正前）・セグメント 0 の 0:7C00H～0:7FFFH の 1K バイト（512 ワード）のテストデータ領域は，プログラム･コード領域と

しては利用できません。また，テストデータ領域のうち 0:7C00H～0:7DFFH は書き込み/消去可能で， 0:7E00H～0:7FFFH は書き込み／消去不可となっています。書き換え可能なテスト領域 0:7C00H～ 0:7DFFH には必ず“0FFH”を書き込んでください。未書き込み状態または“0FFH”以外のデータを書き込んだ場合の動作は保証されません。（訂正後）・セグメント 0 の 0:7C00H～0:7FFFH の 1K バイト（512 ワード）のテストデータ領域は，プログラム･コード領域とし

ては利用できません。また，テストデータ領域のうち 0:7C00H～0:7DFFH は書き込み/消去可能で，0:7E00H～

0:7FFFH は書き込み／消去不可となっています。書き換え可能なテストデータ領域 0:7C00H～0:7DFFH のう

ち0：7DE0Hには code-optionを設定し、それ以外の領域には必ず“0FFH”を書き込んでください。未書き込み

状態または“0FFH”以外のデータを書き込んだ場合の動作は保証されません。・2-3 の【注意】を以下のように訂正

（訂正前）・セグメント 0 の 0:0BC00H～0:0BFFFH の 1K バイト（512 ワード）のテストデータ領域は，プログラム・コード領

域としては利用できません。また，テストデータ領域のうち 0:0BC00H～0:0BDFFH は書き込み／消去可能で，0:0BE00H～0:0BFFFH は書き込み／消去不可となっています。書換え可能なテスト領域


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0:0BC00H～0:0BDFFH には必ず“0FFH”を書き込んでください。未書き込み状態または“0FFH”以外のデータを書き込んだ場合の動作は保証されません。（訂正後）・セグメント 0 の 0:0BC00H～0:0BFFFH の 1K バイト（512 ワード）のテストデータ領域は，プログラム・コード領域

としては利用できません。また，テストデータ領域のうち 0:0BC00H～0:0BDFFH は書き込み／消去可能で，

0:0BE00H～0:0BFFFH は書き込み／消去不可となっています。書換え可能なテストデータ領域 0:0BC00H～

0:0BDFFH のうち，0：BDE0H には code-option を設定し，それ以外の領域には必ず“0FFH”を書き込んでく

ださい。未書き込み状態または“0FFH”以外のデータを書き込んだ場合の動作は保証されません。・2-4 の【注意】を以下のように訂正

（訂正前）・セグメント 0 の 0:0FC00H～0:0FFFFH の 1K バイト（512 ワード）のテストデータ領域は，プログラム・コード領域としては利用できません。また，テストデータ領域のうち 0:0FC00H～0:0FDFFH は書き込み/消去可能で，0:0FE00H～0:0FFFFH は書き込み／消去不可となっています。書換え可能なテスト領域 0:0FC00H ～0:0FDFFH には必ず“0FFH”を書き込んでください。未書き込み状態または“0FFH”以外のデータを書き込んだ場合の動作は保証されません。（訂正後）・セグメント 0 の 0:0FC00H～0:0FFFFH の 1K バイト（512 ワード）のテストデータ領域は，プログラム・コード領域

