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Belle II 実験に向けた SOI ピクセル検出器の開発

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Belle II 実験に向けた SOI ピクセル検出器の開発. 東北大学 堀井泰之、小貫良行、田窪洋介、山本均 KEK  新井康夫、坪山透、三好敏喜、一宮亮、池本由希子 他  SOIPIX グループ 2009 年 9 月 11 日 日本物理学会. 1. Belle II 実験/ SOI ピクセル検出器. Belle II 実験 2012 年頃の開始を目指す。 Belle 実験の 50 倍のルミノシティ目標   高いバックグラウンド環境 ピクセル検出器 DEPFET :ベースライン 数年で放射線損傷。 - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: Belle II 実験に向けた SOI ピクセル検出器の開発

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Belle II 実験に向けたSOI ピクセル検出器の開発

東北大学 堀井泰之、小貫良行、田窪洋介、山本均KEK  新井康夫、坪山透、三好敏喜、一宮亮、池本由希子

他  SOIPIX グループ

2009 年 9 月 11 日 日本物理学会

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1. Belle II 実験/ SOI ピクセル検出器

Belle II 実験2012 年頃の開始を目指す。

Belle 実験の 50 倍のルミノシティ目標  高いバックグラウンド環境

ピクセル検出器 DEPFET :ベースライン

     数年で放射線損傷。

SOI : DEPFET に代わるピクセル  検出器として期待される。   ・高速読み出し  etc.

(www.depfet.org)

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60 mm × 60 mm / ピクセル

( 合計 48 × 48 ピクセル )

Belle II 実験に向けた SOI ピクセル検出器はじめての試作チッ

プ2008 年夏に完成 アドレスデコーダ

でピクセルを指定。

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ピクセル部

前置増幅

ディスクリミネータ

遅延回路

トリガーがあると出力

制御レジスタ

•トリガー入力を待つ遅延回路。•制御レジスタにより、テスト入力、マスク、 VTH 微調整を行う。

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2. センサー部ダイオード特性

p+

n-

Breakdown 電圧 ~ 150 V 。荷電粒子の検出に十分な空乏層。

VBIAS-VBACK 間の IV 測定

~180 mm thick,~14000 e/MIP

VBIAS = GND

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SEABAS ボード: SOI ピクセル評価用読み出しボード USER FPGA: チップを制御する Firmware 。 Verilog HDL で

作成。 SiTCP FPGA: TCP/IP の処理を行う。

PC: SEABAS ボードを操作する Software 。 C++ で作成。

サブボード

3. DAQ システムの開発SEABAS ボード

PCEtherne

t

内田智久氏( KEK )が開発

USER FPGA

SiTCP FPGA

チップ

これらを担当。

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GUI ( ROOT を利用して作成)

制御レジスタ、 CLK ( 遅延回路用 ) 、 TRG 入力の操作をGUI 上でできる。

データは ROOT ファイルに保存 Special thanks to

M. Hirose (Osaka U.)

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4. しきい値電圧スキャン

各測定点について 100 イベント取得し、ヒット率を求めた。

Error Function でフィットを行い、幅を求めた。

     6 ピクセルの測定を行い、 s = 0.7-1.0 mV を得た。

ピクセルを適当に選び、しきい値電圧 VTH についてスキャンを行った。

c2/ndf = 15.8/11m = 334.7 ± 0.1

mVs = 0.8 ± 0.1 mV

右図は、 Row = 6, Column = 13 のピクセルについての図。

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しきい値電圧のばらつき

s = 13.5 ± 0.5 mV

 ピクセル間の VTH ばらつき、 列毎増幅器の利得のばらつき に起因すると考えられる。

全てのピクセルのヒット率の平均を、 VTH に依存して求めた。

c2/ndf = 19.2/12m = 357 ± 1 mVs = 13.5 ± 0.5

mV

制御レジスタを用いたばらつき補正試験が、今後の課題の一つ。

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5. レーザー光照射試験レーザー

ピクセル

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上図: 3000 イベントの和DAQ: 数 kHz までテストを行った。

ピクセルごとの読み出し時間は 160 nsec 。

はじめてのマスクイメージを取得。

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まとめ1. Belle II 実験用 SOI ピクセル検出器の、はじめての試作品を制作し

た。

2. センサー部のダイオード特性の測定を行った。Breakdown 電圧は約 150 V で、荷電粒子の検出のために十分な大きさ。

3. DAQ システムの開発を行った。ピクセル制御 FPGA の Firmware 開発。SEABAS 操作と DAQ のための Software 開発。 これら2つを担当した。

4. しきい値電圧スキャンを行った。ピクセル: s = 0.7-1.0 mV 。ばらつき: s = 13.5 ± 0.5 mV 。制御レジスタによる調整を行いたい。

5. レーザー光を照射し、マスクイメージの取得を行った。

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Backup Slides

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SOI ピクセル検出器 センサーと読み出し回路を、絶縁膜を挟んで接合した検出器。

ボンディングが不要。 低物質量を実現でき、多重散乱を抑制。 浮遊容量が小さい(高速読み出しや低消費電力)。

Belle II 実験のピクセル検出器の候補

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プリアンプ回路

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しきい値電圧スキャン

m = 335.2 ± 0.1 mV

s = 0.7 ± 0.1 mV

m = 334.4 ± 0.2 mV

s = 1.0 ± 0.1 mV

他のピクセルの結果(一部)

, , …

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VTH 微調整 制御レジスタによる VTH 微調整機能の試験が必要。

VFINE = 1.8 V ではヒット率に有意な変化がない。( PMOS 利用のため、これは予想通りの結果である。)

今後、どの程度 VTH 調整をできるか検証したい。

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VFINE = 1.8 V

DAC