Bài tập phần BJT

7/30/2019 Bi tp phn BJT

1/22

Created by Mondeo

Ti li u tham kh o, vui lng ko in n photothanks

A. Cu h i ph n BJT. cu tr l i l cu c bi 3.1. Gi i thi u v BJT.1. Ba i n c c c a BJT l g ?

a. pht [emitter], g c [base], gp [collector]. b. T1, T2, T3.c. ngu n [source], c ng [gate], mng [drain]. d. emitter, gate, collector.

2. M i tn trong k hi u m ch c a BJT lun lun ch vo lo i v t li u no ?

a. d ng P; b. d ng N; c. d ng base; d. d ng PN.

3. Cc BJT c phn lo i thnh . . . .

a. cc d ng c PPN v PIN. b. NPN v PNP.c. cc d ng c NNP v PPN. d. d ng N v d ng P.

4. K hi u m ch c a transistor PNP l . .b . .

3.2. C u t o c a BJT.5. C bao nhiu ti p gip PN trong BJT?

a. 0. b. 1. c. 2. d. 3. e. 4.

6. Lo i v t li u no l vng base c a transistor PNP?

a. d ng P. b. d ng N c. d ng base. d. d ng PN.

7. So v i vng collector v emitter, vng base c a BJT l . . . .

a. r t dy. b. r t mng. c. r t m m. d. r t c ng.

8. Trong m t BJT, dng base l . . . . . . . . . . . . . . . . . . khi c so v i hai dng collector v

emitter..a. nh . b. l n. c. nhanh. d. ch m.

9. M t BJT c c u t o vng base c a n r t mng v . . . . ..

a. c pha t p m. b. c pha t p nh vng collector.c. c pha t p long. d. c pha t p nh vng emitter.

10. Dng collector c a BJTlun lun . . . .

a. nh h n nhi u so v i dng emitter c a BJT. b. nh h n so v i dng base.c. b ng dng emitter. d. b ng dng emitter tr dng base.

11. Trong ho t ng thng th ng c a transistor NPN, ph n l n i n t di chuy n vo c c emitter .

. . . .a. ra kh i transistor thng qua c c collector. b. ra kh i transistor thng qua c c base.c. s c h p th b i transistor. d. khng ph i cc tr ng h p trn.

12. Ph ng trnh no bi u di n quan h ng gi a cc dng base, emitter, v collector ?

a.IE =IB + . b.IC =IB +IE. c.IE =IB +IC. d.IB =IE +IC.

13. T s c a d ng collector v dng base c g i l . . . . . . . .

a. rho b. pi c. omega d. beta e. alpha.


2/22

Created by Mondeo


3.3. Chuy n m ch b ng BJT.14. Khi m t chuyn m ch b ng BJT ang d n b o ho, th VCE x p x b ng . . . . . . . .

a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V.

15. Khi m t chuy n m ch b ng BJT ang d n, th dng collector s c gi i h n b i . . . . . .

a. dng base; b. i n tr t i; c. i n p base; d. i n tr base.

16. Khi m t chuy n m ch b ng BJT ng ng d n, th VCE x p x b ng . . . . . .a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V.

3.4. Trang s li u v cc thng s c a BJT.17. Ba thng s quan tr ng c a BJT l beta, cng su t tiu tn l n nh t, v . . . . . . . .

a. rho nh nh t; b. pi nh nh t; c. dng collector nh nh t; d. dng gi nhnh t.

18. Thng s hfe s b ng v i . . . . . . . . c a transistor.

a. alpha; b. beta; c. dng collector l n nh t; d. dng gi nhnh t.

3.5. M ch khuy ch i b ng transistor.19. Khi m ch khuy ch i b ng BJT c phn c c ng ho t ng ch A, th . . . . . . .

a. ti p gip base - emitter c phn c c thu n v ti p gip base - collector c phn c c ng c;b. ti p gip base - emitter c phn c c ng c v ti p gip base - collector c phn c c ng c;c. ti p gip base - emitter c phn c c thu n v ti p gip base - collector c phn c c thu n;d. ti p gip base - emitter c phn c c ng c v ti p gip base - collector c phn c c thu n.

20. m ch khuy ch i ho t ng ch A, th ti p gip base - collector c a BJT c n ph i . . .

. .

a. h m ch; b. kn m ch; c. c phn c c thu n; d. c phn c cng c.

21. H s khuy ch i i n p c a m ch khuy ch i b ng BJT b ng . . . . . .a. VB/VE; b. Vin /Vout; c. Vout /Vin; d. VCC /VC.

22. i n p phn c c t i collector (VC) c a m ch khuy ch i ho t ng ch A x p x b ng . . .

. . .

a. VCC; b. m t n a VCC; c. 0V; d. 0,2V.

3.6. Phn tch tn hi u m ch khuy ch i phn c c base.23. Tr khng vo c a m ch khuy ch i phn c c base s b ng . . . . . . . .

a. 1k; b. t l nghch v i beta; c. t l thu n v i beta; d. khng ph i cc tr ng h ptrn.

24. Tr khng ra c a m ch khuy ch i phn c c base s b ng . . . . . . . .

a. Rc; b. t l nghch v i beta; c. t l thu n v i beta; d. 1k.

25. l ch pha gi a hai tn hi u vo v ra c a m ch khuy ch i phn c c base b ng . . . . . . . .

a. 0o; b. 90

o; c. 180

o; d. 270

o.

26. Cng th c chung tnh h s khuy ch i i n p c a m ch khuy ch i phn c c base l . . .

. . .

a.Av = VCC /Vc; b.Av = VB /VE; c.Av = rc /re; d.Av =RL x .


3/22

Created by Mondeo


3.7. Php o tr khng vo v ra.27. Tr khng vo c a m t m ch khuy ch i b ng transistor c th o c b ng cch s d ng . .

. . .

a. ng h o i n tr [ohmmeter]; b. ng h o tr khng;c. my v c tuy n; d. i n th k m c n i ti p v i my t o sng.

