34
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世界の潮

細野

材料年度の大学

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料物理科学

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潮流を生

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料物理学院募集要項

.titech.ac.jp/内の総合理工

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生み出す

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理科項は以下のサ

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住所:〒

神奈川県

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細野 教

平松 准

松石 助

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研究

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業大学応用

教授 J1 棟 6准教授 COE助教 S2 棟 5

専攻

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緑区長津田町

セラミックス

606 号室 0E 棟 102 号

5F 東 045-

覧ください。

入手できます。

町 4259 ス研究所 R3

045-924-535号室 045-92

-924-5134

3-1

59 24-5855

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1

目次

・ 研究室の構成 ・・・・p.2

・ 学生の活躍 ・・・・p.3

・ 細野・平松研究室へようこそ ・・・・p.5

・ 研究紹介 ・・・・p.7

・ 研究テーマ ・・・・p.9

・ 研究設備 ・・・・p.15

・ 著書紹介 ・・・・p.18

・ 特集記事(産学官連携ジャーナル)の紹介 ・・・・p.19

・ Tokyo Institute of Technology Bulletin 記事の紹介 ・・・・p.25

・ 現役博士課程学生による研究テーマ紹介 ・・・・p.26

・ 海外渡航記 ・・・・p.33

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■ ス

■ 学

■ 大

スタッフ 細野 秀

福長 脩

黒木 和

平野 正

平松 秀

松石 聡

学生 博士課程

修士課程

学部 4 年

大型プロジェ

現在のところ

最先端研

http://ww

↑最先端

NEDO 革

文部科学

文部科学

これらの

博士研究

物質科学

遂行して

秀雄 教授(

脩 名誉教授

和彦 客員教

正浩 客員教

秀典 准教授

聡 助教(電子

程 7 名 程 10 名 年生 1 名

ェクト ろ以下 4 つ

研究開発支

ww.supera.t

端研究開発

革新的太陽

学省元素戦

学省光アライ

のプロジェクト

究員 5 名が

学創造専攻

ています。

研究

電子メール

授 教授(電気通

教授 授(電子メー

子メール:sa

の大型プロ

支援プログラ

titech.ac.jp/

発支援プログ

陽電池プロジ

戦略プロジェ

イアンスプロ

トでは、藤津

が活躍してい

攻の神谷利夫

究室の構

ル:hosono@

通信大学)

ール:h-hiramatoru@lucid

ロジェクトが走

ラム(期間:2

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ジェクト(期間

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ログラム(期

津 悟 特任

います。これ

夫 教授のグ

構成

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走っています

010.3 – 201

プログラム)

間:2008.4 –2008.10 – 2間:2008 –

任教授をはじ

れらのプロジ

グループとも

ac.jp)

msl.titech.ach.ac.jp)

す。

14.3)

)のロゴマー

– 2018.3) 2013.9) 2017)

じめとする、特

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も緊密な連

c.jp)

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連携をして研

2

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なく、

研究を

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3

学生の活躍

■ 日本学術振興会 特別研究員(DC)実績 難関といわれる学振特別研究員として毎年 1 名以上が選出され、研究費や学

費のサポートを受けながら研究しています。 2011 年 1 名 2010 年 1 名 2009 年 1 名 2008 年 1 名 2007 年 2 名 2006 年 2 名 2005 年 2 名

■ 過去 5 年間における学生の受賞歴 国内だけでなく、国際学会においてもその研究と発表が認められ、毎年多くの学

生が受賞しています。 2011 年 D2 李君 Gold Poster Award of TOEO-7

D3 李さん Silver Poster Award of TOEO-7 2010 年 D2 片瀬君 応用物理学会講演奨励賞

D2 片瀬君 Oral Presentation Award, Symposium L of MRS Spring 2009 年 D1 片瀬君 JJAP 論文賞

M2 李君 The Best Poster Award of TOEO-6 M2 篠崎君 The Best Poster Award of TOEO-6

2008 年 D3 小郷君 The Best Poster Award, E-MRS Fall 2007 年 D3 金君 応用物理学会講演奨励賞

D3 戸田君 先端技術大賞(特別賞) M2 菊池さん 学問のすすめ賞(材料物理科学専攻)

■ 学生の過去 5 年間における国際学会口頭発表

学生自身が国際学会で口頭発表しています。中には招待講演を依頼されたケー

スもあります。ここでは口頭発表のみをリストアップしましたが、ポスター発表も含め

るともっと多くの学生が国際学会の場で積極的に研究発表を行い活躍していま

す。 2011 年 D3 片瀬君 MRS Spring(アメリカ サンフランシスコ)※招待講演

M2 井出君 TOEO-7(東京) 2010 年 D2 片瀬君 ISS2010(筑波)※招待講演

M2 村場君 ISS2010(筑波) D2 片瀬君 ASC2010(アメリカ ワシントン)

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D2 片瀬君 MRS Spring(アメリカ サンフランシスコ) 2008 年 D3 松崎君 E-MRS(ポーランド ワルシャワ)

M2 片瀬君 E-MRS(ポーランド ワルシャワ) D2 野村君 MRS Fall(アメリカ ボストン)

2007 年 D1 野村君 日韓ワークショップ(韓国) M2 渡辺君 日韓ワークショップ(韓国) M2 志村君 日韓ワークショップ(韓国) D2 小郷君 E-MRS(フランス ストラスブルグ) D1 西尾君 E-MRS(フランス ストラスブルグ)

