Greetings 인사말 당사는반도 체 , 디 스 플레이등의여 려분야에포토 리 소그 라피기술을응용하는공정에서 머세회로를형상화하여실제품상에 Pa粕 m을 얻 어 내기위한기 초 마 스 터 포토 □ ㅏ 스크 를 공급하는전문기업 입니 다 . ㈜네 포코 는 “ 고 객중심경영 ” 을 기업경영의가장큰 이념 으로샴 고 있는표토 □ ㅏ 스크전문 기업 으로 서 , f言義와正道 경영을바탕 으로고 객서비 스어 I 최선을다하 고 있습니다 . 골로벌 시대에 발맞춰 R&D활 동에 투자함 으로 씨 기솔우위의 근본적 경쟁력을 확 보 하는데 주력하 고 자, 성과주의 경영 , 투명경영 , 책임경영을 성공적 으로 정착시킴 으로 선진화된기업경영체제구축에 모든역 량을투입중에있습니다 “ 고 객뱐족”이 아닌 “ 고 객열광” 으로 목 표 가 변경 될 수 있 도 록 임직원 모 두가 일심단곁 하겠습니 다 . ㈜네 프코 는 이졔부터시쟉입니 다 . 고 객의이익 이바 로 회사의이익과일치한다는신념 으로 최선을다하겠습니다 . 垂賓 4 4 4 0 0 0 2 2 2 H ¡ st0'γ 회사연혁 2014 201 3 201 3 乏 01 2 201 0 2 00 9 2008 2007 2 006 200 5 21lO㎍ 2003 2002 2001 1 997 1 994 1 992 ISO14001 인 증획 득〈한국능률협회 경영 인 증원 〉 신축공장 확장이전〈국내 최대사이 즈 포토 마 스크 양산돌입〉 특허등록 (고 출력레이저를 이용한 패터닝용 고출력마 스크 및 그 제 조 방법〉 강 소 기 업 선정〈 고 용 노 동부〉 병 역 지정업 체서정〈 병 무청〉 ㅣ BK Fami㏉ 기업등록 KPCA 한국전자회로산업 협회회원사 등록 특허등록 (다 이렉 트 이 □ I 지구현을 이용한칩온글라 스<00G>저 ㅣ 조 방법 경기 도 기슐걔발사업수행 (포 토 ㅁi스 크 )경 기 도 유망중 소 기업 선정 기업부설연구소설립 기술혁신형중 소 기업ⅡNNo— 朗 킥인증취득 Mask Generator 도 입 :S0 9001 인 증획득[한 국능률협회경영인증웸 GPM A‘ 0 』도임 Mask Generatl⊃ r 도입 Mask Gener鐄 0r 도입 특허등록[로 컬시 스 템 ∼ 플로 텨간 인터페 0 ㅣ 스 방법 ] 공장이전 (안 산반월공단 ) 상 표 등록㈜네 프코 종합교 육혐력 약정 체결 [혜 전대 핵 특허등록略 AM ㏜∬㎄馝 히 연구개발전담부서설립 iso 9002인 증 획득 법 인전훼 상 호변 경 :(주 )너 ㅣ 프 쾨 Laser PIotter 도 입 G㎝ e빎 s ㎄λ )rl$注 ⅷ 0n도 입 L크 ser Pk⊃ 鋌¡ er 도 입 신전자기획설립 罷

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1. Greetings , Pam . , fI . R&D , , , . . . 4 4 4 0 0 0 2 2 2 H st0' 2014 201 3 201 3 01 2 201 0 2 00 9 2008 2007 2 006 200 5 21lO 2003 2002 2001 1 997 1 994 1 992 ISO14001 ( BK Fami KPCA ( I (i) NNo Mask Generator :S0 9001 [ GPM A 0 Mask Generatl r Mask Gener 0r [0 ] () [ AM iso 9002 :() Laser PIotter Ge s )rl$0n Lser Pker
2. E Beam Reicle Chrome Mask (Quartz)
3. #I , : : . / / I : . I I I (P 0T0 ASP , III , . P OTo + MASK ) 5 : ( ) . , , ' , ) . EmIs:0n ask (Soda L rn e) Chrome Aask (Soda Lime)
4. RE CLE (-beam) Ret cle Mask (Seppe (Photo Repeater) . Ic 1 10 , , (Photo Plate) ( ). l Throughput) I , ( Tip) . 1 'Shol) , 1 (S ngle Die Reticle) . Fine Pitch 2 m. Conte ts Specification Leve 1 3. O m CD ToIerance l). 3 m Only Qua z Base 2.3T 6,35T h a erial Size Data Format G S i , DW6, DXF 6ER R 1 .0 ,ll(QuaFtI) Coaed Chrorne Q artz - 7 i (az) : 5 10 7 i : ".P * 0.25 m (1 .OcC / 500mrn) PR(Photo Res ster) = fJo00 / 10000 Chrome Layer = 1000 Quaz / Soda Lir ne Q az Soda Lime PII I a e ia ) AI2 03 2 03 NA2 0 K20 R0 ea ProI:: ert es ema k Qua z 1 00 4 5 10-7 / c Soda Lime 1 1 5 1 0 31 9 10-7 I C Chrome 70 107 / iank ask 1 00 1 200 0 C D ' ate l'iaI Thickness 5 5" 6 6"