28. Tr khng ra c a m t m ch khuy ch i b ng transistor c th o c b ng cch s d ng . . . .

. .

a. ng h o i n tr [ohmmeter]; b. ng h o tr khng;c. my v c tuy n; d. i n th k t vo v tr c a i n tr t i.

3.8. H c tuy n ra c a BJT.29. H c tuy n ra c a BJT l th c a . . . . . .

a. dng base theo i n p collector - emitter; b. dng collector theo i n p base -emitter;

c. dng collector theo i n p collector - emitter; d. dng emitter theo i n p base - emitter.

3.9. Sai hng trong m ch BJT.30. Khi ki m tra m t BJT t t b ng ng h o i n tr , th BJT s bi u hi n . . . . . .

a. s bi u hi n t s i n tr thun - nghch cao trn c hai ti p gip;b. s bi u hi n t s in tr thu n - nghch cao trn ti p gip collector - base;c. s bi u hi n t s i n tr thun - nghch cao trn ti p gip emitter - base;d. khng ph i cc trn.

31. Khi u que d ng c a m t ng h o i n tr [ohmmeter] c n i n base, cn u que

m c n i n collector c a m t transistor NPN, th gi tr i n tr o c l bao nhiu ?

a. 0; b. i n tr th p; c. 5k; d. i n tr cao.

32. Khi u que m c a m t ohmmeter c n i n c c base v u que d ng c n i n c c

emitter c a m t transistor NPN, th gi tr i n tr o c l bao nhiu ?


33. i n tr o c gi a hai c c collector v emitter c a m t transistor t t l bao nhiu ?


34. Gi tr i n p trn collector c a transistor hnh 3.40a, l bao nhiu ?

a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.

35. i n p trn collector c a transistor m ch hnh 3.40b l bao nhiu ?a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.


4/22

Created by Mondeo


36. M c i n p DC trn collector c a transistor m ch hnh 3.41, l bao nhiu ?

a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.

37. i n p DC trn c c base c a transistor m ch hnh 3.41, l bao nhiu ?

a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V.

38. i n p tn hi u trn collector c a transistor m ch hnh 3.41, l bao nhiu ?

a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp.

39. N u t u ra (C2) hnh 3.41, h m ch, th m c i n p tn hi u trn collector c a transistor

l bao nhiu ?

a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp.

B. Bi t p.

1. N u = 80 m ch hnh 3.42, th cc tr s c c trn cc ng h IB, IE, IC, v VCE l bao

nhiu ?

VRb = V1 VBE = 1.7 0.7 = 1 V I B = VRb/ Rb = 0.01 mA

IC = IB = 0.8 mA

IE = IB + IC = 0.81 mA

V E n i t nn VE = 0

VCE = VC = V2 VR2 = V2 ICR2 = 10 0.8*6 = 5.2 V


5/22

Created by Mondeo


2. N u dng base l 30A v dng collector l 4mA, th gi tr c a dng emitter l bao nhiu?

IE = IB + IC = 0.03 + 4 = 0.43 mA

3. N u dng base l 20A v dng collector l 4mA, th gi tr c a

beta l bao nhiu ?

= IC / IB = 4/0.02 = 200

4. N u transistor m ch hnh 3.43, c dng nh m t chuy nm ch. Hy tnh i n p t i collector khi transistor d n.

Khi trans d n thVC = 0.2 V

5. Tnh i n p collector khi transistor m ch hnh 3.43, ng ng d n.

Khi trans ng ng d n thVC = VCC = 20 V

6. N u c a transistor trong m ch hnh 3.43, b ng 50, th tr s i n

p nh nh t c n thi t t i u vo transistor bo ho l bao nhiu ?

Ta c : IC = VCC/RC = 20/(5*103) = 4 mA IB = IC / = 4/50 = 0.08

mA

( th c ra trong tr ng thi bo ha th VC gi m xu ng 0.2V v VRc = VCC 0.2, nh ng nh nn ta khng xt)VRb = IB*Rb = 0.08*10 = 0.8 V

VBB = VRb + VBE = 0.8 + 0.7 = 1.5 V

7. Khi tn hi u vo m ch hnh 3.43, l 5V, th gi tr c n thi t lm cho transistor bo hol bao nhiu ?

IB = ( VBB VBE )/Rb = (5 0.7)/104

= 0.43 mA

IC = VCC/RC = 20/5000 = 4 mA

= IC/IB = 4/0.43 = 9.38. Trong m ch hnh 3.43, gi s d ng collector l 4mA, v dng vo l 0,5mA, n u tng dng vo

ln 1mA, th dng collector s b ng bao nhiu ?

Khi tn hi u dng vo b ng 0.5mA th m ch ho t ng tr ng thi d n b o ha, nn khi tngdng vo ln 1mA th c ng khng lm dng IC thay i nn IC = 4mA9. N u i n p "m " [on] t i u vo c cho l 3,7V, th tr s i n tr vo l n nh t c th s

d ng nh n c s bo ho m ch hnh 3.43 l bao nhiu ? (min = 50).Ta c : IC = VCC/RC = 20/5000 = 4 mA IB = IC/ = 4/50 = 0.08 mASuy ra gi tr i n tr c th s d ng l Rb = (VBB VBE)/IB = (3.7 0.7 )/(0.08*103) = 37.5 k

10. Hy tnh cc tr s yu c u d i y i v i m ch hnh 3.44JC. (= 80).

VB = VBE + VE = 0.7 V VC = 13.4 V

VC = VCC VRc = 20 ICRc= 20 IBRc = 20 80*(20 0.7)*3300 / 775000= 13.4 V


6/22

Created by Mondeo


11. C n ph i thay i gi tr i n tr Rb (775k) m ch hnh 3.44JC

t o ra i n p collector b ng 10V (= 80).