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5

細野・平松研究室へようこそ

本研究室は川副 博司先生(現名誉教授)が 1990 年に開設し、1999 年までは

川副・細野研究室として運営していました。川副先生は 1999 年 3 月 31 日で退

職され、細野が研究室を引き継ぎました。2002 年には神谷利夫先生を迎え、細

野・神谷研として松石先生と共に昨年度まで運営してきました。2010 年に神谷

先生が物質科学創造専攻に異動になり、2011 年の 3 月に平松先生を迎え、細野・

平松研として新しくスタートしました。神谷先生とは引き続き連携体制をとっ

て研究を継続します。当研究室は応用セラミックス研究所という学内の研究所

に属しておりますが、総合理工学研究科 材料物理科学専攻の協力講座でもあり

ます。従って、当研究室配属希望の学生は材料物理科学専攻を志望してくださ

い。

研究室の主テーマは「電子活性材料の創製─電子状態から探る新しい光・電

子・磁気および化学機能─」です。固体中の電子の動きを巧く制御して、新しい

機能を実現しようとしています。生き物にみられる効率的な電子の伝達系を、

文字通り無機物の中に造り込もうと考えています。

身の周りのありふれた物質を細工して、人類は文明を発展させてきました。

これからもこの方向は変わらないでしょう。数多くある物質を人類の生活に直

接的に役立つ形に工夫したものが「材料」です。いつの時代でもその時代なり

の制約があり、材料の研究者はその制約下で革新的なものを創り出す必要があ

ります。今世紀の制約は資源・環境問題と言えます。ありふれた、そして環境

調和性の高い物質を使って、これまでに無い新しい機能やより高い性能をもつ

材料を創り出すことがこれからの研究の方向でしょう。電子状態から様々な物

質を眺めてみると、工夫次第で新しい機能を発現できる場合が数多くあります。

要は「アイデアと工夫」と頑張り次第で、石ころを半導体や超伝導体といった

材料に変身させようという魂胆です。

最近の成果のうちで国際的にインパクトがあると思っているものを 3 つ挙げま

す。

1. 鉄を含む高温超伝導体の発見 2. セメント原料が透明半導体、金属、そして超伝導へと変身 3. 透明アモルファス酸化物半導体のトランジスタ応用

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6

研究のやり方としては、「どういった機能を狙うか」、「いかにして作るか」、

「どんな物性か」、そして「どんなデバイスができるか」までの一連のことを

できる限り研究室内で取り組むようにしています。すなわち、自分たちで設計

し、それに合った(または合っていると思われる)物質を探索し、バルクや薄

膜試料を合成し、それらの物性を調べ、デバイス特性評価までを一連して行っ

ていきます。当研究室で取り上げる物性は、光・電子・磁気・化学と多岐にわ

たりますが、共通しているのは電子が主役となることです。人によっては興味

や得意分野が違うかと思いますが、個々の興味を活かした研究が一緒にやって

いけると考えています。

自分の名前がつくような新機能の発見を志す人、革新的デバイスを創って大

儲けしてやろうという野心に満ちた人、自分の感性や個性を活かした機能材料

研究をやってみたい人、大学院に入ったら心機一転して研究に集中してみたい

人を大歓迎します。

自分たちが源流になって世界的な潮流となる研究をしたいと張り切っていま

す。興味を持っていただいた方は是非研究室を訪問してください。

2011 年 4 月 細野 秀雄

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研究紹介 1. 研究室の目指すもの

膨大な数の「物質」の中で、人間の社会に直接に役に立つものが「材料」で

す。私たちの研究室は、自分たちが打ちたてた材料設計指針をもとに、以下

のような新しい材料を開発しています。

・ 物質が持つ特有の結晶構造を利用して新しい機能を創る。 層状構造を持つ混合アニオン化合物で、室温励起子発光ダイオードや新

しい鉄を含む高温超伝導材料などを開拓しました。特に、鉄系超伝導体

は、現在銅酸化物に次ぐ高い転移温度を有し、当研究室は発見した本家

として、現在世界中で激しい競争の中、さらなる超伝導新物質を求めて、

探索し続けています。また、0.4 nm の大きさのかご構造からできている

結晶 C12A7 をベースに、新しい透明導電膜、高輝度電子放出源、有機発

光 TV 用高性能電極、反応触媒、超伝導などの機能を開拓しました。 ・ 材料研究の新しい潮流「ユビキタス元素戦略」

私たちは、今までは希少金属を使ってしか実現できていなかった機能を、

Ca や Al などの豊富で無害な元素だけを使って実現しようとする「ユビキ

タス元素戦略」を提唱しています。これは、政府の科学政策の大きな柱

の一つとなり、2008 年から新しい国家プロジェクトを始めました。これ

まで開拓してきた C12A7 や深紫外ファイバーはそのもっとも成功してい

るユビキタス材料の例です。 ・ 酸化物でシリコンを凌ぐ半導体デバイスを実現する。

私たちは、透明酸化物半導体(Transparent Oxide Semiconductor: TOS)という

新しい研究領域を開拓してきたパイオニアです。アモルファス酸化物半

導体で、最高の性能を持つフレキシブルトランジスタを開発し、フレキ

シブル TV、電子ペーパーに有望な新しい材料を提供しました。

材料研究はしばしば、すでにある材料を発展させるための開発に終始

してしまいがちですが、これまでに作り出された画期的な新材料-ナイ

ロン、カーボンファイバーや高温超伝導体など-は、そのような改良研

究からは決して生まれません。物質の内部で何が起こっているかをしっ

かり調べ理解すると同時に、他人とは違った発想とアプローチで研究を

する必要があります。

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2.

私たち

しい物質

せること

れる研究

の過程で

ています

図 1.電子

アプロ

構成元素

のが多いこ

して研究を

器やガラス

にもかかわ

以前は殆ど

本質による

る特徴的な

制御・活用

機能をもつ

そしてこ

る元素を対

から電子状

試料を作る

メージを作

いたアプロ

果を出せる

ちが目的と

質と機能を

とです。Na究成果をあ

で「真の材

す。

子活性の樹

ーチの特徴

が資源的に

ことから、当

を行ってきま

スとして人類

わらず、酸化

ど見出されて

ものではあ

なナノ構造に

することで

つ材料を創り

れからは酸

対象とするこ

状態を予測し

だけではな

作り、研究方

ーチで、世

よう、研究

としているの

を創り出し、

ature 誌や Sあげ、企業と

材料研究」の

樹(こんな具

徴 に豊富で、か

当研究室はこ

ました。そ

類の発展を

化物中で電

ていません

ありません

に着目し、そ

で、新しい光

り出すこと

酸化物だけ

ことによっ

しながら、

なく、計算

方法を考え

世界で「初

究を進めて

のは、この

、それらを

Science 誌な

と連携し産

のセンスを

具合に育っ

かつ環境調

これまでは

の酸化物は

を支えてきた

電子が主役を

んでした。こ

ん。私たちは

その電子状

光・電子・

を目指して

にこだわら

って探索範囲

材料・機能

算と実験の両

えています。

初めての」、

ています。

のような独

を人の役に立

などの世界

産業化すると

をもつ学生を

って欲しいと

調和性に優れ

は酸化物を主

は、古くから

た材料です

を演ずる機

これはその物

は、物質に内

状態や欠陥構

磁気および

ています。

らず、周期

囲を拡げ、

能探索研究

両面から電

独自の視

「最高の」、

自のアプロ

立つ「材料

界トップの学

とともに、

を育てるこ

という図)

れたも

主軸と

ら陶磁

す。それ

機能は、

物質の

内在す

構造を

び化学

律表にのっ

その物質の

究を行ってい

電子状態を調

視点からのア

、あるいは

ローチによ

料」へと進化

学術誌に掲

その実践研

ことを理想

っているあ

の持つ結晶

いきます。

調べて物質

アイデアに

は「唯一の」

8

り新

化さ

掲載さ

研究

とし

あらゆ

晶構造

ただ

質のイ

に基づ

」結

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9

研究テーマ (1) 独自の攻め方で新材料を探す:新しい高温超伝導体の探索と薄膜・デバイス

化 材料の結晶構造を観、電子構造に思いを馳せ、物性との関係について考え

ると、どのようなアプローチで新しい特性を持つ材料を作ったらよいか、ア

イデアがでてきます。 超伝導は数ある固体物性の中でも最も劇的でかつ明快な現象です。また、

超伝導転移温度 (Tc) の高い新物質が見つかれば、その社会的インパクトの

大きさは比類ないほど大きなものです。当研究室では、2006 年にこれまで磁

性原子である鉄の化合物は超伝導にならないという常識を覆し、2008 年 2月には Tc = 26K の LaFeAsO を報告し、世界的ブームを巻き起こしました(図

1)。現在、最高の Tc は 56K に達し、銅系材料以外では一番高くなっていま

す。どこまで Tcがあがるか世界中で競争になっています(図 2)。

図 1. 鉄系高温超伝導体 LaFeAsO の結晶構造。磁性を持つ鉄を含むにもかか

わらず超伝導を示すことから、「鉄化合物は超伝導にならない」という常識

を覆しました。 本家である当研究室も秘策を持って新規物質探索を頑張っており、つい最

近では、LaFeAsO と同型構造で、重い電子と軽い電子が共存し、それぞれが

反強磁性と超伝導を示す新しいタイプの超伝導体 CeNi0.8Bi2 を発見しました

(Physical Review Letters 誌)。

FeAs

Lae-

La-Olayer

Fe-Aslayer

OF

FeAs

Lae-

La-Olayer

Fe-Aslayer

OF

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図 2. 超伝導

あがるか、

さらに、

に重要とな

が、鉄系超

シャル薄膜

図 3. 世界初

(左)。それ

量子干渉素

電圧の変調

導の歴史。

世界中が注

鉄系超伝導

なる薄膜作製

超伝導体薄膜

膜と超伝導量

初の鉄系超

れをさらに

素子(SQUI調が見える。

当研究室が

注目してい

導体の物性

製・デバイ

膜分野では

量子干渉素

超伝導薄膜

に高品質化

ID, 右)。S。

が発見した

います。

性研究だけで

イス化にも注

はすべて世界

素子(SQUI

Co 添加 Srした BaFe2

SQUID は磁

た鉄系がど

でなく、送

注力してい

界に先駆け

ID)の例で

rFe2As2 の超

2As2 薄膜を

磁場を加え

こまで超伝

送電線などへ

います。図 2けて実現して

です。

超伝導特性

を利用して作

ることによ

伝導転移温度

への応用面

2 は、当研

てきたエピ

性と試料の写

作製した超

よって周期

10

度が

面で特

研究室

ピタキ

写真

超伝導

的な

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(2) ユを

Oと

1で

H流

ユビキタス

を創る これまで

変えること

御すること

います。 12CaO・7

ふれた酸化

た。ところ

O2–イオン)とで、ナノ

空気中では

1020 cm–3 以

できました

H–イオンを

流れる状態

ることで、

射型ディス

レイなどへ

灯の消費電

しました。

図 4. (左)

白色。(右)

