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7/23/2019 Expo Fet Señal Peq
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Modelo de señal pequeñ
para el FET
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Modelo equivalente de C.A. es un poco más simple que el de BJT.
BJT -> factor de amplificacin !"#eta$.
FET -> factor de transconductancia %m.
FET -> Ampli&cador lineal o dispositivo di%ital.
M'todo similar al BJT.
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(m ) *alor de admitancia
+d ) resistencia de salida o resistencia del drenador.
Estos parámetros dependen de la corriente de polari,acin del transistor.
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Factor de admitancia %m
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+esistencia del drenado
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Factor de ampli&cacin
• e relaciona el parámetro de transconductancia
la resistencia del drenador.
• Es el equivalente a !"#eta$ en los transistores BJT.
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Circuito equivalente en señal pequeña p
Corriente Alterna (C.A.)
%m *( rd
(
/
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Ampli&cador compuerta com
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Ampli&cador compuerta com0
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Ampli&cador drena2e com0
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Ampli&cador drena2e com0n
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Ampli&cador fuente com0
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Ampli&cador fuente com0n
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Ampli&cador fuente com0n
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Ampli&cador fuente com0n
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Av es menor que en los BJT.
5i es muc6o maor que en los BJT.
5o es equivalente al BJT.
Ai es indeterminada7 a que la entrada de corriente en los FET es de 89A.
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+eferencias
+onald J. Tocci. ":;<=$. Transistores de Efecto de Campo. E
dispositivos electrnicos"=8 pá%inas$. M'?ico7 /.F.@ ntera
Bapat. ":;<:$. Modelo de señal pequeña para el FET. En /i
circuitos electrnicos"44= pá%inas$. M'?ico@ Mc(ra-ill.
Barto. "18:1$. Electronica analisis a pequeña señal fet. :3Dlides6are itio e#@ [email protected]#De
analisis-a-pequea-seal-fet