Ta c : VC = 10V VRc = VCC VC = 20 10 = 10 V IC = VRc /Rc = 10/3300 = 3.03 mA IB = IC/ = 3.03/80 = 0.0379mA

V y gi tr Rb l : Rb = (15 0.7 )/(0.0379*10-3

)= 509 k12. m ch hnh 3.45JC, n u Rc = 3,3k, v beta l 120, hy tnh tr s c a Rb m ch cho phn

c c i m gi a (Vc = 7,5V)

Ta c : VRc = VCC VC = 15 7.5 = 7.5 V IC = VRc / Rc = 7.5/3300 = 2.272 mA

IB = IC/ = 2.272/120 = 0.0189 mA Rb = (VCC VB)/IB = (15 - 0.7)/(0.0189*10

-3) = 755 k

13. i n p trn collector trong m ch hnh 3.45JC s b ng bao

nhiu n u Rb = 755k,Rc = 3,3k, v = 240 ?.

Ta c : IB = (15 0.7)/755000 = 0.0189 mA IC = IB =0.0189*240 = 4.536 mA

V y : VRc = ICRc = 4.536*10-3

*3.3*10-3

= 14.97 V

VC = VCC VRc = 15 - 14.97 =0.03 V

14. Trong m ch hnh 3.45JC, n u Rb = 600k v beta b ng 200, th gi tr no c a Rc s thch h p

cho phn c c i m gi a (Vc = 7,5V) ?

Ta c : IB = (15 0.7)/600000 = 0.0238 mA IC = I B = 200*0.0238 = 4.76 mAV y gi tr Rc l : Rc = (VCC VC)/IC = (15 7.5)/4.76*10

-3= 1.57 k

15. Trong m ch hnh 3.45JC, n u Rb l 800k v Rc l 4,7k, th beta c n thi t cho phn c c

im gi a (Vc = 7,5V) l bao nhiu ?

Ta c : IB = (15 0.7)/800000 = 0.0179 mA , IC = (15 7.5)/4700 = 1.596 mA = IC/IB = 1.596/0.0179 = 89

16. Tr s c a r'e, zin, v zout c a m ch hnh 3.46JC, l bao nhiu ?

r'e = 16.6 zin = 2486 zout = 5 kta c : IB = (VCC VB)/Rb = (15 0.7)/1.43*106

= 0.01 mA

IC = IB = 150*0.01 = 1.5 mA IE = IB + IC = 1.5 + 0.01 = 1.51 mA

V y : re' = 25mV/IE = 25/1.51 = 16.6 Zin = Rb// re = (1.43*10

6*150*16.6) / (1.43*10

6+ 150*16.6) = 2486

Zout = Rc = 5 k


7/22

Created by Mondeo


17. H s khuy ch i i n p c a m ch hnh 3.46JC, l bao nhiu ?

Av = 200

H s khuy ch i : AV = rc/re , ta c : rc = Rc//RL = 10*5/(10 + 5) = 3.33 k AV = 3.33*10

3/16.6 = 200

18. N u t i n C2 h m ch, th h s khuy ch i i n p c a m ch hnh 3.46JC, b ng bao nhiu

?

Av = 300

C2 h m ch th rc = Rc = 5 k AV = 5*10

3/ 16.6 = 300

19. i v i m ch hnh 3.47JC, hy tnh:

Vc = 6.42 V; VB = 0.7 V; VE = 0 ; VCE = 6.42 V; zin = 2096 ; zout = 6 k ; Vout = 4.58 V; Av =229

Ta c : IB = (VCC VB)/Rb = (15 0.7)/1.2*103

= 0.01192 mA, IC = IC = 0.01192*120 = 1.43 mV VRc = ICRC = 1.43*10

-3*6*10

3= 8.58 V

Vy : VC = VCC VRc = 15 8.58 = 6.42 VVE = 0 V VCE = VC VE = 6.42 VVB = VBE + VE = 0.7 V

re = 25mV/(IB + IC) = 25/(1.43 + 0.01192) = 17.4 rc = Rc//RL = 6*12/(6 + 12) = 4 k

Vy : Zin = Rb// re = (1.2*106*120*17.4) / (1.2*10

6+ 150*17.4) = 2096

Zout = Rc = 6 kAV = rc/re = 4000/17.4 = 229

Vout = Vin AV = 0.02*229 = 4.58 V

20. i v i m ch hnh 3.48JC, hy xc nh:Vc = 7V ; VB = 0.7V ; VE = 0V ; VCE = 7V ; zin = 1596 ; zout =4 k ; Vout = 4.8V ; Av =120


8/22

Created by Mondeo


Gi i t ng t bi 19

C. Cu h i ph n m ch BJT.

4.1. Gi i thi u.1. T i sao c n ph i n nh m ch khuy ch i b ng BJT ch ng l i s thay i beta ?

a. do beta thay i theo nhi t , b. do beta thay i theo s thay i cc t ghp t ng;c. do beta khc nhau trong cc BJT cng lo i; d. c a v c.

2. Gi tr beta i n hnh c a m t transistor c th xem xt l . . . . . . . . .

a. + 50% v - 50%; b. +50% v - 100%; c. + 100% v - 50%; d. + 100% v -

100%.

3. N u beta thay i, th s thi u n nh i m phn c c trong m ch khuy ch i nh th no ?

a. i n p collector s thay i; b. dng collector s thay i;c. dng emitter s thay i; d. t t c cc trn.

4.2. Phn c c phn p.4. Trong m ch phn c c phn p, t i sao i n p t i i m n i c a Rb1 v Rb2 c xem l c l p

v i dng base c a transistor ?

a. dng base khng ch y quaRb1 ho cRb2;b. dng base nh so v i dng ch y quaRb1 vRb2;c. ch c dng emitter nh h ng n dng ch y quaRb1 vRb2;d. t n i t ng (t ghp t ng) ch n dng base ch y qua m ch phn p.

5. Trong cc m ch khuy ch i phn c c phn p, s chnh l ch i n p gi a emitter v base lun

lun b ng . . . . .

a. 0V; b. 0,2V; c. 0,7V; d. 2V.

6. Trong cc m ch khuy ch i phn c c phn p, khi tnh c i n p emitter DC, th dng

collector t i i m tnh c th tnh g n ng b ng cch chia i n p emitter cho . . . . .

a. i n tr nhnh base; b. i n tr nhnh emitter; c. i n tr nhnh collector; d. i n trc a t i.