としては利用できません。また，テストデータ領域のうち 0:0FC00H～0:0FDFFH は書き込み/消去可能で，

0:0FE00H～0:0FFFFH は書き込み／消去不可となっています。書換え可能なテストデータ領域 0:0FC00H～

0:0FDFFH のうち, 0：FDE0H には Code-Option を設定し、それ以外の領域には必ず“0FFH”を書き込んでく

ださい。未書き込み状態または“0FFH”以外のデータを書き込んだ場合の動作は保証されません。

2.1.2 改修計画

本訂正内容については，次回のユーザーズマニュアル改版時に修正いたします。


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3. 通知済みの制限事項およびドキュメント訂正

3.1 I2C バス・インタフェース（スレーブ）使用時の注意事項追加

対象ドキュメント：以下に記載の版数以前のユーザーズマニュアルドキュメント名文書番号項目ページ

ML620Q130 ユーザーズマニュアル（正式 4 版）

FJUL620Q130-04 第 14 章 I2C バス・インタフェース（スレーブ）

14-1

ML620Q130B ユーザーズマニュアル

（正式 2 版） FJUL620Q130B-02

第 14 章 I2C バス・インタフェース（スレーブ）

14-1

3.1.1 訂正内容

（訂正前）・なし（訂正後）・【注意】

I2Cバス・インタフェース（スレーブ）機能を使用中に，本LSIの電源を遮断した場合，I2Cバスに接続されている

他のデバイスの通信ができなくなります。I2C バス・インタフェース（スレーブ）機能の使用時には，本 LSI の電源

は遮断しないでください。

3.1.2 改修計画

本訂正内容については，次回のユーザーズマニュアル改版時に修正いたします。


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3.2 フラッシュ・メモリ消去，書き込みの制限事項

フラッシュ・メモリを消去，もしくはフラッシュ・メモリに書き込む場合，以下に示す制限事項があります。対象商品 ML620Q131, ML620Q132, ML620Q133, ML620Q134, ML620Q135, ML620Q136, ML620Q131B, ML620Q132B, ML620Q133B, ML620Q134B, ML620Q135B, ML620Q136B

3.2.1 制限事項

フラッシュ・メモリを消去，もしくはフラッシュ・メモリに書き込む場合に，消去／書き込み命令と，割込み受付，もしく

はブレークが同時に発生すると，マイコンが異常動作します。

3.2.2 対策

フラッシュ・メモリを消去，もしくはフラッシュ・メモリに書き込む場合は，消去，もしくは書き込み命令の後に DSR プ

リフィックスコードと NOP 命令を挿入してください。これにより消去，もしくは書き込み時の割込み受付を保留し，異

常動作を回避します。保留された割込みは，消去，もしくは書き込み後に処理されます。以下にソフトウェア対策

例を示します。 ■ブロック消去の場合：flash_eraseBlock() /* start FLASH Erase */ set_bit( FERS ); /* FLASHCON レジスタの FERS ビットを"1"にセット */ __asm("dw 0fe9fh"); ←DSRプリフィックスコード __asm("nop"); ←NOP命令 ■セクタ消去の場合：flash_eraseSector() /* start FLASH Erase */ set_bit( FSERS ); /* FLASHCON レジスタの FSERS ビットを"1"にセット */ __asm("dw 0fe9fh"); ←DSRプリフィックスコード __asm("nop"); ←NOP命令 ■1ワード書き込みの場合：flash_writeWord() /* Write Data */ write_reg16( FLASHD, data ); /* FLASHD レジスタに変数"data"を書き込む */ __asm("dw 0fe9fh"); ←DSRプリフィックスコード __asm("nop"); ←NOP命令消去や書き込み動作の詳細は，ユーザーズマニュアルの 24.3.1 ブロック消去機能，24.3.2 セクタ消去機能，

24.3.3.1 ワード書き込み機能を参照してください。


6/11

3.2.3 改修計画

ハードウェアを改修する計画はありません。フラッシュ・メモリを消去，もしくはフラッシュ・メモリに書き込む場合の

使用上の制限事項とさせていただきます。以下の版数以降のユーザーズマニュアルに制限事項として記載済です。・ML620Q131/2/3/4/5/6 ユーザーズマニュアル（正式 5 版）・ML620Q131B/2B/3B/4B/5B/6B ユーザーズマニュアル（正式 2 版）


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3.3 フラッシュ・メモリ書き換えコードのデバッグ時の注意事項説明の訂正