ーを当てた

電気が流れ

ス(ありふれ

、酸化物の

とで実現して

とで新しい可

7Al2O3 (C12化物から構成

ろが、原子

を包接でき

かご構造中

は不安定です

以上の高濃度

た。また、C1を包接させて

態に変えるこ

世界初の室

スプレイ(図へ応用できる

電力を半減

さらにこの

未処理 12は H-イオ

たときの写真

れる。

れた)元素戦

の多様な機

てきました

可能性が拓

2A7)は、酸

成されてい

レベルで結

きるナノか

中に様々な

すが最強の

度で安定に

2A7 は典型

て紫外光や

ことに成功

室温で安定

図 5 右下)、ることを実

させられる

の材料は、

2CaO・7Alオンを包接さ

真。普通の

戦略: ナノか

機能は遷移金

た。私たちは

拓けないか、

酸化カルシウ

いる、何の変

結晶構造を見

かご構造を持

イオンを包

の酸化力を持

に含有させて

型的な絶縁

や電子線を照

功しました

定なエレク

電界効果型

実証し、その

る電極材料

超伝導を

l2O3 (C12A7させて紫外

の C12A7 は

かご構造と包

金属や希土

は発想を変

、という視

ウムと酸化

変哲もない

見直してみ

持っていま

包接させる

持つことで

て、最も安

縁体であると

照射するこ

(図 4)。さ

トライド C型トランジ

の低仕事関

として応用

も示します

7)粉末。普

外光を照射

は絶縁体にも

包接イオン

土類イオンな

変え、陰イオ

視点からアプ

化アルミニウ

い物質と考え

みると、陰イ

す。合成法

ことができ

で知られる

安定な白金さ

と信じられ

ことで、透明

さらには、電

C12A7:e–を実

スタや有機

関数はディス

用できるこ

す。

普通のセメン

した C12A7もかかわら

ンが多彩な

など陽イオ

オンの状態

プローチを

ウムという

えられてき

イオン(通常

法を工夫す

きます。例え

O–イオンを

さえ容易に

れていました

明で電子が

電子を包接

実現し、電

機発光ディ

スプレイや

と最近見い

ント材料と

7 に抵抗テ

らずこの試料

11

機能

オンを

態を制

をして

あり

きまし

常は

するこ

えば、

を、

に酸化

たが、

がよく

接させ

電界放

スプ

や蛍光

いだ

同じ

テスタ

料は

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(

このよう

く利用する

す。このア

問題の解決

ています。

図 5. (左) エ構造 (かご

(右下) 電界

図 6. C12A7ックライト

に、ありふ

ることによ

アイデアを追

決に大きく寄

エレクトラ

ごの内径は約

界放射型発

7 エレクト

トや蛍光灯の

ふれた原料

り、多彩な

追及してい

寄与できる

ライド C12A約 4Å)。(右上

光デバイス

ライドの特

の消費電力

料だけから構

な電子・光

いくことで、

るスーパーセ

A7:e– の結

上) 電子が

ス。

特徴である

力を半減でき

構成される

・化学機能

、深刻化し

セラミック

晶構造と電

が生成する様

る低仕事関数

きる性能を

材料でも、

能をひきだす

している環境

クスが誕生す

電子分布。(中様子が色の

数は、ディ

を発揮する。

ナノ構造

すことがで

境・エネル

すると期待

中央) ナノ

の変化でわか

ィスプレイの

12

造を巧

できま

ルギー

待し

かご

かる。

のバ

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(3) 曲私た

提唱

導体

う新

キシ

ジス

企業

ンチ

今で

自分

図 7.広が

物半

ファ

図 8.用い

リコ

から

造、

うこ

曲がる高性

たちは、199唱していまし

体の設計法と

新分野を開拓

シブル透明

タは世界で

業が研究を開

チの有機 ELでは 70 イン

分たちの創っ

. 1995 年に

がりの大きな

半導体の特徴

ス酸化物半

. 2004 年に

いた薄膜トラ

ンよりも2

次世代の薄

中央はプラ

とで実現し

性能透明ト

95 年に透明

した(図 7)と具体例を

拓しました

トランジス

でトップの

開始しまし

L ディスプ

ンチの大型 3った材料で

に提唱した透

なs軌道が

徴であり、

半導体を用

に達成した当

ランジスタ

20倍の移

薄型TVを

ラスチック

した70イ

ランジスタ

明アモルフ

)。さらには

を Nature 誌

た。2004 年

スタ(TFT)をの性能を示し

した。その僅

レイなどが

3D-LCD が

で世界を席巻

透明アモル

が伝導帯下端

これがアモ

用いた薄膜

当研究室オ

(TFT)

移動度など多

を駆動するT

基板上に作

ンチ、超高

タ:透明酸化

ファス半導体

は 1997 年

に報告し、

には、酸化

を実現しまし

し、Nature僅か 4 年後

が試作され

が試作される

巻する例に

ルファス半導

端を主とし

モルファス

トランジス

オリジナルの

は、現在

多くの優れ

TFTの本

作製した TF高解像、3

化物半導体

体の電子構

に世界で初

透明酸化物

化物半導体

した(図 8誌にも掲載

後には、曲が

るなど、大

るまでに至

になりつつあ

導体の電子

して形成する

スシリコンを

スタ実現へと

の透明アモ

在まで使われ

れた性能を示

本命と目され

FT の写真)

D-LCD

構造とその優

初めて、P 型

物エレクト

の特長を活

左・中央)

載され、世

がる電子ペ

大きな反響

至っています

あります。

子構造イメー

るのがアモ

をもしのぐ

とつながっ

モルファス酸

れているア

示し、作製

れている(

)。右の写真

D。

優位性をす

型透明酸化

トロニクス

活かして、

)。このトラ

世界中の大学

ペーパーや

響を呼んでお

す(図 8 右

ージ。球対

モルファス酸

ぐ現在のアモ

った。

酸化物半導

アモルファス

製も容易なこ

(左は TFT真は、これ

13

すでに

化物半

とい

フレ

ラン

学や

12 イ

おり、

右)。

対称で

酸化

モル

導体を

スシ

こと

の構

れを使

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(4) 新やみ

可能

どを

第一

指針

みを

るに

って

図 9.かご

目の

てか

新材料・機

みくもに実

能です。私た

を用いて、物

一原理計算を

針をたてて開

を X 線構造解

にしたがって

ていく様子が

. (左から 1ご構造は酸素

の図) 第一原

かごの形がき

機能を創るた

実験をしてい

たちは、光

物質や欠陥

を併用する

開拓研究を

解析と第一

てかごの形

が見えます

番目、3 番

素イオンが

原理計算で

きれいにな

ために: 理いても、新

光電子分光法

陥の電子状態

ことで物質

を進めていま

一原理計算で

形がきれいに

す。

番目の図) Mが入っている

求めたかご

なると、波動

理論と実験に

新しい機能

法、パルス

態を直接的

質のイメー

ます。図 9で調べた結

になり、電

MEM/Rietvるためにひ

ご構造のひ

動関数が結

による電子

・材料を見

ス電子スピン

的に実験で観

ージを作り、

は、C12A結果です。C電子の通り道

eld 解析で観

ひずんでいる

ひずみと電子

結晶全体に拡

子状態の解析

見つけること

ン共鳴法や

観察してい

、物質探索

A7 の中でか

C12A7 中の

道である波

観測した電

る。(左から

子密度。電子

拡がる(右図

析 とはほとん

や X 線回折

います。さ

索や材料設計

かご構造の

の電子数が

波動関数が拡

電子密度。

ら 2 番目、

子数が多く

図)。

14

んど不

法な

らに

計の

ひず

が増え

拡が

左の

4 番

なっ

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世界

ます

PPM抵抗

です

り付

グロ

1ppmとえ

界最先端の最

す。ここでは

MS, S抗率・磁化率

す。液体 He付けています

ローブボ

m 以下の酸

え大気中で取

最新設備を

は HP に公

SQUID-率・比熱と

e 代を抑え

す。

ボックス

酸素濃度・露

取り扱えな

を駆使して、

開していな

-VSM いった超伝

るために気

ス 露点マイナ

ない試薬であ

研究設備

、世界一の

ないつい最

伝導研究に

気化した He

ナス 90℃以下

あってもそ

の結果が出せ

近入った代

には欠かせな

e を再生す

下の不活性

それを使って

せるよう日

代表設備を

ない物性を

るための再

性でドライな

て試料合成

日々精進して

紹介します

を測定する装

再凝縮装置

な環境下で

成ができます

15

てい

す。

装置

置を取

で、た

す。

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高圧

現在

でい

低温

キャ

およ

圧合成装

在立ち上げ中

います。

温 XRDピラリー式

そ 20K ほ

装置 中を含める

D 式透過型 Xどまでの低

と 4 台の高

X 線回折装置

低温測定が可

高圧装置を

置です。液

可能です。

を使って新し

液体 He を吹

しい試料合

吹き付ける

合成に取り組

ることによっ

16

組ん

って、

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PLパル

シー

膜装

げ中

D-MBEルスレーザー

ー(MBE)とし

装置で、試料

中です。

E 複合成

ー堆積法(Pしては 3 つ

料準備室は

成膜装置

PLD)として

の K セルと

はグローブボ

置 ては 5 種類の

と 1 つのク

ボックスと

の励起源を

クラッキング

も連結させ

を、そして分

グセルを併

せています

分子線エピ

併せ持つ複合

す。現在立ち

17

ピタキ

合成

ち上

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サン

研究

本と

ソフ

ンマーク出版

究室の成

として出

フトバンクク

版(1400 円

成果をわ

出版 クリエイテ

円)

かりやす

ティブ(900

著書紹介

もう、話

しくてつ

会いした

取材を重

解できる

した。話

すが、そ

ブレのな

ほどの大

されまし

究人生の

ご覧くだ

たるまで

読みごた

すい

0 円)

担当編集者

話し出したら

ついていけな

たときの、細野

重 ねるごとに

るレベルで話

話し出したら

その主張する

ないもの!ま

大のネコ好き

した(笑)。先

の区切り」と

ださい。世界

での思考法が

たえ十分です

者よりひと言

止まらない

ない…(涙)。

野先生の印象

に、先生は文

話をしてくださ

止まらないの

る メッセージ

た、先生は写

で、時折触れ

先生ご自身 が

おっしゃる珠

界的発見の舞台

が書かれた本書

す!