7. Trong cc m ch khuy ch i phn c c phn p, i n p collector c tnh b ng cch . . . . . . .

a. nhn dng collector v i i n tr collector; b. nhn dng collector v i i n tr t i;c. c ng i n p base v i i n p emitter; d. tr s t p trn i n tr collector kh i i np ngu n.

4.3. Cc tham s tn hi u c a m ch phn c c phn p.8. M ch phn c c phn p c l p v i beta, nh ng ph i tr gi cho s khng ph thu c v i beta l

g ?

a. lm gi m n nh; b. tr khng ra th p;c. suy gi m h s khuy ch i i n p; d. c b v c.


9/22

Created by Mondeo


9. Khi tnh tr khng vo, hai i n tr base (Rb1 v Rb2) xu t hi n d i d ng . . . . . v i cc linh

ki n khc.

a. n i ti p; b. n i ti p / song song; c. song song; d. n i ti p ng cchi u nhau.

10. i n tr ng c a ti p gip base - emitter l c m c . . . . . .

a. n i ti p v i i n tr tn hi u nhnh base; b. song song v i i n tr tn hi u nhnh

base;c. song song v i i n tr tn hi u nhnh emitter; d. n i ti p v i i n tr tn hi u nhnhemitter.

11. Tr khng ra c a m ch khuy ch i emitter chung s b ng . . . . . .

a. i n tr collector; b. i n tr t i;c. i n tr collector m c song song v i i n tr t i; d. beta l n i n tr collector.

4.4. Cc thay i m ch khuy ch i phn c c phn p.12. Ki u m ch khuy ch i phn c c phn p no c tr khng vo cao nh t ?

a. c r m ch t ton b ; b. phn tch i n tr emitter; c. khng c r m ch t ; d. t t c cc trn.

13. Ki u m ch khuy ch i phn c c phn p no c tr khng ra cao nh t ?


14. Ki u m ch khuy ch i phn c c phn p no c h s khuy ch i cao nh t ?


15. Ki u m ch khuy ch i phn c c phn p no c mo d ng t nh t ?


4.5. M ch khuy ch i phn c c emitter.16. i n p base t i i m tnh c a m ch khuy ch i phn c c emitter th ng b ng . . . . . .

a. 0V; b. 0,7V; c. 2V; d. Vcc.

17. Nh c i m c a m ch khuy ch i phn c c emitter khi so v i m ch khuy ch i phn c c

phn p l m ch khuy ch i phn c c emitter yu c u . . . . .

a. cc transistor c beta cao h n; b. hai ngu n cung c p; c. gi tr Vcc cao h n; d. khng ph i cc trn.

18. H s khuy ch i i n p c a m ch khuy ch i phn c c emitter l . . . . .

a. ph thu c vo beta; b. c tnh b ng cng th c chung nh i v i m ch khuy ch i phn c cphn p;

c. b ng v i x re. d. lun lun cao h n so v i h s khuy ch i i n p c a m ch kh. i phn c cphn p.

4.6. M ch khuy ch i phn c c h i ti p ki u i n p.19. Cc m ch khuy ch i phn c c h i ti p ki u i n p th c t thch h p cho lm vi c v i . . . .

a. cc tn hi u t n s cao; b. cc ngu n cung c p i n p th p;c. cc m ch c n tr khng vo r t cao; d. cc m ch c n tr khng ra r t th p.


10/22

Created by Mondeo


20. Tr khng vo c a m ch khuy ch i phn c c h i ti p ki u i n p b nh h ng b i . . . .

a. gi tr cng su t trn i n tr collector; b. h s khuy ch i i n p c a b khuy chi;c. gi tr i n tr c a i n tr h i ti p; d. c b v c.

4.7. M ch khuy ch i nhi u t ng ghp RC.

21. T i sao c n ph i bi t tr khng vo c a m i t ng trong m t b khuy ch i nhi u t ng ?a. do tr khng vo ton m ch l tch c a tr khng vo c a m i t ng;b. do h s khuy ch i i n p c a m t t ng b tc ng b i tr khng vo c a t ng ti p theo ;c. do tr khng vo c a m t t ng l i n tr t i c a t ng tr c; d. c b v c.

22. M t trong nh ng u i m chnh c a vic s d ng cc t ghp gi a cc t ng l g ?

a. cc t ghp cho php m ch khuy ch i nhi u t ng truy n cc tn hi u DC;b. cc t ghp t ng cho php cc m ch phn c c trong m i t ng c l p nhau;c. cc t ghp t ng r m ch i n tr emitter nn lm tng h s khuy ch i; d. c b v c.

23. H s khuy ch i i n p ton b c a m ch khuy ch i nhi u t ng s b ng v i . . . . . . . .

a. t ng tr khng vo c a m i t ng; b. tch h s khuy ch i i n p c a m i

tng;c. h s khuy ch i i n p c a t ng u tin; d. h s khuy ch i i n p c a t ng cu icng.

24. Tr khng vo c a ton b m ch khuy ch i nhi u t ng s b ng v i . . . . . . . .

a. t ng tr khng vo c a m i t ng; b. tch tr khng vo c a m i t ng;c. tr khng vo c a t ng u tin; d. tr khng vo c a t ng cu i cng.

25. Tr khng ra c a ton b m ch khuy ch i nhi u t ng s b ng v i . . . . . . . .

a. t ng tr khng ra c a m i t ng; b. tch tr khng ra c a m i t ng;c. tr khng ra c a t ng u tin; d. tr khng ra c a t ng cu i cng.

4.8. Cc t i n ghp t ng v r m ch.26. Tr s i n dung c a cc t r m ch v ghp t ng l m t trong nh ng y u t chnh khi xc nh .

. . . . .

a. t n s c t th p; b. h s khuy ch i i n p; c. h s khuy ch i dng i n; d. t n s c tcao.

27. N u tr khng vo c a t ng th hai l 1k, th t ghp n i gi a t ng th nh t v t ng th hai

s c Xc vo kho ng . . . . . i v i t n s th p nh t s c khuy ch i.

a. 1; b. 10; c. 100; d. 1k; e. 10k.