フラッシュ・メモリ書き換えコードのデバッグをする際の注意事項に訂正があります。対象商品 ML620Q131, ML620Q132, ML620Q133, ML620Q134, ML620Q135, ML620Q136, ML620Q131B, ML620Q132B, ML620Q133B, ML620Q134B, ML620Q135B, ML620Q136B

ML620Q151A, ML620Q152A, ML620Q153A, ML620Q154A, ML620Q155A, ML620Q156A, ML620Q151B, ML620Q152B, ML620Q153B, ML620Q154B, ML620Q155B, ML620Q156B, ML620Q157B, ML620Q158B, ML620Q159B

対象ドキュメント

ドキュメント名文書番号項目ページ

ML620Q130 ユーザーズマニュアル FJUL620Q130-03

表 24-8 「フラッシュ・メモリ書き換えコ

ードのデバッグ時の注意事項」の使

用状態：「DTU8 デバッガを使用して

フラッシュ・メモリ書き換えコードのデ

バッグをする場合」

24-12

ML620Q130B ユーザーズマニュアル FJUL620Q130B-01






24-12

ML620Q150A ユーザーズマニュアル FJUL620Q150A-03






29-13

ML620Q150B ユーザーズマニュアル FJUL620Q150B-01






29-13


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3.3.1 訂正内容

（訂正前）・なし。（訂正後）・フラッシュ・メモリの消去／書き込みシーケンス内（フラッシュアクセプタへの書き込み～フラッシュデータレジス

タへの書き込みまで）でリアルタイムエミュレーション中に強制ブレークなど全てのブレークは実行しないでくださ

い。シーケンス内でブレークすると書き込みできない場合があります。

3.3.2 改修計画

以下の版数以降のユーザーズマニュアルで訂正済みです。・ML620Q131/2/3/4/5/6 ユーザーズマニュアル（正式 5 版）・ML620Q131B/2B/3B/4B/5B/6B ユーザーズマニュアル（正式 2 版）


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3.4 タイマの制限事項

8 ビットタイマを 2 チャネル使った 16 ビットタイマモード，もしくは 16 ビットタイマ（ML620Q150 ファミリのみ搭載）を

使用する場合，以下に示す 2 点の制限事項があります。 ML620Q100 シリーズに搭載されている全ての 8 ビットタイマ，および 16 ビットタイマが対象です。PWM は対象で

はありません。対象商品 ML620Q131, ML620Q132, ML620Q133, ML620Q134, ML620Q135, ML620Q136

ML620Q151A, ML620Q152A, ML620Q153A, ML620Q154A, ML620Q155A, ML620Q156A

3.4.1 制限事項 1

8 ビットタイマを 2 チャネル使用した 16 ビットタイマモード，もしくは 16 ビットタイマを使用する場合，下位 8 ビットの

タイマデータレジスタ（TMnD,TMHnDL）への“0FEh”の設定は禁止です。“0FEh”以外の値（“00h～0FDh”，もしく

は“0FFh”）を設定してください。上位 8 ビットのタイマデータレジスタ（TMmD,TMHnDH）の設定値に制限はありま

せん。下位 8 ビットのタイマデータレジスタに“0FEh”を設定した場合，一度目の割込み周期は正常に動作しますが，

二度目以降の割込み周期はタイマカウンタが“0000h”に初期化されず“0100h”からカウントアップするため，タイ

マクロック 256 クロック分短い周期となります。

3.4.2 制限事項 2

8 ビットタイマを 2 チャネル使用した 16 ビットタイマモード，もしくは 16 ビットタイマを使用する場合，ソフトウェアに

てタイマを強制的に停止した後，もしくはワンショットタイマモードでタイマが自動停止した後に再度タイマを開始

する際は，タイマカウンタレジスタ（TMmC,TMnC,TMHnCH,TMHnCL）の値が“0000h”の場合であっても必ず上

位 8 ビット，もしくは下位 8 ビットのタイマカウンタレジスタに書き込みを行いタイマカウンタレジスタを“0000h”に初

期化してください。下位 8 ビットのタイマカウンタレジスタ（TMnC,TMHnCL），もしくは上位 8 ビットタイマカウンタレ

ジスタ（TMmC,TMHnCH）のどちらか片方に書き込むと，両方のタイマカウンタレジスタが初期化されます。タイマカウンタレジスタを初期化しなかった場合，再開後の一度目の割込み周期が異常になる場合があります。


