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VICENTE MUÑOZ SANJOSÉVICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

UNIVERSITAT DE UNIVERSITAT DE VALÈNCIAVALÈNCIA

Electromagnetic field diffusion in ferromagnetic Electromagnetic field diffusion in ferromagnetic materialsmaterials (1980-1984)(1980-1984)

Characterizacion of high Tc superconductors Characterizacion of high Tc superconductors

(1987-(1987-1989)1989)

Crystal growth and characterization of materialsCrystal growth and characterization of materials(1987-(1987-

Research fieldsResearch fields



Electromagnetic field diffusionElectromagnetic field diffusion in a ferromagnetic half space: in a ferromagnetic half space:

analytical solutionanalytical solution

Electromagnetic field diffusion: Electromagnetic field diffusion: numerical solutionnumerical solution

Electromagnetic field diffusion in Electromagnetic field diffusion in ferromagnetic materialsferromagnetic materials


AdvisoryAdvisoryProf. V. SuchProf. V. Such

Electromagnetic field diffusion in Electromagnetic field diffusion in ferromagnetic materialsferromagnetic materials

Design and installation of a system for the measurement of Design and installation of a system for the measurement of

hysterhysteresis loopsesis loops

– Static and dynamic behaviourStatic and dynamic behaviour

Study and modellitation of hysteresis loopsStudy and modellitation of hysteresis loops

Study of the diffusion equationStudy of the diffusion equation

– Analytical aproachAnalytical aproach

– Numerical aproachNumerical aproach

Experimental and theoretical study of power losses in Experimental and theoretical study of power losses in

ferromagnetic materialsferromagnetic materials


AdvisoryAdvisory

Prof. A. SeguraProf. A. Segura

Synthesis of BiSrCaCuO and Tl-Ba-Ca-Cu-Synthesis of BiSrCaCuO and Tl-Ba-Ca-Cu-O compoundsO compounds

Study of the resistivity as a function of Study of the resistivity as a function of temperaturetemperature

Determination of Determination of criticcritic temperature and temperature and currentcurrent

Synthesis and characterization of high Synthesis and characterization of high Tc superconductorsTc superconductors

ObjectivesObjectives

““Preparación y caracterización de capas delgadas de óxidos mixtos Preparación y caracterización de capas delgadas de óxidos mixtos

superconductores de los sistemas Bi-Sr-Ca-Cu-O y Tl-Ba-Ca-Cu-O superconductores de los sistemas Bi-Sr-Ca-Cu-O y Tl-Ba-Ca-Cu-O

mediante técnicas de evaporación en vacío ” Programa Midasmediante técnicas de evaporación en vacío ” Programa Midas


Crystal growth laboratoryCrystal growth laboratory

Bulk crystalsBulk crystals

Sample preparationSample preparation

Epitaxial layers Epitaxial layers

Crystal growth and characterization ofCrystal growth and characterization ofsemiconductorssemiconductors


III-VI MaterialsIII-VI Materials

II-VI Materials II-VI Materials

Other MaterialsOther Materials

Crystal growth and characterization of Crystal growth and characterization of semiconductorssemiconductors



AdvisoryAdvisoryProf.Prof.

A. SeguraA. Segura

CollaborationsCollaborationsTeams ofTeams of

Prof R. ParejaProf R. ParejaProf. A. ChevyProf. A. Chevy

• Crystal growth of III-VI materials Crystal growth of III-VI materials

• Study of physical propertiesStudy of physical properties

• Physical properties under high presurePhysical properties under high presure

Crystal growth and characterization of Crystal growth and characterization of semiconductorssemiconductors

Actividad investigadoraActividad investigadora

III-VI SEMICONDUCTORS III-VI SEMICONDUCTORS




““Crecimiento, caracterización y aplicaciones de nuevos Crecimiento, caracterización y aplicaciones de nuevos materiales semiconductores” CICYT PA86-294materiales semiconductores” CICYT PA86-294

““Crecimiento, caracterización y aplicaciones de nuevos Crecimiento, caracterización y aplicaciones de nuevos materiales semiconductores” CICYT PA86-294materiales semiconductores” CICYT PA86-294

Crystal growth and characterization of Crystal growth and characterization of Semiconductors Semiconductors (III-VI)(III-VI)

““Crecimiento, caracterización y aplicaciones de semiconductoresCrecimiento, caracterización y aplicaciones de semiconductores para la óptica no lineal” CICYT MAT90-0242para la óptica no lineal” CICYT MAT90-0242

““Crecimiento, caracterización y aplicaciones de semiconductoresCrecimiento, caracterización y aplicaciones de semiconductores para la óptica no lineal” CICYT MAT90-0242para la óptica no lineal” CICYT MAT90-0242

““Estudio de propiedades estructurales, ópticas, magnéticas Estudio de propiedades estructurales, ópticas, magnéticas y de transporte de semiconductores bajo altas presiones”y de transporte de semiconductores bajo altas presiones”

““Estudio de propiedades estructurales, ópticas, magnéticas Estudio de propiedades estructurales, ópticas, magnéticas y de transporte de semiconductores bajo altas presiones”y de transporte de semiconductores bajo altas presiones”