!しかも内容

それが、最初

象でした。しか

文系出身の私で

さるようにな

のは相変わら

ジは一貫して

写真集を購入

れるネコの話

が、「これまで

珠玉の一冊。

台裏と、発見

書は、間違 い

18

容が難

初にお

かし、

でも理

なりま

らずで

ていて、

入する

話に癒

での研

ぜひ

見にい

いなく

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産学

産学

細野

材料

研究

材料科

ムラ

が細野

機構

クト

展研究

果を挙

物。か

教授は

るこ

ボトル

性能薄

果だ。

シリ

トの酸

(ナ

超伝導

した鉄

現が始

か、細

材料

ではな

ことで

学官連携

学官連携

野秀雄・

料科学の

究にオー

科学の分野で

ンを次々とス

野秀雄・東京

(JST)戦略

リーダーを務

究 SORST:

挙げた。細野

かつては絶縁

は、教科書に

とを実証し、

ルでおなじみ

薄膜トランジ

。透明 TFT

コンによる

酸化物(12C

ノポーラス)

導(2007 年

鉄系超伝導の

始まっている

細野教授にお

料研究は1

「成果を挙げ

ないんです。

です。少なく

携ジャーナ

携の新た

東京工業

の“新大陸

ール・オア

で、世界中を

スタンドにた

京工業大学教

略的創造研究

務め(ERAT

2004-2009

野教授の研究

縁体、つまり

に「絶縁体の

、科学技術の

みの PET の上

ジスタ(TFT

と言えば液

TFT が最も多

CaO・7Al2O

)を解明し、

)に変身す

の発見だ。8

る。10 年前

お聞きした

0年

げ続ける戦略

。1つ言える

くとも僕はそ

ナル特集

な挑戦

業大学教

陸”を発見

ア・ナッ

をあっと言わ

たたき込んで

教授だ。科学

究推進事業の

TO:1999-2

)、常識を覆

究テーマは透

り電気を通さ

の代表」と記

の“新大陸”を

上に、IGZO

T)を作り上

晶ディスプレ

多いが、これ

O3)。何のこ

それを操作

ることを実証

86 年の高温超

には想像もつ

(松尾義之)

は何ですか」

ことは、こ

そう思ってい

集記事

教授

ッシング

わせるホー

でいるの

学技術振興

プロジェ

2004、発

覆す大成

透明な酸化

さない物質と

記載されてい

を発見・開拓

O という酸化

上げたこと。

レーに使われ

れに置き換わ

こともない普

作することで

証した。3 本

超伝導以来、

つかなかった

」と聞かれる

の分野が、そ

いるから、新

グはあり得

というのが一

いた酸化物で

拓してきた。

化物(アモル

曲げても機

れているのが

わる新材料の

普通の材料だ

で、半導体(2

本目のホーム

初めての新

た新しい世界

るのですが、

それだけ肥沃

しいことを見

得ない

一般的だった

でも優れた導

1 本目のホー

ファス酸化物

能する TFT

が有名。現在

の登場だ。2

だが、この物

2002 年)、金

ムランは、20

新系統の物質

界をいかに切

それほどの

沃(ひよく)

見つけようと

た。ところが

導電性材料が

ームランは、

物)で、透明

で、2004 年

在はアモルフ

本目は、セ

物質構造の特

金属(2007 年

008 年 2 月に

質で、狂騒曲

切り開いてき

の戦略がある

な土地だと

と探している

19

細野

でき

PET

明の高

年の成

ファス

メン

特殊性

年)、

に発見

曲の再

きたの

るわけ

という

ると、

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無理せ

よ。セ

伝導体

ません

べて、

うま

その結

は、1

び付か

年のプ

超伝導

頑張

科学は

10億

るかに

気楽だ

が、結

当たっ

ガラ

年のア

ない」

半導体

発戦略

れた講

東工大

そうい

導体が

能なT

を作っ

点であ

せずに自然に

セメントの化

体と、一見何

ん。でもやっ

、固体酸化物

く見ながら、

結果出てきた

10年ぐらい食

かない。僕の

プロジェク

導は、後期に

る」ことが重

は、長期にわ

円もらうよ

に成果が挙が

だなぁ」と感

結局、ルーツ

ったときは。

ラス屋の来

高い電子移動

アモルファス

」と嫌み(

体ができるな

アモルファス

略センター上

講演を聞いた

大に移ったと

いう因縁があ

この会議は20

が必要で、有

TFTを作って

ったときです

あることがよ

そしたら、産

にいろいろな

化合物、アモ

何の脈絡もな

ってる本人に

物をベースに

、新しい機能

たことなんで

食らいつかな

の場合も、E

トで、フレキ

に入ってから

重要ですね。

わたる支援が

り、1年に1億

がります。鉄

感じます。転

ツは僕らにあ

来るところ

動度をもつア

ス半導体国際

?)を言われ

なんて信じら

半導体の話

上席フェロー

たのです。い

とき研究テー

あったのです

000年ぐらい

有力なのは有

て見せたわけ

す。1995年の

よく理解され

産業界が飛び

な成果が出て

モルファス酸

ないように見

には筋道はあ

にした材料で

能を探してい

です。材料や

ないと、新し

ERATOとSO

キシブルTFT

ら出たのです

そういう意

が生きる分野

億円ずつ10年

鉄系超伝導を

転移温度が上

あるからです

ろじゃない

モルファス酸

際会議で初め

れました。そ

られていませ

を耳にしたの

ー(当時は電

いずれ取り組

ーマに上げま

す。

から風向きが

有機物質だと

けです。大き

の発表を覚え

れました。

付き、一気に

てくるんです

酸化物、鉄系

見えるかもし

あるんです。

で、その構造

いる。すべて

や物質の研究

しいことには

ORSTの合計1

Tと30Kの鉄系

す。「継続し

意味では、材

野です。一遍

年もらう方が

を発見して、

上がったり、

。1番だから

酸化物半導体

めて発表しま

そもそも当時

せんでしたか

のは東京都立

電子技術総合

組んでみたい

ました。アモ

が変わり、ア

と言われてい

きく注目され

えていた人が

に酸化物の方

系超

しれ

造を

ては

究で

は結

10

して

材料

遍に

がは

あらためて

ほかから次

焦る必要が

体の物質設計

ましたが、「

時は、アモル

から。

立大学の学生

合研究所)の

いと思い続け

モルファス半

アモルファス

いる中で、僕

れたのは、20

がそれなりに

方に傾いてき

て「最初にゴ

次々と成果が

ない。開拓者

計というコン

「ガラス屋の

ルファスの酸

生のときで、

の田中一宣さ

け、1993年に

半導体の会議

スシリコンに

僕らが2003年

04 年にフレ

にいて、10年

きました。こ

ゴールを切る

がもたらされ

者の特権です

ンセプトは、

の来るところ

酸化物でまと

現在JST 研

んの情熱に

に名古屋工大

議で発表した

に代わる新し

年に酸化物で

レキシブルな

年前の仕事が

これは想定外

20

のは

ます

すね、

1995

じゃ

もな

研究開

あふ

から

のは、

しい半

高性

なTFT

出発

外でし

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た。2

す。そ

リコ

2009年

端を作

てくれ

たこ

ルフ

スシ

コンで

し、酸

ルフ

たとき

い領域

広い視

眺め

オリ

2005年の国際

そして2007年

ンを抜いちゃ

年の会議でも

作ったんだか

世界最大のデ

れました。ア

とが理由。

ァス半導体を

この仕事は、

リコンは、シ

で成立してい

酸化物なんて

ァスでも大き

アモルファス

き、結晶シリ

域にすぎませ

視点で仕事を

るのは大事だ

リジナリテ

際会議に分科

年の会議では

ゃったんです

もプレナリー

から」という

ディスプレー

アモルファス

うれしいのは

を作りたいと

実は別の見

シリコンとい

いる理屈は、

てゲテモノが

きな電子移動

半導体一般

リコンは東京

せん。名古屋

をしてきたか

だと思います

ティーの系

科会ができ、

は、ついにア

すよ。ガラス

ー講演を依頼

うことだと思

学会(The S

ス酸化物で高

は、ディスプ

と思って始め

方ができるん

いう名前があ

すべてのア

が使えるわけ

動度が見られ

の中で、共有

京で、銀座通

屋には名古屋

から、新世界

す。

系譜から

1

ガラ

ス)