4.9. Cc b khuy ch i ghp tr c ti p.

28. Cc m ch khuy ch i ghp tr c ti p c u i m h n cc m ch khuy ch i ghp RC l chchng c th khuy ch i . . . . . .

a. cc m c tn hi u l n h n; b. cc tn hi u t n s cao;c. cc m c tn hi u nh h n; d. cc tn hi u t n s th p.

29. Trong th c t cc b khuy ch i ghp tr c ti p c th d b nh h ng v i v n . . . . . .

a. v h s khuy ch i; b. v b o ho; c. v tri DC; d. v tr khng.

4.10. Sai h ng c a cc m ch b ng transistor.30. i n p o c trn collector c a Q1 trong m ch hnh 4.24JC, vo kho ng 20VDC,


11/22

Created by Mondeo


a. m ch ng ch c nng; b. t C2 b ng n m ch; c. t C2 b h mch; d. i n tr R1 b hmch.31. i n p o c trn collector c a Q2 m ch hnh 4.24JC, l 13,8VDC,

a. m ch ang lm vi c ng ch c nng; b. transistor Q2 b h m ch gi a collector vemitter;

c. t C5 b ng n m ch; d. i n tr R8 b ng n m ch.

32. i n p DC t i i m n i c a hai i n tr R4 v R5 m ch hnh 4.24JC, b ng 0V.a. m ch ang lm vi c ng ch c nng; b. transistor Q1 b ng n m ch gi a collector vemitter;

c. t C4 h m ch; d. i n tr R2 b ng n m ch.

33. H s khuy ch i i n p tn hi u c a Q2 m ch hnh 4.24JC, g n b ng hai l n h s khuy ch

i tnh c,

a. m ch ang ng ch c nng; b. t C3 h m ch;c. t C3 b ng n m ch; d. t C5 b h mch.

34. H s khuy ch i i n p tn hi u c a Q1 g n b ng 3,

a. m ch ng ch c nng; b. t C4 h m ch; c. t C4 b ng n m ch; d. t C2 h m ch.

D. Bi t p.1. Cho m ch hnh 4.25JC, hy tnh:


12/22

Created by Mondeo


Vc = 10.25 V; VB = 3,8 V; VE = 3.1 V; VCE = 7,15 V; zin = 5,85 k ; zout = 2 k ; Vout = 30mVp-p;Av = 1,5

Ta c : VB = VCCRb2/(Rb1 + Rb2) = 18*8/(30 + 8) = 3,8 V

VE = VB VBE = 3.8 0.7 = 3.1 V IE = VE / Re = 3,1/800 = 3.875 mV IC VRc = ICRc = 3.875*2 = 7,75 V

VC = VCC VRc = 18 7,75 = 10.25 V VCE = VC VE = 7,15 VTa c :

r b = Rb1 // Rb2 = 30*8 /(30 + 8) = 6.316 k = 6316 i n tr n i ti p gip : r'e = 25mV/IE = 25/3,875 =

6,45 V y re = r'e + Re = 6.45 + 800 = 806.45 Zin = r b//( re) = 6316*100*806,45 / (6316 + 100*806,45)

= 5,85 k ( CHO = 100 )Zout = Rc = 2 k

Ta c : rc = Rc//RL = 3*2/(3 + 2) = 1,2 k AV = rc/re = 1200 / 806.45 = 1,5

Vout = AV Vin = 1,5*20mVp-p = 30mVp-p2. Cho m ch hnh 4.26JC, hy tnh

Vc =10.25 V; VB = 3,8 V; VE = 3.1 V; VCE = 7,15 V; zin = 584 ; zout = 2 k ; Vout = 3,72 Vp-p;Av = 186

Tnh t ng t nh trn, cc thng s VC,VB,VE,VCE,Zout ginguyn

Nh ng re thay i re = re = 6,45 v RE b n i t t b i t C Zin = r b//( re) = 6316*100*6,45 / (6316 + 100*6,45) =584

AV = rc/re = 1200 / 6.45 = 186

Vout = AV Vin = 186*20mVp-p = 3,72 Vp-p

3. Cho m ch hnh 4.27JC, hy tnh,

Vc =10.25 V; VB = 3,8 V; VE = 3.1 V; VCE = 7,15 V; zin = 3,9 k ; zout = 2 k ; Vout = 3,72 Vp-p;Av = 186

Tnh t ng t nh trn, cc thng s VC,VB,VE,VCE,Zout gi nguynNh ng re thay i re = re + Re = 100 + 6,45 = 106,45 v RE b n i t t b i t C Zin = r b//( re) = 6316*100*106,45 / (6316 + 100*106,45) = 3,9 k

AV = rc/re = 1200 / 106.45 = 11,3

Vout = AV Vin = 11,3*20mVp-p = 226 mVp-p


13/22

Created by Mondeo


4. M c tn hi u l n nh t c th cung c p t i u vo c a m ch hnh 4.27JC, tr c khi tn hi u

ra b t u b xn l bao nhiu ?

5. N u t n s lm vi c th p nh t l 100Hz, hy ch n tr s cho

C1, C2, v C3 trong m ch hnh 4.27JC,

C1 = 4,08 F; C2 = 5,3 F;

C3 = 159 F;

ta c : XCmax = 1/10 gi tr i n tr n i ti p v i t , t suy ra C= 1/( 2 fXC )V y C1 n i ti p Zin XC1 = 390 C1 = 1/(200 *390 ) = 4,08 F

C2 n i ti p RL XC2 = 300 C2 = 1/(200 *300 ) = 5,3 F

C3 n i ti p Re XC1 = 10 C3 = 1/(

200 *10 ) = 159 F

6. Cho m ch hnh 4.28JC, hy tnh:

Vc = . . . . ; VB = . . . . ; VE = . . . . ; VCE = . . . . ; zin = . . . . ; zout = . . . . . ; Vout = . . . . ; Av = . . .

. .