III-VI MaterialsIII-VI Materials

GaSeGaSe

InSeInSe GaSGaS

InInxxGGaa1-x1-xSeSe DopadoDopado

Crystal growth and characterization of Crystal growth and characterization of Semiconductors (Semiconductors (III-VI)III-VI)


GaTeGaTe


II-VI MaterialsII-VI Materials



II-VIII-VI SEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS

AdvisoryAdvisoryV. Muñoz-SanjoseV. Muñoz-Sanjose


Prof. J.A. GarcíaProf. J.A. GarcíaProf. J. PiquerasProf. J. PiquerasProf A. SeguraProf A. Segura

• Crystal growth (bulk and layers)Crystal growth (bulk and layers)• Alternative methods to the crystal growth and study Alternative methods to the crystal growth and study

of optimal conditionsof optimal conditions• Hidrodynamical study of growth processesHidrodynamical study of growth processes• Study of defects and correlation with growth Study of defects and correlation with growth

conditionsconditions• Luminescence and cathodoluminescence of II-VI Luminescence and cathodoluminescence of II-VI

materials. materials. •Potential aplicationsPotential aplications



Crystal growth and characterization of Crystal growth and characterization of Semiconductors Semiconductors


““Crecimiento cristalino y caracterización de cristales semiconductoresCrecimiento cristalino y caracterización de cristales semiconductores II-VI, aleaciones y materiales semimagnéticos IIVI-MnVI”II-VI, aleaciones y materiales semimagnéticos IIVI-MnVI”

(GV-2005/94)(GV-2005/94)

““Crecimiento cristalino y caracterización de cristales semiconductoresCrecimiento cristalino y caracterización de cristales semiconductores II-VI, aleaciones y materiales semimagnéticos IIVI-MnVI”II-VI, aleaciones y materiales semimagnéticos IIVI-MnVI”

(GV-2005/94)(GV-2005/94)

““Crecimiento cristalino caracterización y aplicaciones de compuestosCrecimiento cristalino caracterización y aplicaciones de compuestos II-VI y aleaciones” (MAT98-0975-C02-01)II-VI y aleaciones” (MAT98-0975-C02-01)

““Crecimiento cristalino caracterización y aplicaciones de compuestosCrecimiento cristalino caracterización y aplicaciones de compuestos II-VI y aleaciones” (MAT98-0975-C02-01)II-VI y aleaciones” (MAT98-0975-C02-01)

““Crecimiento de capas epitaxiales de semiconductores II-VI y Crecimiento de capas epitaxiales de semiconductores II-VI y aleaciones a partir de la pirólisis de compuestos organometálicosaleaciones a partir de la pirólisis de compuestos organometálicos

MOCVD. Aplicaciones a la fotodetección” (1FD97-0086)MOCVD. Aplicaciones a la fotodetección” (1FD97-0086)

““Crecimiento de capas epitaxiales de semiconductores II-VI y Crecimiento de capas epitaxiales de semiconductores II-VI y aleaciones a partir de la pirólisis de compuestos organometálicosaleaciones a partir de la pirólisis de compuestos organometálicos

MOCVD. Aplicaciones a la fotodetección” (1FD97-0086)MOCVD. Aplicaciones a la fotodetección” (1FD97-0086)

Crystal growth and characterizartion of Crystal growth and characterizartion of Semiconductors (Semiconductors (III-VI)III-VI)


““Crecimiento cristalino, caracterización y aplicaciones de capas Crecimiento cristalino, caracterización y aplicaciones de capas epitaxiales de semiconductores II-VIepitaxiales de semiconductores II-VI

(GV01-536)(GV01-536)

““Crecimiento cristalino, caracterización y aplicaciones de capas Crecimiento cristalino, caracterización y aplicaciones de capas epitaxiales de semiconductores II-VIepitaxiales de semiconductores II-VI

(GV01-536)(GV01-536)

““Crecimiento cristalino y caracterización del óxido de zincCrecimiento cristalino y caracterización del óxido de zinc””M .E.C.( MAT 2001-2920-C03-01)M .E.C.( MAT 2001-2920-C03-01)

““Crecimiento cristalino y caracterización del óxido de zincCrecimiento cristalino y caracterización del óxido de zinc””M .E.C.( MAT 2001-2920-C03-01)M .E.C.( MAT 2001-2920-C03-01)

““Semiconductor oxides for UV optoelectronics, surface Semiconductor oxides for UV optoelectronics, surface acoustics and spintronicsacoustics and spintronics

CE (Thematic Network) (G5RT-CT-2002-05075)CE (Thematic Network) (G5RT-CT-2002-05075)

““Semiconductor oxides for UV optoelectronics, surface Semiconductor oxides for UV optoelectronics, surface acoustics and spintronicsacoustics and spintronics

CE (Thematic Network) (G5RT-CT-2002-05075)CE (Thematic Network) (G5RT-CT-2002-05075)



““Materiales para la optoelectrónica: el óxido de cinc,Materiales para la optoelectrónica: el óxido de cinc, crecimiento cristalino y caracterización.crecimiento cristalino y caracterización.””