ジナ

恩師

すさ

る意

うと

ない

の中

をす

方で

ない

いきなりプ

アモルファス

ス屋の来ると

頼されていま

思います。

Society for Inf

高性能なTFT

プレーの専門

めた仕事が実

んです。半導

あったから注

アモルファス

けがないと思

れるのには、

有結合性の半

通りもあるし

屋の、九州に

界を開くこと

993年に東工

ラスのエキス

は、オリジ

ナリティーの

師でした都立

さまじくオリ

意味で、研究

、オリジナ

いわけですね

中の評価なん

すること。そ

でした。

世界が認めて

い仕事がオリ

プレナリー講

ス酸化物の発

ところじゃな

ますが「あい

formation Di

Tを作り、ディ

門家でもなく

実を結んだこ

導体の基本は

注目された。

ス半導体に成

思ったんです

きちんとし

半導体は、半

し地図もよく

には九州の良

とにつながっ

工大にくるま

パートであ

ナリティーの

ある先生、そ

立大(後に東工

ジナリティ

の実績だけで

ルな研究をや

ね。彼らの基準

んかどうでも

ういう点では

て、明らかに

ジナリティ

講演をするこ

発表件数が、

なかった国際

いつが15年前

splay)が、特

ィスプレーへ

、ただ新し

ことですね。

はシリコンで

そして「ア

成立する」と

す。しかし、

した理屈があ

半分なのです

できている

良さがある。

ったのでしょ

までは、名工

る阿部良弘先

の高い人です

そうはいませ

工大)の川副

ーのある人で

で生きてきた

やらなかった

準ははっきり

いいから、世

は、両先生と

にその人がい

ー。研究とは

ことになった

アモルファ

際会議が、で

前にこの分野

特別功績賞を

への応用に貢

しい酸化物の

です。アモル

アモルファス

みんなが勘

酸化物では

あるのです。

す。日本全体

るけど、非常

僕らはそう

う。物質を

工大にいまし

先生(研究室

す。あんなに

せん。学生時

副博司先生も

でした。共に

た方です。逆

たら、競争に

りしていて、

世界が認める

とも非常に厳

いなかったら

は、人と違っ

21

ので

スシ

す。

野の発

を出し

貢献し

アモ

ルファ

シリ

違い

アモ

体を見

常に狭

いう

広く

た。

室のボ

にオリ

時代の

また、

に、あ

逆に言

になら

日本

る研究

厳しい

でき

ったこ

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とをや

ER

のJST

げられ

この段

然に近

ERAT

ER

「あん

か失敗

セメ

ER

振り返

てもい

を選ぼ

のです

なかっ

1986年

1 回オ

いない

とい

です。

した。

て、冷

らです

ってみ

色し、

光が当

のに、

ック

やる孤独な仕

RATOのプロ

T職員が、い

れた業績は、

段階で、よく

近いのです。

TO に拾って

RATOのリー

んなに金もら

敗したか、自

メント材料

RATOの研究

返りました。

いいから、今

ぼうと考えま

す。セメント

ったんですよ

年にそのガラ

オットー・シ

いセメントの

う非常に不思

きっかけは、

。早く済ませ

冷めても黄色

す。

何か、面白い

みても、同じ

、光を切って

当たったとき

、溶かす条件

・ガラスがで

仕事なんだと

ロジェクトリ

いろいろな人

、たぶん、ガ

く推薦してく

。でも結果と

てもらわなか

ーダーはやっ

らって、ろく

自然にわかっ

料のヒン

究構想を出す

。そして、自

今なお不思議

ました。その

トの材料は、

よ。このテー

ラスが感光す

ショット研究

のガラスに紫

思議な現象で

名工大で石灰

せるために、

色い。「あれ

い現象がある

じことが起こ

ても消えない

きだけ青くな

件を酸化性の

できてしまっ

と肌身に感じ

ーダーに推

人に聞き取り

ガラスの点欠

くれたと思い

として、JSTに

かったら、短

っぱり厳しい

くな仕事やっ

ってしまう

トは学生実

すとき、自分

自分のやって

議で、どうし

の1つがセメ

何か出てき

ーマは僕にと

する現象を見

究賞を頂いて

紫外光を当て

で、そのメカ

灰とアルミナ

いったん溶

れっ」と思い

に違いない

こる。こうし

い。ところが

なって、その

の雰囲気と還

ったんです。

じました。

推薦された経

をして候補

陥の研究と

います。そう

には「目利き

短期間でここ

いです。人の

ってない」と

「針のむしろ

実験だっ

分のやってき

てきた中から

してもやりた

ントの化合物

そうな気が

とって歴史が

見つけて、ド

ています。何

てるだけで感

カニズムを解

ナを混ぜてセ

溶かすんです

いました。石

と直観しまし

して作った感

が、ガラスを

の後消えるガ

還元性の雰囲

経緯は正確に

に挙げてくれ

アモルファス

ういう意味で

」の職員がお

こまでの成果

のまねなんか

と研究者の評

ろ」です。

た仕事を

、小さく

いテーマ

物だった

して仕方

が古く、

イツの第

何も加えて

感光する、

解明したの

セメントを作

すが、それを

石灰とアルミ

した。そこで

感光性ガラス

を溶かす条件

ガラスができ

囲気に変える

は知りません

れたのだと思

スの酸化物半

では、僕にと

おられたとい

果は得られな

かしたら、す

評価は厳しい

作る学生実験

を流し出すと

ナで色がつ

で高純度の試

スは、光を当

件を還元性雰

きた。成分が

るだけで、2つ

ん。ERATO

思います。取

半導体でしょ

っては本当

いうことです

なかったでし

すぐばれてし

いです。成功

験を見ていた

、赤い色に

つくはずがな

試薬をもらっ

当てると褐色

雰囲気にする

がまったく同

つのフォトク

22

O担当

取り上

ょう。

に偶

すね。

ょう。

まう。

した

た時で

なっ

いか

って作

に着

と、

じな

クロミ

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セメ

ER

しか

ろえて

結晶が

じめだ

うもの

ス)と

この発

いる林

還元

が、で

後の試

色して

たやつ

違う」

です。

光吸収

らない

みた

あ。セ

と、ま

在、科

はMI

1番よ

らしい

ナを1

は、電

タがた

メントに電

RATOを始め

したら、結晶

て、材料研究

がなかったら

まず当時のガ

だから、ボン

のができてし

といって、こ

発見は偶然で

次に、今、東工

林克郎君(当

して」と頼ん

できたものの

試料には、エ

ていたんです

つですよね」

」。昔は黄色

結晶で緑にな

収をはかって

い(自由電子

ら、やっぱ

セメントに本

まず林君が僕

この仕事はNa

科学技術振興

ITでアルミナ

よく知ってい

いと説明を聞

1番知ってい

その後この物

電気が流れた

たくさんある

電気が流れ

めるときに、

晶に秘密があ

究の理想型と

ら、わからな

ガラスを再現

ンベからきち

しまったので

こんなにすご

です。

工大の別の部

当時は博士研

んだ。彼は水

のエックス線

エックス線が

すよ。「これ

」と持ってき

色だったのに

なるはずがな

てみたら、可

子による吸収

り電気が流れ

本当に電気が

僕のほっぺた

ature に出た

興機構理事長

ナの研究で学

いる。第一声

聞いたら「そ

いる人が「も

物質は、金属

た時の方がう

るんですよ。

れた!