B n i t nn VB = 0 VE = VB VBE = 0 0,7 = - 0,7 V IE = (VEE VE) / (RE + Re) = (- 12 + 0,7)/(300 + 5300) = 2mA IC IE = 2 mA VRc = ICRc = 2*3,3 = 6,6 V

VC = VCC VRc = 12 6,6 = 5,4 V VCE = VC VE = 5,4 (-0,7) = 6,1 VTa c : r b = Rb1 = 2 k

i n tr n i ti p gip : r'e = 25mV/IE = 25/2= 12,5 V y re = r'e + Re = 12,5 + 300 = 312,5 Zin = r b//( re) = 2000*100*312,5 / (2000 + 100*312,5)

= 1,9 k ( CHO = 100 )Zout = Rc = 3,3 kTa c : rc = Rc//RL =

3,3*6/(3,3 + 6) = 2,13 k AV = rc/re = 2130

/ 312,5 = 6,8

Vout = AV Vin =

6,8*50mVp-p = 340mVp-p7. Hy xc nh cc tr s yu c u d i y cho m ch hnh

4.29JC,

t ng 1:VB = 4,8 V ; VE = 4,1 V; VC = 8,8 V ; Av =6,1; zin = 3,8 k ;

zout = 1 kt ng 2:VB = 3,2 V; VE = 2,5 V; VC = 8V ; Av = 12,7; zin = 1k ; zout = 390 Ton b m ch:

Av = 77,4 ; zin = 3,8 k ; zout = 390


14/22

Created by Mondeo


Tnh t ng t ring r cho t ng t ngNh ng :

- RL c a t ng th 1 b ng Zin c a t ng 2

8. N u t n s lm vi c th p nh t l 1kHz, hy ch n cc gi

tr cho C1, C2, C3, C4, v C5 trong m ch hnh 4.29JC,

C1 = 0,42 F; C2 = 1,6 F; C3 = 1,6 F;

C4 = 17,7 F; C5 = 65,2 F;t ng t nh bi s 5 trong :

C1 n i ti p Zin1 XC1 = 380 C1 = 1/( 2000 *380 ) = 0,42 FC2 n i ti p Zin2 XC2 = 100 C2 = 1/( 2000 *100 ) = 1,6 FC3 n i ti p RL2 XC3 = 100 C3 = 1/( 2000 *100 ) = 1,6 FC4 n i ti p re1 XC4 = 8,2 C4 = 1/( 2000 *8,98 ) = 17,7 FC5 n i ti p re2 XC5 = 2,2 C5 = 1/( 2000 *2,4 ) = 65,2 F

9. Hy tnh cc tr s yu c u d i y i v i m ch hnh 4.30JC,

t ng 1:VB = 0V ; VE = - 0,7V ; VC = 3,8V ; Av = 1,7 ; zin = 360 k ; zout = 6 k

t ng 2:VB = 3,8V ; VE = 4,5V

; VC = 0,3V ; Av = 4,6;zin =740 k ; zout = 7,4 k

Ton m ch:zin = 360 k ; zout = 7,4 k ; Av= 7,8

tnh t ng t ring r cho t ng t ngnh ng VB c a Q2 = VC c a Q1


15/22

Created by Mondeo


E. Cu h i ph n m ch BJTkhc.

5.1. M ch khuy ch i collector chung.1. Trong m ch khuy ch i collector chung, c c collector . . . . .

a. c n i v i m c t c a ngu n DC; b. c n i v i m c t c a tn hi u;c. n i v i Vcc; d. c b v c.

2. M ch khuy ch i collector chung c th s d ng ki u phn c c . . . . . . . .

a. emitter; b. h i ti p i n p collector ; c. phn p ; d. c a v c.

3. C u hnh collector chung c . . . . . .

a. tr khng vo cao v tr khng ra th p; b. tr khng vo th p v tr khng ra b ngRc;

c. tr khng vo cao v tr khng ra b ngRc; d. ngoi cc tr ng h p trn.

4. H s khuy ch i i n p c a m ch collector chung l . . . . .

a. l n h n 1; b. ng b ng 1; c. h i nh h n 1; d. b ng v i .

5.2. H s khuy ch i dng i n v cng su t.


16/22

Created by Mondeo


5. H s khuy ch i cng su t c a m t m ch c th tnh c b ng php nhn. . . . .

a. beta v i h s khuy ch i i n p; b. bnh ph ng dng t i v i i n p t i;c. h s khuy ch i i n p v i h s khuy ch i dng; d. cng su t vo v cng su t ra.

6. C u hnh BJT no cho s khuy ch i cng su t ?

a. emitter chung; b. base chung; c. collector chung; d. t t c cc trn.

5.3. C p Darlinhton.7. C p Darlington thay cho transistor thng th ng trong m ch collector chung s . . . . . . .

a. lm tng tr khng vo c a m ch; b. cho php m ch i u khi n t i i n tr th ph n;c. thay i i n p phn c c emitter b ng 0,7V; d. t t c cc trn.

8. N u c p Darlington c l p b ng hai transistor v i m i transistor b ng 40, th m ch

Darlington c beta b ng . . . . .

a. 40; b. 80; c. 60; d. 1600.

9. M ch Darlington khi ho t ng khuy ch i ch A, i n p gi a c c base v emitter l bao

nhiu ?a. 0,2V; b. 0,7V; c. 1,4V; d. 2V.

5.4. T ng collector chung trong m ch khuy ch i nhi u t ng.10. Thng th ng, t ng collector chung l t ng cu i cng tr c t i. Ch c nng chnh c a t ng

collector chung l . . . . . .

a. cho khuy ch i i n p; b. lm b m cho cc b khuy ch i i n p kh i i n trt i th p;c. cho s o pha tn hi u; d. cho ng d n t n s cao c i thi n p ng t n s t ngcu i cao.

11. M t b khuy ch i i n p c ba t ng c cc h s khuy ch i l 32, 16, v 1. H s khuy ch

i i n p c a ton m ch l bao nhiu ?a. 49V; b. 49; c. 512V; d. 512.