5. Chro e ask (coated Chro ne / Quartz or Soda Lime) Chrome Mask i |i ol | , i i 11 i ) . i { ne A,nd Space lmage I i I . , . . . . I i. 1 .0 (Soda L me) GIass - 1 00 90 80 70 60 50 40 30 20 1 lI 0 Chrorne Mask Process T , E Blank Mask Las Ex posi ng Washing & Dry / Inspection Contents Spec fication Leve 1 2 4 ]'(: {:i r(:)ss Gi'id Pi c h 0. 02fJ m 0. 05 m 0. 1 25 m 0. 25 m 0. 5 m C D 1 . 5m 3. 0 m 6, 0 m 1 0 m 1 5 m CD Tblerance 0.1 5m 0. 3 m 0, 5 m 0. 7Hm 1 .0 n M ate ria | Position Accuracy Thickness Material Size Quartz or Soda Lime base 1 .0 m < 500mm < 5.0m 1,6T 2.3T 3.0T 5.0T 10 5" 2.500mm E: 1(S0d3 Li''g) I : 81 X I O 7 * 4 05m (1 .0e / 500nnn) Etching PR Striping 81x10 -7/ c Cae C rome dLim Dev0p' ng 0 40I)600 Wave Length(nl)I) a Lim( :: :I 0 Y k: ss
6. :: -------------------------------- EmLj Is 0n Mask(coated Emuls0n / only Soda Lime Base) Emuls0n Mask () , Posit ve Resister . Base kx,a rne GIass , Emuls 0n Thickness 5^'7m Chrome I Edge Sha''pness , Chrome Mask ChroFK Mask ransmisSion() Humid Foks(. , lm Mask Position Accura y . Conte nts Spec fication Address Gr d Pitch 1 . 25 m CD (Cr t caI Dimension) 35 m CD Tblerance 3.0m M ate rial Only Soda Lrne BI::; se Pos tion Accuracy 5.Om ''' 20 m Thickness 2.3T 4.8T nllater aI S ze 14 17" ,' 59" 1.0 (Soda Lime) 500 mm ': :::i =:i: :-:rr: : ' : = : : * : - i ] ". = ---::::t= -- : :::: ::.r ::;::::: :i: : : :: : -=::::-::: -:: :: mulsion ass PIate Emuls 0n Ma:sk Process i * :; Coated Emuls 0n Soda L me :-:: ': :: :-::: : - :- :::: : :: Es o1 = 5.0 ''' 7.5 m Soda Lime Back Coat ::: :: : Wosh'r & Dry: / Inspection ::: :: ::::::: : :: -::: ::::::::: : 20.0 ml 5.0 m 81 x1 0-7/ ::: ::::-: : ::::::: -:: : :':: 5 ''' 7.5 m 511 C ":'' ser Expos ngEmulsion GIass PIate
7. | || PE:L:l:CiEM : : :: : ::::::::::: : :::Def b :;
8. , : : : E E1 :::::!:::; : ii! (CAD)0 . , l: L , U :LI ' , i :I i.: EI i , I i I 0 : I i , ! i . : Form DWC . DXF. G RBER. DPF ODB++ . GDS il:: . Mask: I dge , 10 25nnm 0i i Li0f I 0: . : ::-::-=:::-::::: : : : :: ::::::::::-: : : -::