何であんな

あるのかもし

として研究し

なかった。

するため、酸

ちんと酸素を

です。分子構

ごいの見たこ

部門の准教授

研究員)に

水素を流した

線回折の測定

が当たった位

れ、先生が昔

きた。「いや

に今度は緑だ

いので、も

可視域は通る

収)と電気が

れていたんで

が流れちゃっ

たをつねる。

たけれど、その

長)のところ

学位を取った

声は「ガセネ

それならあり

しかしたら

になって、超

うれしかった

なことが起き

しれない。そ

してみようと

酸素のある雰

を流して作っ

構造の籠の中

ことない、とい

授をして

「これを

たのです

定をした

位置が着

昔見つけ

や、色が

だったの

う1 回やって

るのですが、

が流れる現象

です。あんな

ったのです。

僕もつねっ

の発表がされ

ろにコメント

た専門家で、

タじゃない

りうるかな」

」と思って

超伝導にな

た。学生実験

たのか、不思

そこで、粉末

と始めました

雰囲気で作っ

った。そした

中に入ってい

いうぐらい強

てもらいまし

赤外域が通

象があるので

なにびっくり

キツネに化

ったんですよ

れる前に、新

トをいただき

アルミナがど

の」。かくか

。この反応

くれたからで

りました。で

験だって、よ

思議だと思い

末、薄膜、単

た。それがう

ってみた。言

たら、名工大

いたのは、O-

強い酸化力の

したが、間違

通らないんで

で、あるいは

したこと、

化かされてい

よ。

新聞社の人が

きに行ったん

どのぐらい電

かくしかじか

応は1番うれし

です。

でも、超伝導

よく目を凝ら

い返しました

単結晶の全部

まくいった

言われた学生

大の時とは全

-(オー・マ

のイオンでし

違いない。そ

です。赤外域

は……。実験

いままでな

いるんじゃな

北澤宏一先生

んです。北澤

電気を流さな

か、こういう

しかった。ア

導になった時

らしてみると

23

た。も

をそ

。単

生はま

全然違

マイナ

した。

そして

域が通

験して

いな

いか

生(現

澤先生

ないか

う理由

アルミ

時より

、ネ

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24

材料科学の条件は、社会に役立つこと

よく「挑戦的なテーマはオール・オア・ナッシング」と言う人がいますが、それを聞く

と「ああ、この人は本当の研究をやっていないな」って思います。そんな研究などあり得

ないからです。一生懸命やっていると、必ず新しい考え方やヒントが出てくる。物質は多

面的だから、ある面で切ったら見えないかもしれないけど、別の視点で切れば、必ず新し

い顔を見せてくれるんですよ。

材料科学を縛るのは、世の中のために役に立つ、それを目指すことだけです。すぐに役

立たなくても構わないけれども、いずれ必ず社会の役に立つことをする、それを目指すの

が材料科学の最低条件なんですね。

聞き手・本文構成:松尾 義之

株式会社白日社 編集長

インタビューを終えて

東京電力科学誌「イリューム」編集長

あまり伝えられないが、日本の科学技術の本当の強さは「本物の研究」がきちんと存続・

支援されているところにある。正式な組織があるわけではないが、きちんとわかっている

人々がいて「あの人の仕事はいい」と評価している(としか考えられない)。当の研究者

を含む彼らを、私は「豊かな地下水脈」と呼んできた。細野先生もまたその1人、ピカピカ

の一級品としか言いようがない。

1986年の超伝導騒動の折、後にノーベル賞を受賞するミュラー博士にロンドンで失礼な

質問したことがある。「あなたが発見の根拠としたヤン・テラー・ポーラロンを信じてい

る科学者は皆無のようだが……」。博士は壇上から私の席までやって来て、持論をまくし

立てた。こっちも「なら、どういう実験で証明するのか」と反論すると、最後は「I will do」

だった。クリスマス講演会で有名な講堂での出来事である。卓越した科学者に共通するの

は、深い知識と合理性に基づきつつ「極端にバイアスをかけた論理」を展開することだ。

細野先生にこの話をしたら、「それが“信念”なんです」と切り返された。「ただ、女房に言

わせると“僕の勝手な思い込み” になる」。一級の科学者は話術も1つ抜けている。

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20

温度で

体」が

の最高

除けば

銅酸化

可能で

めに、

性)、

薄いバ

ョセ

これま

ョセ

ってき

の構造

なる

タキシ

構造に

特性

なI–V

い、

そのジ

子(SQ

ン接合

現象

して認

する

動作

伝導体

果です

さらに

ます。

研究

008年2月、私

で超伝導現象

が新しい高温

高Tc(超伝導

ば最高の56K

化物並に高磁

で、さらに、

、実用上非常

超伝導体は、電

外部磁場を

バリア層を通

フソン効果)

まで、鉄系超

フソン効果を

きました。図

造を示します

ように接合さ

シャル薄膜を

に加工してい

を示します。

V特性が得ら

ジョセフソ

ジョセフソン

QUID)を試作

合素子を含ん

を利用したデ

認識されてい

と、周期的な

しました(図

体薄膜を用い

す。今後は、

に新しい研究

究紹介

鉄系超伝

私たちの研究

象を示すとい

温超伝導体と

導に転移する

Kにまで達し

磁場中でも超

、銅酸化物と

常に期待でき

電気抵抗が完

を内部から排

通して電圧を

)といった特

超伝導体のC

を用いた超伝

図1に作製し

す。面内の[1

させたバイク

を形成し、傾

います。図2

。非線形型の

られ、傾角粒

ン接合として

ン接合を応用

作しました。

んだ超伝導ル

デバイスで、

います。実際

な電圧変調が

図3はノイズ

いたデバイス

、薄膜オリジ

究成果を目指

伝導体薄

究グループに

いうことを発

として認識さ

る温度)は、

しています。

超伝導現象を

とは異なった

きる新材料で

完全にゼロで

排除する(完

をかけずに電

特異な現象を

Co添加BaFe2

伝導デバイス

したジョセフ

100]の結晶方

クリスタル基

傾角粒界を含

2にマイクロ

のジョセフソ

粒界がバリア層

て動作しまし

用して超伝導

SQUID素子

ループでの磁

超微弱な磁

際に、外部か

が観察され、

特性)。これ

ス動作の最初

ジナルな特徴

指していきた

薄膜を用い

により、F添加

発見されて以

され、世界中

YBa2Cu3O7

この鉄系超伝

を維持するこ

た利点も有す

です。

である(完全

完全反磁性)、

電気が流れる

を示します。

2As2において

スの作製を行

ソン接合素子

方位が対称的

基板上に、エ

含んだブリッ

ブリッジのI

ソン接合に特

層の役割を担

した。さらに

導量子干渉素

子はジョセフ

磁束の量子化

磁場の検出器

から磁場を印

SQUIDとし

れらは、鉄系

初の実証の成

徴を生かして

たいと思って

図 1:

いたデバ

加LaFeAsO

以来、「鉄」を

中で集中的な

-δに代表され

伝導体は、第

ことが

するた

全導電

ごく

る(ジ

私は

て、ジ

的に

エピ

ッジ

I–V

特有

に、

器と

て、

てい

図 2

図 3

:粒界ジョセ

バイス応

(LaFeAsO1-xF

を含む超伝導

な研究が立ち

れる銅系酸化

第2種超伝導体

2:ジョセフソ

:SQUID のノ

フソン接合

応用 D3 片瀬

xFx)が26Kと

導体「鉄系超

ち上がり、現

化物系超伝導

体に属してい

ソン接合の I–

ノイズ特性

26

の構造

瀬貴義

と高い

超伝導

現在そ

導体を

いて、

I–V 特性

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Re

enviro

absor

solar

into h

the so

which

Se

band

band)

it gets

comp

make

greate

throu

band-

to the

in Fig

My

cell ab

400 n

expec

solar

研究

ecently, black

onment such

rb only limite

cell in Figure

heat or reflect

olar cells redu

h can capture

emiconductor

bound electro

). Electrons in

s energy enou

posed of p and

e a depletion r

er energy than

gh the solar c

-to-band elect

e depletion re

gure 2.

y study is to a

able to absorb

nm correspon

ct to increase

cell is catego

究紹介

The sol

k or blue solar

as on the roo

d range of lig

e 1), and it m

tion loss. The

ucing energy

all the energ

has the band

ons (valence

n valence ban

ugh to release

d n type semi

region when c

n the band ga

cell, it may be

tronic transiti

gion before th

apply transpa

b the energy o

ding band ga

open circuit

orized to the t

ar cell ab

r cell panels h

ofs or light sta

ght among so

eans that the

erefore, many

loss by apply

gy from sun, a

d gap which is

band) and the

nd can move t

e from the val

iconductors, u

conjunct them

ap of the semi

e absorbed by

ion, so an ele

hey recombin

arent amorpho

of UV light. a

p of 3 eV am

voltage and m

top solar cell

bsorbing

have been see

ands on the st

olar radiation

rest of them

y researchers

ying various m

as shown Figu

s the gap betw

e empty band

to conduction

lence band. S

use this chara

m. When sola

iconductor pa

y the material

ectron/hole pa

ne, then they

ous In-Ga-Zn

a-IGZO based

mong the solar

may lead to in

in Figure 1.)