5.5. Cc m ch khuy ch i base chung.12. C u hnh base chung c . . . .

a. tr khng vo cao v tr khng ra th p; b. tr khng vo th p v tr khng ra b ngRc;c. tr khng vo cao v tr khng ra b ngRc; d. ngoi cc trn.

13. H s khuy ch i dng c a m ch base chung l . . . .

a. l n h n 1; b. ng b ng 1; c. h i nh h n so v i 1; d. b ng .

5.6. So snh cc c u hnh c a m ch khuy ch i.14. C u hnh emitter chung c . . . . .

a. tr khng vo cao v tr khng ra th p; b. tr khng vo th p v tr khng ra b ngRc;

c. tr khng vo trung bnh v tr khng ra b ng Rc; d. ngoi cc tr ng h p trn.

15. Khi BJT c m c theo c u hnh base chung, th m ch c kh nng cung c p . . . . .


17/22

Created by Mondeo


a. h s khuy ch i in p v cng su t; b. h s khuy ch i dng i n v cngsu t;c. h s khuy ch i dng i n, i n p v cng su t; d. ch c h s khuy ch i i n p.

16. Khi BJT c m c theo c u hnh collector chung, th m ch c kh nng cung c p . . . . . .

a. h s khuy ch i in p v cng su t; b. h s khuy ch i dng i n v cngsu t;

c. h s khuy ch i dng i n, i n p v cng su t; d. ch c h s khuy ch i i n p.

17. Khi BJT c m c theo c u hnh emitter chung, th m ch c kh nng cung c p . . . . .

a. h s khuy ch i in p v cng su t; b. h s khuy ch i dng i n v cngsu t;c. h s khuy ch i dng i n, i n p v cng su t; d. ch c h s khuy ch i i n p.

5.7. Ngu n dng i n.18. K hi u no sau y l k hi u c a ngu n dng i n ? d

19. M t ngu n dng h ng 10mA cung c p cho t i 1k, m c i n p trn t i l bao nhiu ?

a. 1V; b. 5V; c. 10V; d. 20V

20. M t ngu n dng h ng 10mA cung c p cho t i 1k. N u thay i i n tr t i l 2k, th dng

ch y qua t i l bao nhiu ?

a. 1mA; b. 5mA; c. 10mA; d. 40mA.

5.8. M ch khuy ch i vi sai.21. M t m ch khuy ch i vi sai c thi t k v i ngu n dng h ng 10mA, ngu n cung c p 12V,

v i n tr nhnh collector (Rc) cho c hai BJT l 1k. C hai u vo c thi t l p l 100mV.

M c chnh l ch i n p o c gi a hai hai u ra collector c a transistor l bao nhiu ?

a. 0V; b. 100mV; c. 5V; d. 7V.

22. M t m ch khuy ch i vi sai c thi t k v i ngu n dng h ng 10mA, ngu n cung c p 12V,

v i n tr nhnh collector (Rc) cho c hai BJT l 1k. C hai u vo c thi t l p l 100mV.

M c i n p o c trn collector c a m t trong hai u ra c a transistor so v i t l bao

nhiu ?

a. 0V; b. 100mV; c. 5V; d. 7V.

5.9. Sai h ng trong cc m ch BJT.23. i n p tn hi u trn t i trong m ch hnh 5.21JC, o c l 1Vpp. V n c nhi u kh

nng x y ra nh t i v i m ch l g ?

a. beta c a transistor th p; b. t i n ghp u ra b ng n m ch;c. transistor b ng n mch t i ti p gip base - emitter; d. m ch ang lm vi c ng ch c nng.


18/22

Created by Mondeo


24. i n p trn base m ch hnh 5.21JC, o c l 1,2VDC. V n c nhi u kh nng x y ra

nh t i v i m ch l g ?

a. beta c a transistor th p; b. t i n ghp u ra b ng n m ch;c. transistor b ng n mch t i ti p gip base - emitter; d. m ch ang lm vi c ng ch c nng.

25. Tn hi u ra m ch hnh 5.21JC, dao ng trn m c 6VDC. V n c nhi u kh nng x y ra

nh t i v i m ch l g ?a. beta c a transistor th p; b. t i n ghp u ra b ng n m ch;c. transistor b ng n m ch t i ti p gip base - emitter; d. m ch ang lm vi c ng ch c nng.

26. M c tn hi u vo m ch hnh 5.22JC, c t m c 0. i n p trn collector c a Q1 v Q2o c l 12V. V n c nhi u kh nng x y ra nh t i v i m ch l g ?

a. transistor Q1 h m ch; b. transistor Q2 h m ch; c. ngu n dng b h ng; d. m ch lm vi c bnhth ng.

27. M c tn hi u vo m ch hnh 5.22JC, c t m c 0. i n p trn collector c a Q1 o c

l 12V v i n p trn Q2 o c l 0,2V. V n c nhi u kh nng x y ra nh t i v i m ch l

g ?

a. transistor Q1 h m ch; b. transistor Q2 h m ch; c. ngu n dng b h ng; d. m ch lm vi c bnhth ng

28. M c tn hi u vo m ch hnh 5.22JC, c t m c 0. i n p trn collector c a Q1 v Q2o c l 6V. V n c nhi u kh nng x y ra nh t i v i m ch l g ?

a. transistor Q1 h m ch; b. transistor Q2 h m ch; c. ngu n dng b h ng; d. m ch lm vi c bnhth ng


19/22

Created by Mondeo


F. Bi t p.1. Cho m ch hnh 5.23JC, hy tnh cc tr s t i i m lm vi c tnh Q:

VB = 6,7 V ; VE = 6 V; VC = 12 V ; VCE = 6 V; IE = 60 mA;

M ch khuy ch i C chungVB = VCCR2/(R1 + R2) = 12*1/(1 + 0,8) = 6,7 V

VE = VB VBE = 6,7 0,7 = 6 VVC = VCC = 12 V

VCE = VC VE = 12 6 = 6 VIE = VE/Re = 6/100 = 60 mA

2. Tnh cc gi tr zin, zout, v Av c a m ch hnh 5.23JC. CHO = 100

zin = . . . . ; zout = . . . . . ; Av = . . . . .

