8
Cu: fcc lifetime B = 114 ps x (a) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 y (a) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 1e-5 2e-5 3e-5 4e-5 5e-5 6e-5 7e-5 8e-5 [100] [010] (001) plane 0 2e-5 4e-5 6e-5 8e-5 1e-4 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 (001) plane Záchyt pozitronu

Pozitronový záchytový model – N typů defektů

Embed Size (px)

DESCRIPTION

ověření platnosti předpokladů. Pozitronový záchytový model – N typů defektů. 500. 400. 300. lifetime (ps). 200. Cu, fcc. Al, fcc. 100. 0. 0. 10. 20. 30. 40. 50. 60. Number of vacancies. Z áchyt v klastrech vakancí. 500. 400. 300. lifetime (ps). 200. Cu, fcc. Al, fcc. - PowerPoint PPT Presentation

Citation preview

Page 1: Pozitronový záchytový model –  N  typů defektů

Cu: fcclifetime B = 114 ps

x (a)

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0

y (a

)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

1e-5

2e-5

3e-5

4e-5

5e-5

6e-5

7e-5

8e-5

[100]

[010]

(001) plane

0

2e-5

4e-5

6e-5

8e-5

1e-4

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

3D Graph 1

0 2e-5 4e-5 6e-5 8e-5

(001) plane

Záchyt pozitronu

Page 2: Pozitronový záchytový model –  N  typů defektů

Záchyt pozitronu

Cu: fccvacancy in [1/2,1/2,0] position

lifetime 1v = 180 ps

0.000

0.002

0.004

0.006

0.008

0.010

0.012

0.014

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010 0.012 0.014

(001) plane

x (a)

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0

y (a

)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2e-3 4e-3 6e-3 8e-3 1e-2

[100]

[010]

(001) plane

Page 3: Pozitronový záchytový model –  N  typů defektů

• doby života i typy defektů• intenzity Ii koncentrace defektů

Rozklad spektra dob života pozitronů:

t (ps)

-2000 -1000 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000

Inte

nsity

1e+2

1e+3

1e+4

1e+5

1e+6

Cu: c1v = 2.7×10-3 at%1 = 84 ps I1 = 48%2 = 180 ps I2 = 62%

Spektrum dob života pozitronů

Page 4: Pozitronový záchytový model –  N  typů defektů

Dvou-stavový jednoduchý pozitronový záchytový model

termalizace

anihilace

B = 114 psanihilační rychlost B = 1/B

Cu obsahující vakance

E

vazebná energie~ 1 eV

1v = 180 ps

anihilační rychlost 1v = 1/1v

volný pozitron )(f tN

záchytová rychlost K

zachycený pozitron )(1v tN

Pozitronový záchytový model

Page 5: Pozitronový záchytový model –  N  typů defektů

)()()(d

)(df1vfB

f tNtKtNt

tN

)()()(d

)(df1v1v1v

1v tNtKtNt

tN

ttK eK

Ke

K

KK 1v1vB

1v1vB

1v1v

1v1vB

1v1vBid 1S

t

tN

t

tN

d

)(d

d

)(dS 1vf

id

1)0(f N0)0(1v N1vB

1

1

K

1v2

1

1v1vB

1v2

K

KI

21 1 II

212

21

1id

11S

tt

eIeI

Pozitronový záchytový model

Page 6: Pozitronový záchytový model –  N  typů defektů

1vB1

1

K

1v2

1

1v1vB

1v2

K

KI21 1 II

212

21

1id

11S

tt

eIeI

1v1v1v cK

Pozitronový záchytový model

1vB1

21vB

1

21v

11

I

I

I

IK

2121v

11

IK

Page 7: Pozitronový záchytový model –  N  typů defektů

1vB1

1

K

1v2

1

1v1vB

1v2

K

KI21 1 II

212

21

1id

11S

tt

eIeI

1v1v1v cK

Pozitronový záchytový model

1vB1

21vB

1

21v

11

I

I

I

IK

2121v

11

IK

předpoklady1. dochází pouze k záchytu termalizovaných e+ 2. nedochází k uvolnění zachycených e+ 3. homogenní rozložení defektů4. záchyt v defektu limitován účinným průřezem kvantového přechodu

• ověření platnosti předpokladů

2

2

1

1

B

1

II

• střední doba života

2211 II

Page 8: Pozitronový záchytový model –  N  typů defektů

10 fn

N

iiifB

f nKndt

dn

1

N

i

tii

tff

if eIeIS1

Pozitronový záchytový model – N typů defektů

fiiii nKndt

dn Ni ,3,2,1

00 in

N

j jiB

i

K

KI

1

i

N

iif II

1

1

N

iiBf K

1

• ověření platnosti předpokladů

N

i

f

f II

1i iB

1