Figure 2. a-I

energy o

en in our

treet. They

(the bottom

is converted

have studied

materials

ure 1.

ween the

d (conduction

n band when

Solar cells,

acteristic and

ar light with

asses

l. This absorp

air is produce

are separated

n-O (a-IGZO)

d solar cell ca

r radiation an

ncrease in the

IGZO / Si sol

of UV lig

n

ption takes th

ed. If these ca

d by the electr

) semiconduc

an absorb shor

d a-IGZO ba

e efficiency (a

Figure 1. So

each solar c

lar cell

ght D3 李

he form of a

arriers can dif

ric field, as sh

ctor into the s

rt wavelength

ased solar cell

a-IGZO base

olar spectrum

cell using it

27

敬美

ffuse

hown

solar

h of

l can

d

m and

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行って

状化合

ZrCu

MAs

な3d遷

Niの場

加す

ます。

(下表

に置換

のドー

超伝導

内Mn

を明

ばよ

研究

私は鉄系超伝導

ています。具

合物の中でも

SiAs型構造は

(MはMn, Fe

遷移金属に置

場合はFeと同

い反強磁性

ることによ

。そこで本研

表)。これま

換すると同時

ーピング効果

導体は得られ

n間に強い相

らかにしまし

り高い転移温

究紹介

新し

導体に関する

具体的には、

も、特に3d遷

は、下図のよ

, Co, Niなど

置換が可能で

同様の超伝導

の転移温度を

りその反強磁

研究では、高

まで知られた

時にOをFに置

果を検討して

れておりませ

相互作用があ

した。この後

温度の新超伝

図:Zr

しい高温

る研究と共に

鉄系超伝導

遷移金属を含

ように絶縁層

の3d遷移金属

であり、Mnの

導、と様々な

を示す銅系超

磁性配列を崩

高い反強磁性

LnMnPnO (P

置換したAeM

ています。現

せん。しかし

り反強磁性の

後この強靱な

伝導体として

rCuSiAs 型構

温超伝導体

に、新しい高

導体の代表物

含む伝導層を

層と呼ばれる

属)層から構

の場合は反強

な物性を示す

超伝導体や鉄

崩すことによ

性の転移温度

Pn = P, As, Sb

MnAsF(Ae =

現在のところ

しながら、F

の転移温度が

な反強磁性配

て有望である

構造を有する

:特性の比較

体を目指

高温超伝導体

質である111

をもつ層状構

るLnO層(Lnは

構成されてい

強磁性の半導

す。

鉄系超伝導の

よって、高い

度を示すMn系

b)に加え、L

Sr, Eu, Ba)を

ろ、これら一

e系化合物と

が面内の距離

配列を何らか

ると信じて日

Mn 系 1111

指して

体を目指して

11系と呼ばれ

構造に着目し

は希土類)と伝

いる。Mサイト

導体、Coの場

の場合には、

い温度で超伝

系1111化合物

Lnをアルカリ

を新たに合成

一連のMn系化

とは異なって

離に依存する

かの方法で消

日々研究して

化合物

D3 柳

て新物質の探

れるZrCuSiA

しています。

伝導層と呼ば

トは鉄のほか

場合は強磁性

電子や正孔

伝導が発現し

物に注目しま

リ土類金属(S

成し、電子や

化合物から新

て、第一近接

る傾向を示す

消すことがで

ています。

28

柳基勲

探索を

As型層

その

ばれる

か様々

性金属、

孔を添

てい

ました

Sr, Ba)

や正孔

新しい

接の面

すこと

きれ

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20

伝導物

鉄砒素

トを

行い最

れば液

ます。

鉄系及

てドー

いては

在のT

めに本

して、

上の

Tcが上

内の水

伝導体

まって

られ

ドー

った魅

研究

鉄系

008年に本研究

物質が急速に

素層を伝導層

フッ素で置換

最大で55Kと

超伝導研究に

液体窒素下で

。残念ながら

及び銅系超伝

ームを描くこ

はオーバー

Tcが本当に最

本研究ではフ

、水素は111

ドーピングが

上昇すること

水素の含有量

体における

ているのか、

ると考えてい

ピングが出来

魅力的なキー

究紹介

系超伝導

究室にて発見

に研究、発見

層とした111

換または、酸

という高い超

おける醍醐味

での使用が可

ら現在のとこ

伝導体では電

ことが報告さ

ドープ側の挙

最適値である

フッ素の代わ

1系化合物に

が可能で有る

とも明らかに

量を容易に決

ドーピング依

、より高いTc

います。また

来れば超伝導

ーワードを実

導体にお

見された鉄系

見されてきま

1系と呼ばれ

酸素サイトに

超伝導転移温

味の一つに高

可能となり実

ころ鉄系超伝

電子または正

されています

挙動が見えて

るのかを判断

わりに水素を

に対して先述

ることが分か

になってきて

決めることが

依存性を系統

cを得るには

た従来超伝導

導を発現する

実現すること

おける水素

系超伝導体L

ました。その

れる構造を持

に欠損を意図

温度Tcを持つ

高いTcを目指

実用化に向け

伝導体のTcは

正孔ドープ量

すが、鉄系超

ておらず、ド

断することが

をH–としてド

述のフッ素や

かってきまし

ています。さ

が可能です。

統的にまとめ

どのような

導を示さない

る可能性があ

とを意識して

素ドーピ

LaFeAsO1–xFx

の中でも希土

持つ物質RnFe

図的に入れる

ことが知られ

指すという事

けての大きな

55Kで頭打ち

量に対してTc

超伝導物質で

ープが可能

ができません

ドーピングす

や酸素欠損よ

した。これらの

らに、水素は

これらの水

め、明確にす

アプローチが

い類似物質に

あります。“新

て日々研究を

ピングの

xを皮切りに

土類酸化物層

eAsO(Rn=希

ることによっ

れています。

事があります

な一歩を踏み

ちとなってい

cが上昇し最適

最も高いTcを

な固溶限界も

ん。これらの問

する方法を発

りも固溶限界

の結果から一

は加熱するこ

水素の特性を

することで、

が必要かを知

に対しても、

新しい”、“77

を行っていま

の効果 D2 半那

数多くの鉄

層をブロック

土類)は酸素

って電子ドー

す。Tcが77Kを

み出すことが

います。一般

適値を頂点

を持つ1111系

も約20%程度

問題を解決す

発見しました

界が広く、4

一部の1111物

ことで気化し

を生かして鉄

なぜTcが55K

知る手掛かり

もっと高濃

7Kを超えた

ます。

29

那 拓

系超

層、

素サイ

プを

を超え

でき

般的に、

とし

系にお

度で現

するた

た。そ

40%以

物質の

し試料

鉄系超

Kで止

りが得

度の

た”とい

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a-IGZ

企業か

次世代

ィスプ

性に大

モル

実現で

進め

てきて

TA

ース

現され

イス作

TAOS

ットキ

しない

より大

できま

件に

得るの

影響

とがで

のア

を持っ

一層広

研究

ZO/Pt ショ

アモ

毎年日本で開

からの試作品

代に向けたデ

プレイに欠か

大きく影響を

ファス酸化物

できない優れ

られてきまし

ており、使え

AOSの半導体

としたオプ

れてない高性

作製とともに

Sと金属のシ

キー接合は半

いMESFETや

大きな仕事関

ます。しかし

よっては極端

のは難しいこ

をできるだけ

できました。

本研究室の長所

ドバイスや蓄

った人々が集

広がった視野

究紹介

ットキー接合

モルファ

かれる「フラ

品も展示され

ディスプレイ

かせないスイ

を受けますが

物半導体)を

れた特性を持

した。たった

える新材料発

体材料として

トエレクトロ

性能p型半導

にそれらの物

ショットキー

半導体側の電

や太陽電池な

関数をもつ金

し、酸化物半

端な場合オー

ことが知られ

け抑えること

所としては、

蓄積されたノ

集まっている

野を持つこと

合の J-V 特性

ス酸化物

ラットパネル

れ、高解像・

イが見学でき

イッチング素

が、2004年当

を用いたTFT

持つことから

た数年間です

発見の威力を

ての歴史は他

ロニクス展開

導体の開発は

物理的な特性

ー接合による

電子状態評価

などの光セン

金属を接触さ

半導体の場合

ーミック特性

れています。

とで、TAOS

、研究に集中

ノウハウが多

るため、互い

とができると

性 a-IGZO

た ME

物/金属

ルディスプレ

・大画面3Dテ

きます。その

素子(薄膜トラ

当研究室が発

Tが、従来の

ら、ディスプ

すでにTAOS

を実感してい

他の半導体に

開のためには

もちろん、T

性をきちんと

デバイスに着

価に有用であ

ンサーに応用

させると、通

合はショット

性を示すこと

しかし、Pt

/Ptの良好な

中できる環境

多いことと思

いに刺激し合

と思います。

O/Ptショッ

ESFET の伝達

属のショ

レイ(FPD)の総

テレビや透明

の次世代ディ

ランジスタ、

発見した新し

のアモルファ

プレイ応用を

TFTを用いた

います。

に比べまだ浅

は、より優れ

TFT以外のオ

と調べる必要

着目していま

あるとともに

用ができる長

通常は整流性

トキー特性の

ともある)、理

を用いて半導

なショットキ

境はもちろん

思います。ま

合い学び考え

ットキー接合を

達および出力

ットキー

総合技術展」

明で曲がるデ

スプレイの

TFT)など個

しい半導体材

スSiをベース

を目指して猛

たLCDが実用

いため、これ

れた特性のTA

オプトエレク

要があります

ます。簡単な

に、別の誘電

長所を持ちます

性を示すショ

のバラツキが

理想的なショ

導体との界面

キーダイオー

ん、先生方や

また様々なバ

えることで研

をもちい

特性

ー接合 D2 李

」では、世界

ディスプレイ

の性能は、特

個々のデバイ

材料TAOS(透

スとしたTFT

猛烈な研究開

用化されよう

れからTAOS

AOS材料やま

クトロニクス

す。そこで私

な構造を持つ

電材料層を必

す。半導体と

ットキー接

が大きく(作

ョットキー接

面に与えられ

ードを作製す

や先輩皆さん

バックグラウ

研究生活以外

30

棟熙

界中の

イなど

特にデ

イス特

透明ア

Tでは

発が

うとし

Sをベ

まだ実

スデバ

つショ

要と

とそれ

接合が

作製条

接合を

れる悪

するこ

んから

ンド

外にも

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取って

換して

サイ

で部分

にキ

ャリア

入した

をもた

的に電

その

正孔

りま

でなぜ

で置換

いるの

Ca, S

研究

状構造を持つ

ています。こ

てFeAs層にキ

トを1価のK

分置換して直

ャリアを注入

アを注入した

た報告例は無

たらすのか興

電子を注入し

の結果、2万

うちSrFe2As

を注入した場

したが、①な

ぜSrFe2As2だ

換すると電子

のか?といっ

後はそれら

1: AeFe2As2

r, Ba, Eu).