ta c : R1//R2 = 1*0,8/(1 + 0,8) = 0,444 kre = R3//RL = 100*50/(100 + 50) = 37,5 rb = R1//R2//Rint = 364

v y : Zin = (R1//R2)//( re) = 444*37500/(444 + 37500) = 396 Zout = R3//(rb/ ) = 100*3,64/(100 + 3,64) = 3,5 Av = re / (re + r'e) = 1

3. i v i m ch hnh 5.23JC, hy tnh h s khuy ch i dng i n (Ai), v h s khuy ch i

cng su t (Ap). ta c : iout = Vout/RLiin = Vin/Zin

Ai = iout/iin = AvZin/RL = 1*396/50 = 7,9

Ap = Voutiout/VinZin = AvAi = 7,9

4. Cho beta c a Q1 l 150 v beta c a Q2 b ng 30. c a c p Darlington hnh 5.24JC, l bao

nhiu ?

= Q1* Q2 = 150*30 = 4500


20/22

Created by Mondeo


5. Cho m ch

hnh

5.25JC, hy

tnh cc gi

tr t i i mlm vi c tnh Q: VBQ1, VEQ1, VCQ1, VBQ2, VEQ2, VCQ2, v IEQ2. (gi s Q1 = 90 v Q2 = 40)M ch C chung dng c p DARLINTONVBQ1 = VCCR2/(R1 + R2) = 18*2,2/(2 + 2,2) = 9,4 V

VEQ1 = VBQ1 VBEQ1 = 9,4 0,7 = 8,7V

VCQ1 = VCC = 18 V

VBQ2 = VEQ1 = 8,7 V

VEQ2 = VBQ2 VBEQ2 = 8,7 0,7 = 8 VVCQ2 = VCQ1 = 18 V

IE = VEQ2/R3 = 8/25 = 320 mA

6. Hy tnh cc gi tr c a zin, zout, v

Av cho m ch hnh 5.25JC. (cho Q1 =

90 v Q2 = 40).Tnh t ng t bi 2 nh ng = Q1* Q2 = 90*40 = 3600Zin = 1,024 k

Zout = 0,19 Av = 1

7. Cho m ch hnh 5.25JC, hy xc nh h s khuy ch i dng i n (Ai) v h s

khuy ch i cng su t(Ap). (gi s Q1 = 90, v Q2 = 40).T ng t bi 3 Ai = iout/iin = AvZin/RL = 1*1024/25 = 41

Ap

= Vout

iout

/Vin

Zin

= AvA

i= 41

8. Hy tnh h s khuy ch i i n p, h s khuy ch i dng i n, v h s

khuy ch i cng su t cho h th ng hnh 5.26JC.

Av = 8*22*1 = 176

Ai = AvZin/RL = 176*2000/25 = 14080

Ap = AvAi = 176*14080 = 2478080

9. Tnh cng su t tn hi u c phn b trn t i trong c

hai m ch hnh 5.27JC. M i m ch c cung c p b ingu n tn hi u 2Vpp (khng t i) c tr khng n i l 2k.

(cho Q1 = 90 v Q2 = 40).

Ta c : Vin rms = Vmax/2 = 1/2 = 0,707 V = Q1* Q2 = 90*40 = 3600

M ch (a) :Vout = VrmsRL/(Rint + RL) = 8,7 mV

P = Vout2/RL = 3,05 W

M ch (b) :


21/22

Created by Mondeo


Zint = (R1//R2)//( re) = 2,42 kVin = VrmsZin/(Zin + Rint) = 0,387 V

Vout = AvVin = 0,387 V ( m ch C chung)P = Vout

2/RL = 6 mW

10. Hy tnh cc m c i n p phn c c DC: VB, VE, Vc, v VCE cho m ch hnh 5.28JC.

M ch khuy ch i B chungVB = VCCRb2/(Rb1 + Rb2) = 15*18/(90 + 18) = 2,5 VVE = VB VBE = 2,5 0,7 = 1,8 V

IE = VE/Re = 1,8/1800 = 1 mA

VC = VCC VRc = 15 1*6,8 = 8,2 VVCE = VC VE = 8,2 1,8 = 6,4 V

11. Hy tnh h s khuy ch i i n

p tn hi u (Av), v tr khng vo

(zin), tr khng ra (zout), v dao

ng c a i n p ra l n nh t g n

ng cho m ch hnh 5.28JC.

rc = RL//Rc = 4048 , re = r'e =25mV/IE = 25 Av = rc/re =162

Zin = r'e = 25 , Zout = Rc = 6,8 k dao ng c a i n p ra l n nh t g n ng b ng 2VCE = 2*6,4 = 12,8 V

12. Hy tnh i n p trn collector, base, v emitter c a c ba transistor trong m ch hnh 5.29JC.

M ch khuy ch i vi saiQ1 : s t p trn i n tr 10k l V = (15 (- 15))*10/(10 + 18) = 10,7 V

VB1 = V + VEE = 10,7 15 = - 4,3 VVE1 = VB1 VBE = - 4,3 0,7 = - 5 V

VC1 = VE2 = VE3VB2 = VB3 = 0 V ( n i t ) VC1 = VE2 = VE3 = 0 0,7 = - 0,7 V

IC1 = IE1 = (VE1 VEE)/Re1 = ( - 5 + 15 )/5 = 2 mA IE2 = IE3 = IC1 = 1 mA

VRc2 = VRc3 = 1*3,3 = 3,3 V

VC2 = VC3 = 15 3,3 = 11,7 V

13. Hy tnh h s khuy ch i i n p c a u ra n v h s khuy ch i i n p vi sai cho

m ch hnh 5.29JC.


22/22

Created by Mondeo

Ta xem nh m ch khuy ch i g m 2 t ngrc = Rc = 3,3 kre = 25 mV/IE = 25 Av = rc/re = 132 ( i v i u ra n ) i v i u ra cn b ng th : Vout c a u ra cn b ng b ng 2 l n Vout c a u ra n nn

A'v = 2Av = 264

Documents

Bài tập phần BJT