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3.4.3 対策

制限事項 1，2 の回避するためのソフトウェア対策例を以下に示します。タイマ 0，タイマ 1 を使用した 16 ビットタイマモードの場合の対策例です。 if ( TM0D == 0xfe ) TM0D = 0xfd; // タイマデータレジスタの設定値確認と変更（制限事項 1 の対策） TM0C = 0x00; // タイマカウンタレジスタの初期化（制限事項 2 の対策） T0RUN = 1; // タイマカウント開始下位 8 ビットのタイマデータレジスタ（TM0D）の設定値を確認し 0FEh の場合は 0FDh に変更し，さらにタイマカウ

ンタレジスタ（TM1C, TM0C）を初期化した後に，タイマのカウントを開始します。

3.4.4 改修計画

ハードウェアを改修する計画はありません。タイマ機能使用上の制限事項とさせていただきます。以下の版数以降のユーザーズマニュアルには制限事項として記載済です。・ML620Q131/2/3/4/5/6 ユーザーズマニュアル（正式 4 版）・ML620Q151A/2A/3A/4A/5A/6A/7A/8A/9A ユーザーズマニュアル（正式 3 版）


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改版履歴

ドキュメント No. 発行日ページ

変更内容改版前改版後

16LD-0692-ML620Q100_Errata_01J 2016.05.25 – – 初版発行

17LD-0133-ML620Q100_Errata_02J 2017.02.14 – 2-3 プログラム動作モードでのフラッシュ・メモリ消去，書き

込みの制限事項追加

– 4-5 タイマの制限事項記載内容の章番号変更

17LD-0210-ML620Q100_Errata_03J 2017.02.27 – 4-5 フラッシュ・メモリ書き換えコードのデバッグ時の注意事

項説明のドキュメント訂正を追加

18LD-0241-ML620Q100_Errata_04J 2018.03.05

– 2 「I2C バス・インタフェース（スレーブ）使用時の注意事

項」追加 2 3

3 4

「フラッシュ・メモリ消去，書き込みの制限事項」の章番

号変更および，改修計画内容の更新

4 5

5 6

「フラッシュ・メモリ書き換えコードのデバッグ時の注意

事項説明の訂正」の章番号変更および，改修計画内

容の更新 6 7

7 8

「タイマの制限事項」の章番号変更および，改修計画

内容の更新

19LD-1005-ML620Q100_Errata_05J 2019.09.27

– 2-3 テストデータ領域の記載訂正を追加

2 4 「I2C バス・インタフェース（スレーブ）使用時の注意事

項」記載ページ変更 3 4

5 6

「フラッシュ・メモリ消去，書き込みの制限事項」の章番

号変更および，改修計画内容の記載ページ変更

5 6

7 8

「フラッシュ・メモリ書き換えコードのデバッグ時の注意

事項説明の訂正」の章番号変更および，改修計画内

容の記載ページ変更 7 8

9 10

「タイマの制限事項」の章番号変更および，改修計画

内容の記載ページ変更

Documents

資料中の「ラピスセミコンダクタ」等名称の ラピス ......0FFH ”を書き込んでく ださい。未書き込み状態または“0FFH”以外のデータを書き込んだ場合の動作は保証されません。

資料中の「ラピスセミコンダクタ」等名称のラピス ......0FFH ”を書き込んでください。未書き込み状態または“0FFH”以外のデータを書き込んだ場合の動作は保証されません。