究紹介

層状構造

つAeFe2As2(A

これらの物質

キャリアを注

Kで部分置換

直接的にFeA

入した方が超

た例は、正孔

無いため、正

興味が持たれ

した物質の合

万気圧程度の

s2にLaを部分

場合(K置換:

なぜ正孔を注

だけがLaを部

子的な不安定

った疑問が出

の疑問を解明

の結晶構造.

を持つ新

Ae =Ca, Sr, B

質群はFeAs層

注入する事に

換して間接的

As層に電子を

超伝導転移温

孔を注入した

正孔と電子ど

れていました

合成を試みま

の高圧下でAe

分置換した物

38K)と比較

注入した方が

部分置換する

定があるとさ

出てきます。

明していこう

. Ae は(Ae =

A

F

A

新規超伝

Ba, Eu)はAe原

層が電気伝導

によって超伝

的にFeAs層に

を注入する事

温度が高い傾

た例(Aeサイ

どちらを間接

た。そこで、

ました。

eFe2As2にLa

物質が22Kで超

して超伝導転

が、超伝導転

ると超伝導を

されているが

うと思ってい

Rei

sitiv

ity (m

Ωcm

)4π

χ

(b

As

Fe

Ae

伝導体Sr1

原子層とFe-A

導層となって

伝導が発現し

に正孔を注入

事で超伝導が

傾向がありあ

イトをKで部分

接的に注入し

Aeサイトを

を部分置換し

超伝導になる

転移温度は低

転移温度が高

を引き起こす

が、電子構造

います。

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0 10

-1.0

-0.5

0.0

Te

図 2: Sr0.6La0.4F

)磁化率の温

1-xLaxFe2

As層が積層

ており、構成

します。 例え

入、②Feをd電

が誘起され、

あます。しか

分置換)しか

した方が高い

を3価のLaで置

した物質を合

る事が明らか

低くなること

くなるのか

のか?③バン

造は実際にど

20 30

emperature (K

Fe2As2 の(a)電

温度依存性

2As2 D1 村場

した結晶構造

成元素の一部

えば、①2価

電子が1つ多い

FeAs層に間

かし、間接的

か無く、電子

い超伝導転移

置換する事で

合成する事が

かになりまし

とが実験的に

?②AeFe2As

ンド計算では

どのようにな

40 50

(a)

(b)

K)

電気抵抗率

31

場 善行

造を

部を置

価のAe

いCo

間接的

にキ

子を注

移温度

で間接

ができ、

した。

に分か

s2の中

はLa

って

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子構造

膜ト

年現在

がま

TFTの

研究

ができ

を詳細

た。

をシ

の電気

てお

を予測

の研究

るこ

研究

本研究室で発見

造に由来する

ランジスタ

在、最初の報

もなく市場に

の研究開発を

を始めてお

きました。

企業での私の研

細に検討する

このため、キ

ミュレーシ

気的特性です

り、モデルが

測できるので

現在は、本研究

究を行ってい

とが目標です

究紹介

透明アモ

見された透明

る高い電流能

(Thin-Film-

報告(2004年

に出る、とい

を行っていま

り、幸運にも

研究テーマは

ると、既存の

キャリア密度

ョンにて検証

す。本動作モ

が妥当である

で、デバイス

究室の学生

います。その

す。

ルファス

明アモルファ

能力(移動度

-Transistor,T

年)から数年

いう状況にな

ました。その

も、このa-IG

は、a-IGZO

のa-Si TFTの

度に依存する

証しました。

モデルを用い

ることを示し

スの設計・開

として、透明

の電子構造に

ス酸化物

ァス酸化物半

度)から、従

TFT)の半導

年で、a-IGZO

なっています

企業は、a-IG

GZO TFT技術

TFTの動作モ

モデルでは説

る移動度を用

図は、測定

いたシミュレ

しています。

開発が容易に

明アモルファ

に基づく新た

物TFTの

半導体In-Ga-

従来のアモル

導体材料とし

TFTを用い

。私は、2010

GZO TFTの発

術の急速な発

モデルの構築

説明できない

用いた動作モ

定とシミュレ

レーションは

本モデルを

になります。

ァス酸化物半

たな特長を持

動作モデ

-Zn-O(a-IGZ

ルファスSi(a

して注目され

た製品(液晶

年まで、企業

発見後すぐに

発展に、初期

築でした。a-

い点があるこ

モデルを構築

レーションに

は、測定され

を用いれば、

半導体を用い

持った機能デ

デル D1 安部

GZO)は、そ

a-Si)に変わ

れています。

晶ディスプレ

業においてa-

に本研究室と

期から携わる

-IGZO TFTの

ことがわかり

築し、その妥

によるa-IGZO

れた特性を再

a-IGZO TFT

いた機能デバ

デバイスを獲

32

部勝美

その電

わる薄

2011

レイ)

-IGZO

と共同

ること

の特性

りまし

妥当性

O TFT

再現し

T特性

バイス

得す

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201

(MRS

nature

野は特

だと思

に招待

に参加

けて

して今

ました

究設備

な自然

今回

Maior

201

Photo

Photo

EU-

CIGS

陽電池

な学会

a-In-G

題名で

他のポ

した。

で、

向や産

た。今

学会で

1 年 4 月 25

S) Spring mee

e in iron pnic

特に競争が激

思っています

待していただ

加して頂いた

よい経験にな

今後の共同研

た。LANL で

備があり、と

然に恵まれ、

このような機

rov 氏には感

0年 9月 6日

ovoltaic Solar

ovoltaic Energ

-PVSEC は 1

S を中心に、

池まで研究発

会でした。私

Ga-Zn-O / p-t

でポスター発

ポスター発表

。また、この

自分の研究分

産業界におけ

今後は、この

では口頭発表

日から、アメ

eting に参加

ctide supercon

激しく、ライ

す。学会後、ア

だき、私が行

た LANL の職

なりました。

研究について

では、多種多

とても良い環

、穏やかな気

機会をアレン

感謝していま

日から 10日ま

r Energy Con

gy Conversio

10 以上のセ

ワイドギャ

発表と Exhib

私は“Photovo

type c-Si hete

発表を行いま

表や講演など

のような大き

分野に限定さ

けるニーズな

の経験を自分

表で行きたい

メリカのサン

しました。私

nductors”とい

イバルも多い

アメリカニュ

行ってきた研

職員・ポスド

その後、こ

て夕方まで議

多様な研究所

環境でした(

気分になれる

ンジしてくれ

ます。

まで、スペイ

nference and E

on に参加しま

ッションから

ップの太陽電

bition が行わ

oltaic propert

erojunction so

ました。発表

どを聞いて大

きな国際学会

されず、幅広

などをよく知

分の研究に活

いと思ってい

海外渡航

ンフランシス

私は超伝導の

いうタイトル

い中で、招待

ューメキシコ

研究に関して

ドクの方たち

れまでのそ

議論を行い

所と豊富な研

周りは広大

場所です)。

れた Boris

ンのバレンシ

Exhibition (E

ました。

らなり、シリ

電池から有機

われるという

ties of n-type

olar cells”と

表以外の時間

大変勉強にな

会に参加する

広い最新の研

知る事が出来

活かすと共に

います。

コで開催さ

のセッション

ルで招待講演

待講演をさせ

コ州のロスア

てセミナーも

ちから有意義

シアで開催さ

EU-PVSEC) a

コン・

機物太

大き

e

いう

間は、

なりま

ること

研究動

来まし

に次の

れた Materia

ンで、“Robu

演を行いまし

せて頂けたの

アラモス国立

も行ってきま

義な質問、ア

された国際学

and 5th World

D3 片瀬

al Research S

ust grain boun

した。超伝導

のは、名誉な

立研究所(LA

ました。セミ

アドバイス等

D3 李

学会 25th Eur

d Conference

33

瀬貴義

Society

ndary

導の分

こと

ANL)

ナー

等も頂

敬美

ropean

on