Acción integrada hispano-francesa (Picasso) HF2001-0066Acción integrada hispano-francesa (Picasso) HF2001-0066

““Materiales para la optoelectrónica: el óxido de cinc,Materiales para la optoelectrónica: el óxido de cinc, crecimiento cristalino y caracterización.crecimiento cristalino y caracterización.””

Acción integrada hispano-francesa (Picasso) HF2001-0066Acción integrada hispano-francesa (Picasso) HF2001-0066

““Crecimiento cristalino, caracterización y Crecimiento cristalino, caracterización y aplicaciones de semiconductores II-VIaplicaciones de semiconductores II-VI””

Generalitat Valenciana CTGCA/2002/3-7 Generalitat Valenciana CTGCA/2002/3-7

““Crecimiento cristalino, caracterización y Crecimiento cristalino, caracterización y aplicaciones de semiconductores II-VIaplicaciones de semiconductores II-VI””

Generalitat Valenciana CTGCA/2002/3-7 Generalitat Valenciana CTGCA/2002/3-7

““Crecimiento cristalino, caracterización y Crecimiento cristalino, caracterización y aplicaciones de capas epitaxialesaplicaciones de capas epitaxiales””

Generalitat Valenciana Acciones Especiales 2003Generalitat Valenciana Acciones Especiales 2003

““Crecimiento cristalino, caracterización y Crecimiento cristalino, caracterización y aplicaciones de capas epitaxialesaplicaciones de capas epitaxiales””

Generalitat Valenciana Acciones Especiales 2003Generalitat Valenciana Acciones Especiales 2003



ZnSeZnSe

HgTeHgTe

ZnTeZnTe

CdTeCdTe

HgHgxxZZnn1-x1-xTeTe

HgHgxxCCdd1-x1-xTeTe

ZnTZnTeexxSeSe1-x1-x

CdCdxxZZnn1-x1-xTeTeII-VI MaterialsII-VI Materials



AdvisoryAdvisoryV. Muñoz-SanjoséV. Muñoz-Sanjosé


Prof A. SeguraProf A. SeguraProf. J.A. GarcíaProf. J.A. García

Dr. I. TerryDr. I. TerryDr. R. TribouletDr. R. Triboulet

• Crystal growth of semimagnetic materialsCrystal growth of semimagnetic materials

• Crystal growth of materials with Crystal growth of materials with punctualpunctual interest interest

• New approachs to the growth techniquesNew approachs to the growth techniques

• CollaborationsCollaborations

Other materialsOther materials




Crecimiento cristalino y caracterización de cristales semiconductoresCrecimiento cristalino y caracterización de cristales semiconductores II-VI, aleaciones y materiales semimagnéticos IIVI-MnVI II-VI, aleaciones y materiales semimagnéticos IIVI-MnVI

(GV-2005/94)(GV-2005/94)

Crecimiento cristalino y caracterización de cristales semiconductoresCrecimiento cristalino y caracterización de cristales semiconductores II-VI, aleaciones y materiales semimagnéticos IIVI-MnVI II-VI, aleaciones y materiales semimagnéticos IIVI-MnVI

(GV-2005/94)(GV-2005/94)

Crystal growth and characterization of Crystal growth and characterization of SemiconductorsSemiconductors

(semimagnetic and other materials)(semimagnetic and other materials)


Crystal growth of

other materials

ZnZnxxCCoo1-x1-xSeSe

HgHgxxMnMn1-x1-xTeTe

ZnZn33PP22PbTePbTe

CdCdxxMMnn1-x1-xTeTeMnTeMnTe

Crystal growth and characterization of Crystal growth and characterization of SemiconductorsSemiconductors

(semimagnetic and other materials)(semimagnetic and other materials)



Experimental facilitiesExperimental facilities


Crystal growth laboratory. Bulk materialsCrystal growth laboratory. Bulk materials

Crystal growth laboratory: Epitaxial layersCrystal growth laboratory: Epitaxial layers

Other equipments Other equipments


Crystal growth laboratory. Bulk materialsCrystal growth laboratory. Bulk materials

• Synthesis of materialsSynthesis of materials

• Bridgman method. Horizontal and vertical configurationsBridgman method. Horizontal and vertical configurations

• Vapor phase transport: Vapor phase transport:

• PVTPVT

• CVTCVT

• Piper - PolishPiper - Polish

• Solution methods: Traveling Heater Method (THM) y Solution methods: Traveling Heater Method (THM) y

Cold Traveling Heater Method (CTHM)Cold Traveling Heater Method (CTHM)

• Solid phase recrystallization (SPR)Solid phase recrystallization (SPR)


Current ProjectsCurrent Projects

• Crystal growth, characterization and aplications of II-VI epitaxial layers Crystal growth, characterization and aplications of II-VI epitaxial layers

• Crystal growth and characterization of ZnO and based materialsCrystal growth and characterization of ZnO and based materials

• Semiconductor oxides for UV optoelectronics, surface acoustics and Semiconductor oxides for UV optoelectronics, surface acoustics and spintronicsspintronics

Documents

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